研究成果

研究業績受賞歴

年度：2020 | 2019 | 2018 | 2017 | 2016 | 2015 | 2014 | 2013 | 2012 | 2011 | 2010 | 2009 | 2008 | 2007 | 2006 | 2005 | 2004

2020年度研究成果

学術論文 / Journal Papers

  1. Akira Uedono, Wataru Ueno, Takahiro Yamada, Takuji Hosoi, Werner Egger, Tönjes Koschine, Christoph Hugenschmidt, Marcel Dickmann, and Heiji Watanabe,
    "Voids and vacancy-type defects in SiO2/GaN structures probed by monoenergetic positron beams",
    Journal of Applied Physics, 127, (5) pp 054503-1~8(2020).
  2. T. Hosoi, S. Azumo, Y. Kashiwagi, S. Hosaka, K. Yamamoto, M. Aketa, H. Asahara, T. Nakamura, T. Kimoto, T. Shimura, and H. Watanabe,
    "Comprehensive and systematic design of metal/high-k gate stack for high-performance and highly reliable SiC power MOSFET",
    Japanese Journal of Applied Physics, 59, (2) pp 021001-1~8(2020).

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国際会議 / International Conferences

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国内学会 / Domestic Conferences

  1. 志村 考功, 和田 裕希, 細井 卓治, 渡部 平司,
    "高品質単結晶GeSn細線を用いた横型PINダイオードの作製とその発光特性評価",
    2020年 第67回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集, 12a-D519-9,
    (上智大学, March 12-15, 2020)
  2. Moges Kidist, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司,
    "超高温プロセスで作製した4H-SiC(0001) pMOSFETの高温特性とCMOS応用",
    2020年 第67回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集, 15p-A201-13,
    (上智大学, March 12-15, 2020)
  3. 溝端 秀聡, 和田 悠平, 加賀 三志郎, 野﨑 幹人, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司,
    "SiO2/GaN MOSデバイスにおける水素ガスアニール起因の異常な固定電荷生成の理解",
    2020年 第67回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集, 13a-B401-4,
    (上智大学, March 12-15, 2020)
  4. 上殿 明良, 上野 航, 細井 卓治, Egger W.,　Koschine T, Hugenschmidt C. , Dickmann M., 渡部 平司,
    "陽電子消滅によるSiO2/GaN構造の空隙と空孔型欠陥の検出",
    2020年 第67回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集, 14a-B401-3,
    (上智大学, March 12-15, 2020)
  5. 西村 辰彦, 中西 英俊, 川山 巌, 斗内 政吉, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司,
    "400 nmレーザーを利用したレーザーテラヘルツエミッション顕微鏡による4H-SiCウエハ特性評価",
    2020年 第67回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集, 15a-A201-6,
    (上智大学, March 12-15, 2020)
  6. 寺尾 豊, 辻 英徳, 細井 卓治, 張 旭芳, 矢野 裕司, 志村 考功, 渡部 平司,
    "The Role of Oxygen Ambient Anneal for Ba-incorporated SiO2/SiC Interface",
    電子デバイス界面テクノロジー研究会－材料・プロセス・デバイス特性の物理－（第25回研究会）, pp. 137 - 139, Jan.31,
    (東レ総合研修センター, 静岡県三島市, January 30-February 1, 2020).
  7. 岡 博史, 水林 亘, 森 貴洋, 石川 由紀, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司, 遠藤 和彦,
    "フラッシュランプアニール法を用いたGOI基板上固相成長GeSn n-MOSFETsの作製",
    電子デバイス界面テクノロジー研究会－材料・プロセス・デバイス特性の物理－（第25回研究会）, pp. 121 - 124, Jan.31,
    (東レ総合研修センター, 静岡県三島市, January 30-February 1, 2020).
  8. 和田 裕希, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司,
    "液相成長GeSnを用いた横型pinダイオードの高効率室温エレクトロルミネッセンス",
    電子デバイス界面テクノロジー研究会－材料・プロセス・デバイス特性の物理－（第25回研究会）, pp. 65 - 68, Feb.1,
    (東レ総合研修センター, 静岡県三島市, January 30-February 1, 2020).

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解説 / Reviews

　　　 　　

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