研究室ブログ

研究成果

研究業績受賞歴

受賞 Awards Lists

2019年

IWDTF 2019 Young Award
和田　悠平（M1）
"Insight into Ga Diffusion in SiO₂ Dielectric Layer and Process Design for Improved Reliability of GaN-based MOS Devices"
November 20, 2019
平成31年度科学技術分野の文部科学大臣表彰科学技術賞研究部門
渡部　平司
"半導体表面界面科学を基軸とした次世代省エネデバイスの研究"
April 17, 2019
「電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」 (第24回研究会) 服部賞
武田　紘典（M2）
"温度可変ホール効果測定による4H-SiC(0001) MOSFETチャネル内電子伝導機構の考察"
January 26, 2019
IEEE EDS Kansai Chapter of the Year Award
細井　卓治
January 24, 2019

2018年

第16回IEEE EDS Japan Chapter Student Award
岡　博史（D3）
"Enhancement-mode n-channel TFT and Room-temperature Near-infrared Emission Based on n+/p junction in Single-crystalline GeSn on Transparent Substrate,"
February 2, 2018

2017年

HSTD11 & SOIPIX2017 Poster Student Award
細野　凌（M2）
"Improvements of Grating-based X-ray Phase Contrast Imaging with a Microfocus X-ray Source by a SOI Pixel Detector, SOPHIAS"
December 14, 2017
IWDTF 2017 Young Award
渡邉　健太（M2）
"SiO₂/AlON Stacked Gate Dielectrics for AlGaN/GaN MOS-HFET"
November 22, 2017
精密工学会2017年度秋季大会島津製作所ベストポスタープレゼンテーション賞
細野　凌（M2）
"マイクロフォーカスX線源と振幅格子を用いた多波長X線位相イメージング-SOI ピクセル検出器による高度化-"
September 22, 2017
第15回 APEX/JJAP編集貢献賞
細井　卓治
April 5, 2017
第15回IEEE EDS Japan Chapter Student Award
岡　博史（D2）
"High-mobility TFT and Enhanced Luminescence Utilizing Nucleation-controlled GeSn Growth on Transparent substrate for Monolithic Optoelectronic Integration,"
February 15, 2017

2016年

第8回（2016年秋季）応用物理学会 Poster Award
冨田崇史（M1）
"Sb ドープアモルファスGe の局所溶融横方向液相エピタキシャル成長によるn 型Ge 細線の作製と評価,"
September 15, 2016
第7回（2016年春季）応用物理学会 Poster Award
小川慎吾（東レ）
"HfO2/GeO2/Ge スタック構造におけるゲルマニウムと酸素の熱拡散に関する研究,"
March 22, 2016
電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―（第21回）, 服部賞
田中　章吾（M1）
January 23, 2016

2015年

The 3rd Meeting of X-Ray and Neutron Phase Imaging with Gratings(XNPIG2015), Best Poster Award
山崎　周（M2）
September 12, 2015
第4回（平成27年度）大阪大学総長顕彰（研究部門)
渡部平司
July 14, 2015
第4回（平成27年度）大阪大学総長奨励賞（研究部門)
細井卓治
July 14, 2015
生産技術振興協会平成27年度上半期海外論文発表奨励賞
森本直樹（D3）
June 4, 2015

2014年

The Award for Encouragement of Research in IUMRS-ICA 2014,
森本直樹（D2）
"X-ray Phase Contrast Imaging with a Single Grating Talbot-Lau Interferometer,"
October 21, 2014
第3回（平成26年度）大阪大学総長顕彰（研究部門)
渡部平司
July 8, 2014
IEEE EDS Kansai Chapter IMFEDK Student Paper Award
岡博史（M2）
"Schottky Barrier Height Reduction of NiGe/Ge Junction by P Ion Implantation for Metal Source/Drain Ge CMOS Devices,"
June 20, 2014
第36回（2014年春季）応用物理学会講演奨励賞
森本直樹（D2）
"マルチライン状Mo埋め込みターゲットによる位相格子の自己像直接検出とX線位相イメージング,"
May 9, 2014
第3回（2014年春季）応用物理学会 Poster Award
小川慎吾（D2）
"極薄AlOx層挿入によるHigh-k/Ge界面反応制御機構の解析,"
March 20, 2014
Best Presentation Award of the International Workshop on Atomically Controlled Fabrication Technology,
アタウット・チャンタパン（D3）
"Bias-temperature instability of SiC-MOS devices induced by unusual generation of mobile ions in thermal oxides,"
February 6, 2014

2013年

第35回（2013年秋季）応用物理学会講演奨励賞
田中亮平（B4）
"極薄AlO_x層によるHigh-k/Ge界面反応抑制とEOT=0.56 nmの実現,"
November 19, 2013
第2回（平成25年度）大阪大学総長奨励賞（研究部門)
細井卓治
"超低損失SiCパワーエレクトロニクス実現に向けたゲート絶縁膜技術の研究,"
August 2, 2013
大阪大学工学賞
西川弘晃（B4）
March 22, 2013
応用物理学会薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」（第18回）安田賞（若手奨励賞：プロセス部門）
松江将博（M1）
"横方向液相エピタキシャル成長により作製したGOI MOSFETのキャリア移動度評価,"
January 26, 2013

2012年

The 5th International Symposium on Atomiscally Controlled Fabrication Technology, Best Poster Award
橋元達也（D3）
"Fabrication and Evaluation of Photoelectronic Devices Integrated with Gold Nanoparticle Plasmon Antenna,"
October 24, 2012
大阪大学工学賞
箕浦佑也（B4）
March 19, 2012
応用物理学会薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」（第17回）安田賞（若手奨励賞：プロセス部門）
鈴木雄一朗（M1）
"横方向液相エピタキシャル成長により作製した単結晶GOI構造の電気特性評価,"
January 21, 2012

2011年

第20回シリコンカーバイド(SiC)及び関連ワイドギャップ半導体研究会研究奨励賞
池口大輔（M1）
"紫外線照射による熱酸化 SiO₂/SiC 構造中の電気的欠陥生成,"
December 09, 2011
平成23年度大阪大学功績賞（研究部門)
渡部平司
July 19, 2011
2011 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK2011), Stundent Paper Award
荻原伸平（M2）
May 20, 2011
平成22年度公益財団法人矢崎科学技術振興記念財団矢崎学術賞（功績賞）
渡部平司
"超低消費電力MOSFET用メタルゲート電極形成技術の確立,"
March 10, 2011
第7回日本学士院学術奨励賞
渡部平司
"半導体表面・界面科学を基軸とした次世代エレクトロニクスの創成,"
March 02, 2011
独立行政法人日本学術振興会（JSPS) 第7回日本学術振興会賞
渡部平司
"半導体表面・界面科学を基軸とした次世代エレクトロニクスの創成,"
March 02, 2011
応用物理学会薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」（第16回）安田賞（若手奨励賞：プロセス部門）
荻原伸平（M1)
"横方向液相エピタキシャル成長により作製した単結晶GOI構造の電気特性評価,"
January 22, 2011

2010年

The 3rd International Symposium on Atomiscally Controlled Fabrication Technology, Best Poster Award
有村拓晃（D2）
"Impact of La and A1 Composition Ratio on the Electrical Properties of La-Al-O Higher-k Gate Dielectrics,"
November 26, 2010
応用物理学会薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」（第15回）安田賞（若手奨励賞：プロセス部門）
朽木克博（D2）
"極薄Ge熱酸化膜の高密度プラズマ窒化により形成したGeON絶縁膜の評価,"
January 23, 2010

2009年

The 2nd International Symposium on Atomically Controlled Fabrication Technology, Best Poster Award
岡本学（M2）
"Electrical Characteristics of Ge-based MIS Devices with Ge₃N₄ Dielectrics Formed by Plasma,"
November 26, 2009
The 2nd International Symposium on Atomically Controlled Fabrication Technology, Best Poster Award
朽木克博（D2）
"Structural and electrical properties of GeON dielectrics formed by high-density plasma nitridation of ultrathin thermal GeO₂,"
November 26, 2009
The 5th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium, Young Researcher Best Poster Award
吉本千秋（M2）
"Fabrication of Ge Nano-Wires on Insulators Using Lateral Liquid-Phase Epitaxy," September 03, 2009
大阪大学工業会賞
有村拓晃（M2）
"異種元素添加によるHf 系高誘電率ゲート絶縁膜の高性能化に関する研究,"
March 24, 2009
応用物理学会薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」（第14回）服部賞（若手奨励賞：評価部門）
橋元達也（M1）
"局所横方向液相エピタキシャル成長による絶縁膜上Geワイヤの作製,"
January 24, 2009

2008年

第17回シリコンカーバイド(SiC)及び関連ワイドギャップ半導体研究会講演奨励賞
渡邊　優（M2）
"窒素プラズマ照射および水素ガスアニールによるSiO₂/SiC界面欠陥終端化とその熱劣化過程の評価,"
December 09, 2008
2008 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future ULSI Devices Science and Technology (IWDTF2008), Best Poster Award
T. Shimura, Y. Okamoto, T. Inoue, T. Hosoi, and H. Watanabe
"Residual Order in Thermal Oxide of Fully Strained SiGe Alloy on Si,"
November 07, 2008
第25回（2008年秋季）応用物理学会講演奨励賞
橋元達也（M1）
"液相選択横方向エピタキシャル成長によるLocal GOI構造の作製,"
September 03, 2008
2008 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK2008), Stundent Award
景井悠介（M2）
"Improvement of Thermally Grown SiO₂/SiC Interfaces by Plasma,"
May 23, 2008
第24回（2008年春季）応用物理学会講演奨励賞
有村拓晃（M1）
"界面特性に優れたsub-1nm EOT TiO₂/HfSiO/SiO₂積層構造ゲート絶縁膜の実現,"
March 30, 2008
応用物理学会薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」（第13回）服部賞（若手奨励賞：評価部門）
朽木克博（M2）
"プラズマ窒化により形成したGe₃N₄膜の耐熱性および耐湿性の評価,"
January 15, 2008
応用物理学会薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」（第13回）安田賞（若手奨励賞：プロセス部門）
有村拓晃（M1）
"TiO₂/HfSiO/SiO₂積層構造によるSub-1nm EOT高誘電率ゲート絶縁膜の実現,"
January 15, 2008

2007年

第29回応用物理学会論文賞（2007年度）, 29th JSAP Paper Award (Year 2007)
Y. Akasaka, G. Nakamura, K. Shiraishi, N. Umezawa, K. Yamabe, O. Ogawa, M. Lee, T. Amiaka, T. Kasuya, H. Watanabe, T. Chikyow, F. Ootsuka, Y. Nara, and K. Nakamura "Modified Oxygen Vacancy Induced Fermi Level Pinning Model Extendable to P-Metal Pinning,"
Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 45, No. 49, 2006, pp. L1289-L1292,
September 04, 2007

　　　　

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