研究成果
研究業績受賞歴
年度:2020 | 2019 | 2018 | 2017 | 2016 | 2015 | 2014 | 2013 | 2012 | 2011 | 2010 | 2009 | 2008 | 2007 | 2006 | 2005 | 2004
2007年度研究成果
学術論文 / Journal Papers
-
N. Kitano, S. Horie, H. Arimura, T. Kawahara, S. Sakashita, Y. Nishida, J. Yugami, T. Minami, M. Kosuda, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe,
"Enhanced Performance of Gate-First p-Channel Metal-Insulator-Srmiconductor Field-Effect Transistors with Polycrystalline Silicon/TiN/HfSiON Stacks Fabricated by Physical Vapor Deposition Based In situ Method,"
Jpn. J. Appl. Phys.,
46,
(46) L1111-L1113 (2007).
-
H. Komoda, C. Moritani, K. Takahashi, H. Watanabe, and K. Yasutake,
"Sample Tilting Technique for Preventing Electrostatic Discharge during High-current FIB Gas-assisted Etching with XeF2,"
Microelectronics Reliability,
47,
(1) 74-81 (2007).
-
K. Kutsuki, G. Okamoto, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe,
"Humidity-Dependent Stability of Amorphous Germanium Nitrides Fabricated by Plasma Nitridation,"
Appl. Phys. Lett.,
91
(16) 163501 (2007).
-
M. Zhao, K. Nakajima, M. Suzuki, K. Kimura, M. Uematsu, K. Torii, S. Kamiyama, Y. Nara, H. Watanabe, K. Shiraishi, T. Chikyow, and K. Yamada,
"Interface Reaction of High-k Gate Stack Structures Observed by High-Resolution RBS,"
Invited
ECS Transactions,
11
(4) 103-115 (2007).
-
K. Shiraishi, Y. Akasaka, G. Nakamura, M. Kadoshima, H. Watanabe, K. Ohmori, T. Chikyow, K. Yamabe, Y. Nara, Y. Ohji, and K. Yamada,
"Theoretical Studies on Fermi Level Pining of Hf-Based High-k Gate Stacks Based on Thermodynamics,"
Invited
ECS Transactions,
11
(4) 125-133 (2007).
-
M. Kadoshima, Y. Sugita, K. Shiraishi, H. Watanabe, A. Ohta, S. Miyazaki, K. Nakajima, T. Chikyow, K. Yamada, T. Aminaka, E. Kurosawa, T. Matsuki, T. Aoyama, Y. Nara, and Y. Ohji,
"Improvement in Fermi-Level Pinning of p-MOS Metal Gate Electrodes on HfSiON by Employing Ru Gate Electrodes,"
ECS Transactions,
11
(4) 169-180 (2007).
-
R. Hasunuma, T. Naito, C. Tamura, A. Uedono, K. Shiraishi, N. Umezawa, T. Chikyow, S. Inumiya, M. Sato, Y. Tamura, H. Watanabe, Y. Nara, Y. Ohji, S. Miyazaki, K. Yamada, and K. Yamabe,
"Tight Distribution of Dielectric Characteristics of HfSiON in Metal Gate Devices,"
Invited
ECS Transactions,
11
(4) 3-11 (2007).
-
T. Kawahara, Y. Nishida, S. Sakashita, J. Yugami, N. Kitano, T. Minami, M. Kosuda, S. Horie, H. Arimura, T. Shimura, and H. Watanabe,
"High Performance Gate-First pMISFET with TiN/HfSiON Gate Stacks Fabricated with PVD-Based In-Situ Method,"
Invited
ECS Transactions,
11
(4) 585-599 (2007).
-
A. Uedono, K. Shiraishi, K. Yamabe, S. Inumiya, Y. Akasaka, S. Kamiyama, T. Matsuki, T. Aoyama, Y. Nara, S. Miyazaki, H. Watanabe, N. Umezawa, T. Chikyow, S. Ishibashi, T. Ohdaira, R. Suzuki, and K. Yamada,
"Vacancy-Type Defects in MOSFETs with High-k Gate Dielectrics Probed by Monoenergetic Positron Beams,"
Invited
ECS Transactions,
11
(4) 81-90 (2007).
-
A. Uedono, T. Naito, T. Otsuka, K. Ito, K. Shiraishi, K. Yamabe, S. Miyazaki, H. Watanabe, N. Umezawa, A. Hamid, T. Chikyow, T. Ohdaira, R. Suzuki, S. Ishibashi, S. Inumiya, S. Kamiyama, Y. Akasaka, Y. Nara, and K. Yamada,
"Study of high-k gate dielectrics by means of positron annihilation,"
Invited
Physica Status Solidi (c),
4,
(10) 3599-3604 (2007).
-
Y. Naitou, A. Ando, H. Ogiso, S. Kamohara, F. Yano, A. Nishida, and H. Watanabe,
"Correlation Between Surface Topography and Static Capacitance Image of Ultrathin SiO2 Films Evaluated by Scanning Capacitance Microscopy,"
Jpn. J. Appl. Phys.,
46,
(9A) 5992-5999 (2007).
-
T. Ikuta, S. Fujita, H. Iwamoto, S. Kadomura, T. Shimura, H. Watanabe, and K. Yasutake,
"Suppression of Surface Segregation and Heavy Arsenic Doping into Silicon during Selective Epitaxial Chemical Vapor Deposition under Atmospheric Pressure,"
Appl. Phys. Lett.,
91,
(9) 092115 (2007).
-
H. Kakiuchi, H. Ohmi, M. Harada, H. Watanabe, and K. Yasutake,
"Low-Temperature Formation of SiO2 Layers Using a Two-step Atmospheric Pressure Plasma-enhanced Deposition-oxidation Process,"
Appl. Phys. Lett.,
91,
(4) 161908 (2007).
-
A. Uedono, T. Naito, T. Otsuka, K. Ito, K. Shiraishi, K. Yamabe, S. Miyazaki, H. Watanabe, N. Umezawa, T. Chikyow, T. Ohdaira, R. Suzuki, Y. Akasaka, S. Kamiyama, Y. Nara, and K. Yamada,
"Characterization of Metal/High-k Structures Using Monoenergetic Posiron Beams,"
Jpn. J. Appl. Phys.,
46,
(5B) 3214-3218 (2007).
-
K. Shiraishi, Y. Akasaka, G. Nakamura, T. Nakayama, S. Miyazaki, H. Watanabe, A. Ohta, K. Ohmori, T. Chikyow, Y. Nara, K. Yamabe, and K. Yamada,
"Theoretical Studies on Metal/High-k Gate Stacks,"
ECS Transactions,
6
(1) 191-204 (2007).
-
H. Watanabe, S. Horie, H. Arimura, N. Kitano, T. Minami, M. Kosuda, T. Simura, and K. Yasutake,
"Interface Engineering by PVD-Based In-Situ Fabrication Method for Advanced Metal/High-k Gate Stacks,"
ECS Transactions,
6
(3) 71-85 (2007).
-
N. Umezawa, K. Shiraishi, K. Torii, M. Boero, T. Chikyow, H. Watanabe, K. Yamabe, T. Ohno, K. Yamada, and Y. Nara,
"Role of Nitrogen Atoms in Reduction of Electron Charge Traps in Hf-Based High-k Dielectrics,"
IEEE Electron Device Letters,
28
(5) 363 (2007).
-
K. Ohomori, P. Ahmet, M. Yoshitake, T. Chikyow, K. Shiraisi, K. Yamabe, H. Watanabe, Y. Akasaka, Y. Nara, K. S. Chang, M .L. Green, and K. Yamada,
"Influences of annealing in reducing and oxidizing ambients on flatband voltage properties of HfO2 gate stack structures,"
J. Appl. Phys.,
101,
(8) 084118 (2007).
-
S. Yoshida, Y. Watanabe, Y. Kita, T. Shimura, H. Watanabe, K. Yasutake, Y. Akasaka, Y. Nara, and K. Yamada,
"Interface reactions at TiN/HfSiON gate stacs: Dependence on the electrode structure and deposition method,"
Sci. Technol. Adv. Mater.,
8,
(3) 219-224 (2007).
-
H. Kakiuchi, H. Ohmi, M. Harada, H. Watanabe, and K. Yasutake,
"Formation of silicon dioxide layers at low temperatures (150-400 °C) by atmospheric pressure plasma oxidation of silicon,"
Sci. Technol. Adv. Mater.,
8,
(3) 137-141 (2007).
-
H. Kakiuchi, H. Ohmi, M. Harada, H. Watanabe, and K. Yasutake,
"Significant Enhancement of Si Oxidation Rate at Low Temperatures by Atmospheric Pressure Ar/O2 Plasma,"
Appl. Phys. Lett.,
90,
(15) 151904 (2007).
-
K. Yasutake, N. Tawara, H. Ohmi, Y. Terai, H. Kakiuchi, H. Watanabe, and Y. Fujiwara,
"Photoluminescence Study of Defect-Free Epitaxial Silicon Filmes Grown at Low Temperatures by Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition,"
Jpn. J. Appl. Phys.,
46,
(4B) 2510-2515 (2007).
-
T. Ikuta, Y. Minami, S. Fujita, H. Iwamoto, S. Kadomura, T. Shimura, H. Watanabe, and K. Yasutake,
"Atmospheric In situ Arsenic-Doped SiGe Selective Epitaxial Growth for Raised-Extension N-type Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,"
Jpn. J. Appl. Phys.,
46,
(4B) 1916-1920 (2007).
-
H. Watanabe, S. Horie, T. Minami, N. Kitano, M. Kosuda, T. Shimura, and K. Yasutake,
"Impact of Physical Vapor Deposition-Based In situ Fabrication Method on Metal/High-k Gate Stacs,"
Jpn. J. Appl. Phys.,
46,
(4B) 1910-1915 (2007).
-
Y. Naitou, H. Ogiso, S. Kamiyama, and H. Watanabe,
"Investigation of local charged defects within high-temperature annealed HfSiON/SiO2 gate stacks by scanning capacitance spectroscopy,"
Jpn. J. Appl. Phys.,
101,
(8) 083704 (2007).
-
T. Ikuta, Y. Miyanami, S. Fujita, H. Iwamoto, S. Kadomura, T. Simura, H. Watanabe, and K. Yasutake,
"Heavy arsenic doping of silicon grown by atmospheric pressure selective epitaxial cheical vapor deposition,"
Sci. Technol. Adv. Mater.,
8,
(3) 142-145 (2007).
-
M. Zhao, K. Nakajima, M. Suzuki, K. Kimura, M. Uematsu, H. Watanabe, K. Shiraishi, T. Chikyow, and K. Yamada,
"Isotopic labeling study of the oxygen diffusion in HfO2/SiO2/Si,"
Appl. Phys. Lett.,
90,
(13) 133510 (2007).
-
H. Kakiuchi, H. Ohmi, M. Harada, H. Watanabe, and K. Yasutake,
"Highly Efficient Oxidation of Silicon at Low Temperatures Using Atmospheric Pressure Plasma,"
Appl. Phys. Lett.,
90,
(9) 091909 (2007).
-
K. Manabe, T. Hase, T. Tatsumi, H. Watanabe, and K. Yasutake,
"Mechanism of Suppressed Change in Effective Work Functions for Impurity-Doped Fully Silicided NiSi Electrodes on Hf-Based Gate Dielectrics,"
Jpn. J. Appl. Phys.,
46,
91-97 (2007).
-
H. Komoda, C. Moritani, K. Takahashi, H. Watanabe, and K. Yasutake,
"Sample Tilting Technique for Preventing Electrostatic Discharge during High-current FIB Gas-assisted Etching with XeF2,"
Microelectronics Reliability,
47,
(1) 74-81 (2007).
ページの先頭へ戻る
国際会議/ International Conferences
-
K. Kutsuki, G. Okamoto, Y. Hosoi, A. Yoshigoe, Y. Tedaoka, T. Shimura, and H. Watanabe,
"Thermal and Humidity Stability of Ge3N4 Thin Layers Fabricated by High-Density Plasma Nitridation,"
2007 International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS),
(College Park, MD, USA, December 12-14, 2007).
-
K. Ohmori, T. Chikyow, T. Hosoi, H. Watanabe, K. Nakajima, T. Adachi, A. Ishikawa, Y. Sugita, Y. Nara, Y. Ohji, K. Shiraishi, K. Yamabe, and K. Yamada,
"Wide Controllability of Flatband Voltage by Tuning Crystalline Microstructures in Metal Gate Electrodes,"
IEEE International Electron Devices Meeting 2007 (IEDM 2007), pp.345-348,
(Washington DC, USA, December 10-12, 2007).
-
T. Hosoi, Y. Kita, Y.Kagei, T.Shimura, H. Watanabe, K. Shiraishi, Y. Nara, and K. Yamada,
"A Comprehensive Study on Effective Work Function Modulation of Metal/High-k Gate Stacks,"
38th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC), Session8, 8.3,
(Arlington, VA, USA, December 06-08, 2007).
-
H. Arimura, S. Horie, T. Minami, N. Kitano, M. Kosuda, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe,
"Structural Optimization of HfTiSiO High-k Gate Dielectrics by Utilizing In-Situ PVD-Based Fabrication Method,"
Ext. Abst. and Program of 5th Int. Symp. on Control of Semiconductor Interface (ISCSI-V), pp.223-224,
(Tokyo Metroppolitan University, Hachioji, Japan, November 12-14, 2007).
-
T. Hosoi, K. Shibahara, M. Song, and K. Furuya,
"In-Situ TEM Observation of Silicide Formation and Dopant Segregation in Ni Fully Silicided Gates,"
Ext. Abst. and Program of 5th Int. Symp. on Control of Semiconductor Interface (ISCSI-V), pp.147-148,
(Tokyo Metroppolitan University, Hachioji, Japan, November 12-14, 2007).
-
K. Shiraishi, Y. Akasaka, M. Kadoshima, T. Nakayama, S. Miyazaki, H. Watanabe, T. Chikyow, Y. Nara, Y. Ohji, K. Yamabe, and K. Yamada,
"Systematic Consideration on Si Substrate Depletion Appeared in p-Metal/Hf-Based High-k Gate Stacks,"
Sixth Pacific Rim International Conference on Advanced Materials and Processing (PRICM6),
(Jeju Island, Korea, November 05-09, 2007).
-
T. Hosoi, K. Sano, A. Ohta, K. Makihara, H. Kaku, S. Miyazaki, and K. Shibahara,
"Characterization of Sb Pileup at Fully Slicided NiSi/SiO2 Interface,"
Ext. Abst. of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology 2007, pp.143-144,
(Icho-Kaikan, Osaka University, Suita, Japan, October 15-17, 2007).
-
N. Kitano, H. Arimura, S. Horie, T. Minami, M. Kosuda, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe,
"Enhanced Electrical Properties of TiN/HfSiON Gate Stacks by Using the PVD-based In-situ Fabrication Method,"
Ext. Abst. of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology 2007, pp.141-142,
(Icho-Kaikan, Osaka University, Suita, Japan, October 15-17, 2007).
-
T. Ikuta, S. Fujita, H. Iwamoto, S. Kadomura, T. Shimura, H. Watanabe, and K. Yasutake,
"Selective Epitaxial Growth of In-situ Carbon-Doped Si on Si Substrates,"
Ext. Abst. of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology 2007, pp.139-140,
(Icho-Kaikan, Osaka University, Suita, Japan, October 15-17, 2007).
-
Y. Naitou, A. Ando, H. Ogiso, S. Kamiyama, Y. Nara, and H. Watanabe,
"Single electron trapping within high-temperature annealed high-k dielectric films detected by scanning capacitance microscopy,"
Ext. Abst. of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology 2007, pp.135-136,
(Icho-Kaikan, Osaka University, Suita, Japan, October 15-17, 2007).
-
H. Arimura, S. Horie, T. Minami, N. Kitano, M. Kosuda, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe,
"Interface Properties of HfTiSiO Gate Dielectrics Formed by In-Situ PVD-Based Fabrication Method,"
Ext. Abst. of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology 2007, pp.133-134,
(Icho-Kaikan, Osaka University, Suita, Japan, October 15-17, 2007).
-
Y. Kita, S. Yoshida, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe, K. Shiraishi, Y. Nara, and K. Yamada,
"Systematic Study on Interface Dipole of Metal/High-k Gate Stacks,"
Ext. Abst. of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology 2007, pp.45-46,
(Icho-Kaikan, Osaka University, Suita, Japan, October 15-17, 2007).
-
M. Harada, Y. Watanabe, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe,
"Proposal of AION/SiO2 Layered Gate Dielectric for SiC MOS Devices,"
Ext. Abst. of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology 2007, pp.13-14,
(Icho-Kaikan, Osaka University, Suita, Japan, October 15-17, 2007).
-
K. Kutsuki, G. Okamoto, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe,
"Thermal Stability of Pure Ge3N4 Dielectric Layers Formed by High-Density Plasma Nirridation,"
Ext. Abst. of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology 2007, pp.11-12,
(Icho-Kaikan, Osaka University, Suita, Japan, October 15-17, 2007).
-
H. Kakiuchi, H. Ohmi, M. Harada, H. Watanabe, and K. Yasutake,
"Low-Temperature Oxidation of Crystalline and Hydrogenated Amorphous Si Using Very High Frequency Plasma at Atmospheric Pressure,"
Ext. Abst. of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology 2007, pp.7-8,
(Icho-Kaikan, Osaka University, Suita, Japan, October 15-17, 2007).
-
T. Kawahara, Y. Nishida, S. Sakashita, J. Yugami, N. Kitano, T. Minami, M. Kosuda, S. Horie, H. Arimura, T. Shimura, and H. Watanabe,
"High Performance Gate-First pMISFET with TiN/HfSiON Gate Stacks Fabricated with PVD-Based In-Situ Method,"
Invited
Meet. Abstr. - 212th ECS Meeting, #1167,
(Washington DC, USA, October 07-12, 2007).
-
M. Kadoshima, Y. Sugita, K. Shiraishi, H. Watanabe, A. Ohta, S. Miyazaki, K. Nakajima, T. Chikyow, K. Yamada, T. Aminaka, E. Kurosawa, T. Matsuki, T. Aoyama, Y. Nara, and Y. Ohji,
"Improvement in Fermi-Level Pinning of p-MOS Metal Gate Electrodes on HfSiON by Employing Ru Gate Electrodes,"
Meet. Abstr. - 212th ECS Meeting, #1128,
(Washington DC, USA, October 07-12, 2007).
-
K. Shiraishi, Y. Akasaka, G. Nakamura, M. Kadoshima, H. Watanabe, K. Ohmori, T. Chikyow, K. Yamabe, Y. Nara, Y. Ohji, and K. Yamada,
"Theoretical Studies on Fermi Level Pining of Hf-Based High-k Gate Stacks Based on Thermodynamics,"
Invited
Meet. Abstr. - 212th ECS Meeting, #1124,
(Washington DC, USA, October 07-12, 2007).
-
M. Zhao, K. Nakajima, M. Suzuki, K. Kimura, M. Uematsu, K. Torii, S. Kamiyama, Y.Nara, H. Watanabe, K. Shiraishi, T. Chikyow, and K. Yamada,
"Interface Reaction of High-k Gate Stack Structures Observed by High-Resolution RBS,"
Invited
Meet. Abstr. - 212th ECS Meeting, #1122,
(Washington DC, USA, October 07-12, 2007).
-
A. Uedono, K. Shiraishi, K. Yamabe, S. Inumiya, Y. Akasaka, S. Kamiyama, T. Matsuki, T. Aoyama, Y. Nara, S. Miyazaki, H. Watanabe, N. Umezawa, T.Chikyow, S. Ishibashi, T. Ohdaira, R. Suzuki, and K. Yamada,
"Vacancy-Type Defects in MOSFETs with High-k Gate Dielectrics Probed by Monoenergetic Positron Beams,"
Invited
Meet. Abstr. - 212th ECS Meeting, #1120,
(Washington DC, USA, October 07-12, 2007).
-
R. Hasunuma, T. Naito, C. Tamura, A. Uedono, K. Shiraishi, N. Umezawa, T. Chikyow, S. Inumiya, M. Sato, Y. Tamura, H. Watanabe, Y. Nara, Y. Ohji, S. Miyazaki, K. Yamada, and K. Yamabe,
"Tight Distribution of Dielectric Characteristics of HfSiON in Metal Gate Devices,"
Invited
Meet. Abstr. - 212th ECS Meeting, #1113,
(Washington DC, USA, October 07-12, 2007).
-
K. Kutsuki, G. Okamoto, T. Hosoi, T. Shimura, K. Yasutake, and H. Watanabe,
"Characterization of Pure Ge3N4 Dielectric Layers Formed by High-Density Plasma Nitridation,"
2007 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2007), F-9-4, pp.1034-1035,
(Tsukuba International Congress Center (EPOCHAL TSUKUBA), Ibaraki, Japan, September 18-21, 2007).
-
K. Shiraishi, Y. Akasaka, G. Nakamura, M. Kadoshima, H. Watanabe, K. Ohmori, T.Chikyow, K. Yamabe, Y. Nara, Y. Ohji, and K. Yamada,
"Systematic Study on Fermi level pining of Hf-based high-k gate stacks,"
2007 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2007), A-7-4, pp.844-845,
(Tsukuba International Congress Center (EPOCHAL TSUKUBA), Ibaraki, Japan, September 18-21, 2007).
-
T. Ikuta, Y. Miyanami, S. Fujita, H. Iwamoto, S. Kadomura, T. Shimura, H. Watanabe and K. Yasutake,
"In-situ Doped Si Selective Epitaxial Growth for Raised Source/Drain Extension CMOSFET,"
2007 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2007), P-1-23, pp.368-369,
(Tsukuba International Congress Center (EPOCHAL TSUKUBA), Ibaraki, Japan, September 18-21, 2007).
-
N. Kitano, H. Arimura, S. Horie, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe, T. Kawahara, S. Sakashita, Y. Nishida, J. Yugami, T. Minami, and M. Kosuda,
"Low Threshold Voltage Gate-First pMISFETs with Poly-Si/TiN/HfSiON Stacks Fabricated with PVD-based In-situ Solid Phase Interface Reaction (SPIR) Method,"
2007 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2007), A-1-3, pp.12-13,
(Tsukuba International Congress Center (EPOCHAL TSUKUBA), Ibaraki, Japan, September 18-21, 2007).
-
M .Kadoshima, Y. Sugita, K. Shiraishi, H. Watanabe, A. Ohta, S. Miyazaki, K. Nakajima, T. Chikyow, K. Yamada, T. Aminaka, E. Kurosawa, T. Matsuki, T. Aoyama, Y. Nara, and Y. Ohji,
"Fermi-level pinning position modulation by AI-containing metal gate for cost-effective dual-metal/dual-high-k CMOS,"
Invited
2007 Symposium on VLSI Technology Digest of Technical Papers, 5A-1, pp.66-67,
(Rihga Royal Hotel Kyoto, Kyoto, Japan, June 12-16, 2007).
-
K. Shiraishi, Y. Akasaka, G. Nakamura, T. Nakayama, S. Miyazaki, H. Watanabe, A. Ohta, K. Ohmori, T. Chikyow, Y. Nara, K. Yamabe, and K. Yamada,
"Theoretical Studies on Metal/High-k Gate Stacks,"
Invited
Meet. Abstr. - 211th ECS Meeting, #575,
(Chicago, IL, USA, May 06-10, 2007).
-
H. Watanabe, S. Horie, H. Arimura, N. Kitano, T. Minami, M. Kosuda, T. Simura, and K. Yasutake,
"Interface Engineering by PVD-Based In-Situ Fabrication Method for Advanced Metal/High-k Gate Stacks,"
Invited
Meet. Abstr. - 211th ECS Meeting, #655,
(Chicago, IL, USA, May 06-10, 2007).
-
K. Ohmori. P. Ahmet, K. Kakushima, H. Yoshikawa, K. Shiraishi, N. Umezawa, K. Nakajima, M. Yoshitake, K. Kobayashi, K. Yamabe, H. Watanabe, Y. Nara, T. Nakayama, M. L. Green, H. Iwai, K. Yamada, and T. Chikyow,
"Controllability of Flatband Voltage in Metal/High-k Gate Stack Structures,"
2007 MRS Spring Meeting, H7.10,
(San Francisco, CA, USA, Apri 09-13, 2007).
-
M. Harada, Y. Watanabe, S. Okda, T. Shimura, K. Yasutake, and H. Watanabe,
"Investigation of 4H-SiC MIS Devices with AlON/SiO2 Layered Structures,"
2007 MRS Spring Meeting, H7.7,
(San Francisco, CA, USA, Apri 09-13, 2007).
-
T. Ikoma, S. Fukuda, K. Endo, H. Watanabe, and S. Samukawa,
"Formation of Low-Leakage-current Ultra-thin SiO2 Films Using Low-temperature Neutral Beam Oxidation,"
2007 MRS Spring Meeting, H5.35,
(San Francisco, CA, USA, Apri 09-13, 2007).
-
Y.Kita, S. Yoshida, T. Shimura, K. Yasutake, H. Watanabe, K. Shiraishi, Y. Nara, and K. Yamada,
"Systematic Study on Effective Work Function Instability of Metal/High-k Gate Stacks,"
2007 MRS Spring Meeting, H4.9,
(San Francisco, CA, USA, Apri 09-13, 2007).
-
N. Kitano, S. Horie, T. Minamo, M. Kosuda,T. Shimura, K. Shiraishi, and H. Watanabe,
"Improving the Electrical Properties of TiN/HfSiO Gate Stacks using the PVD-based In-situ Fabrication Method,"
2007 MRS Spring Meeting, H4.6,
(San Francisco, CA, USA, Apri 09-13, 2007).
-
K. Shiraishi, T. Nakayama, S. Miyazaki, N. Umezawa, K. Yamada, H. Watanabe, T. Chikyow, Y. Nara, and K. Yamada,
"Two type of Oxgen Vacancies in Hf-based High-k Dielectrics-Existence of "Alive" and "Dead" Oxygen Vacancies,"
2007 MRS Spring Meeting, H1.9,
(San Francisco, CA, USA, Apri 09-13, 2007).
-
H. Arimura, S. Horie, T. Minami, N. Kitano, M. Kosuda, T. Shimura, K. Shiraishi, and H. Watanabe,
"Characterization of TiN/HfSiON gate stacks fabricated by the PVD-based in-situ method,"
2007 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai(IMFEDK 2007), pp.119-120,
(Osaka University Nakanoshima Center, Osaka, Japan, April 23-25, 2007).
-
Y. Watanabe, M. Harada, S. Okada, T. Shimura, K. Yasutake, and H. Watanabe,
"Electric properties of 4H-SiC MIS devices with AlON/SiO2 stacked gate dielectrics,"
2007 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai(IMFEDK 2007), pp.83-84,
(Osaka University Nakanoshima Center, Osaka, Japan, April 23-25, 2007).
-
M. Tanaka, T. Hosoi, and K. Sibahara,
"Issues for Pd2Si and NiSi Fully Silicided Gate Formation,"
2007 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai(IMFEDK 2007), pp.39-40,
(Osaka University Nakanoshima Center, Osaka, Japan, April 23-25, 2007).
ページの先頭へ戻る
国内会議/ Domestic Conferences
-
吉本 千秋,南 網介,大参 宏昌,志村 考功,垣内 弘章,渡部 平司,安武 潔,
"Ge微結晶核を用いた多結晶Si薄膜形成 (Ⅱ),"
2007年秋季 第68回応用物理学関係連合講演会予稿集, No.2, p.866, 6a-P10-26,
(北海道工業大学, September 04-08, 2007).
-
富田 祐吾,三嶽 善彦,坂本 仁志,渡部 平司,廣瀬 文彦,
"塩化金属還元プラズマCVD法によるルテニウム薄膜の形成,"
2007年秋季 第68回応用物理学関係連合講演会予稿集, No.2, p.863, 6a-P10-16,
(北海道工業大学, September 04-08, 2007).
-
大毛利 健治,細井 卓治,渡部 平司,山田 啓作,知京 豊裕,
"C添加による金属ゲート材料の結晶構造制御とアモルファス化,"
2007年秋季 第68回応用物理学関係連合講演会予稿集, No.2, p.862, 6a-P10-13,
(北海道工業大学, September 04-08, 2007).
-
細井 卓治,大田 晃生,白石 博之,宮崎 誠一,芝原 健太郎,
"不純物添加Pd2Siフルシリサイドゲートの界面構造と仕事関数変調,"
2007年秋季 第68回応用物理学関係連合講演会予稿集, No.2, p.861, 6a-P10-12,
(北海道工業大学, September 04-08, 2007).
-
岡本 学,朽木 克博,有村 拓晃,原田 真,細井 卓治,志村 考功,渡部 平司,
"窒化アルミナを用いたHigh-k/Geゲートスタックの作製と評価,"
2007年秋季 第68回応用物理学関係連合講演会予稿集, No.2, p.825, 7p-ZM-6,
(北海道工業大学, September 04-08, 2007).
-
細井 卓治,朽木 克博,岡本 学,原田 真,吉越 章隆,寺岡 有殿,志村 考功,渡部 平司,
"放射光XPSによるGe3N4膜の化学結合状態及び熱脱離過程のその場観察,"
2007年秋季 第68回応用物理学関係連合講演会予稿集, No.2, p.824, 7p-ZM-3,
(北海道工業大学, September 04-08, 2007).
-
朽木 克博,岡本 学,細井 卓治,志村 考功,渡部 平司,
"高密度プラズマ窒化により形成したGe3N4膜の大気暴露に対する安定性の評価,"
2007年秋季 第68回応用物理学関係連合講演会予稿集, No.2, p.824, 7p-ZM-2,
(北海道工業大学, September 04-08, 2007).
-
喜多 祐起,吉田 慎一,細井 卓治,志村 考功,渡部 平司,白石 賢二,門島 勝,奈良 安雄,山田 啓作,
"Metal/High-kゲートスタックの界面形態が実効仕事関数に及ぼす影響,"
2007年秋季 第68回応用物理学関係連合講演会予稿集, No.2, p.815, 6p-ZM-3,
(北海道工業大学, September 04-08, 2007).
-
渡部 平司,堀江 伸哉,志村 考功,川原 孝昭,坂下 真介,西田 征男,由上 二郎,北野 尚武,南 卓士,小須田 求,
"真空一貫個相反応PVD成膜によるTiN/HfSiONpMISFETの特性改善,"
2007年秋季 第68回応用物理学関係連合講演会予稿集, No.2, p.814, 6a-ZM-10,
(北海道工業大学, September 04-08, 2007).
-
有村 拓晃,北野 尚武,内藤 裕一,南 卓士,小須田 求,細井 卓治,志村 考功,渡部 平司,
"HfTiSiO高誘電率ゲート絶縁膜におけるTi拡散が界面特性に及ぼす影響,"
2007年秋季 第68回応用物理学関係連合講演会予稿集, No.2, p.810, 5a-ZQ-8,
(北海道工業大学, September 04-08, 2007).
-
原田 真, 渡邊 優, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司,
"AION/SiO2/SiC積層構造によるSiC-MOS界面の電気特性改善,"
2007年秋季 第68回応用物理学関係連合講演会予稿集, No.1, p.427, 6p-ZN-11,
(北海道工業大学, September 04-08, 2007).
-
井上 智之,岡本 佑樹,志村 考功,渡部 平司,小椋 厚志,江戸 太樹,飯田 敏,
"広領域X線トポグラフィによる歪みSiウェーハの結晶性評価,"
2007年秋季 第68回応用物理学関係連合講演会予稿集, No.1, p.403, 4p-E-6,
(北海道工業大学, September 04-08, 2007).
-
門島 勝, 杉田 義博, 白石 賢二, 渡部 平司, 大田 晃生, 宮崎 誠一, 中島 清美, 知京 豊裕, 山田 啓作, 網中 敏夫, 黒澤 悦男, 松木 武雄, 青山 敬幸, 奈良 安雄, 大路 譲,
"Ru電極を用いたp-metal ピニング現象の改善策の検討,"
2007年秋季 第68回応用物理学関係連合講演会予稿集, No.0, p.52, 5p-ZQ-9,
(北海道工業大学, September 04-08, 2007).
-
渡部 平司, 喜多 祐起, 吉田 慎一, 細井 卓治, 志村 考功,
"金属/High-k界面物性のプロセス依存性の評価と理解,"
2007年秋季 第68回応用物理学関係連合講演会予稿集, No.0, p.48, 5p-ZQ-2,
(北海道工業大学, September 04-08, 2007).
-
井上 智之,玉木 隆幸,小関 泰之,伊東 一良,
"超短光パルスを用いた超精密接合技術の提案,"
精密工学会 2007年度関西地方定期学術講演会, A30,
(大阪産業大学, August 09-10, 2007).
-
有村 拓晃, 堀江 伸哉, 南 卓士,北野 尚武,小須田 求,細井 卓治,志村 考功,渡部 平司,
"真空一貫プロセスによるメタル電極/高誘電率絶縁膜ゲートスタックの不純物低減,"
精密工学会 2007年度関西地方定期学術講演会, A07,
(大阪産業大学, August 09-10, 2007).
-
門島 勝,杉田 義博,白石 賢二,渡部 平司,大田 晃生,宮崎 誠一,中島 清美,知京 豊裕,山田 啓作,網中 敏夫,黒澤 悦男,松木 武雄,青山 敬幸,奈良 安雄,大路 譲,
"メタルゲート/HfSiONゲート絶縁膜ゲートスタックにおけるピニング現象の改善策検討,"
第71回半導体集積回路技術シンポジウム講演論文集, 71, pp.15-18,
(東京農工大学, July 12-13, 2007).
-
朽木 克博, 岡本 学,細井 卓治,志村 考功,安武 潔,渡部 平司,
"ゲルマニウム窒化膜の形成と評価,"
電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会 (SDM), 信学技報, vol. 107, no. 85, SDM2007-51, pp. 97-100,
(広島大学, June 06-08, 2007).
-
細井 卓治,白石 博之,芝原 健太郎,
"B,F添加によるPd2Siフルシリサイドゲートの仕事関数変調,"
2007年春季 第54回応用物理学関係連合講演会予稿集, No.2, p.903, 29a-SM-9,
(青山学院大学, March 27-30, 2007).
-
細井 卓治,白石 博之,芝原 健太郎,
"B,F添加によるPd2Siフルシリサイドゲートの仕事関数変調,"
2007年春季 第54回応用物理学関係連合講演会予稿集, No.2, p.903, 29a-SM-9,
(青山学院大学, March 27-30, 2007).
-
福永 哲也,細井 卓治,芝原 健太郎,
"Xe+プレアモルファス化注入を用いたGeのn+/p接合形成,"
2007年春季 第54回応用物理学関係連合講演会予稿集, No.2, p.897, 28p-SM-11,
(青山学院大学, March 27-30, 2007).
-
渡邊 優,原田 真,志村 考功,安武 潔,渡部 平司,
"SiO2/SiC界面特性の酸化膜厚依存性とその改善法の検討,"
2007年春季 第54回応用物理学関係連合講演会予稿集, No.1, p.443, 29a-N-5,
(青山学院大学, March 27-30, 2007).
-
志村 考功,川村 浩太,浅川 正大,渡部 平司,安武 潔,小椋 厚志,福田 一徳,坂田 修身,木村 滋,
"放射光X線マイクロビームとトポグラフィによる歪みSiウェーハの評価,"
2007年春季 第54回応用物理学関係連合講演会予稿集, No.1, p.423, 27a-N-11,
(青山学院大学, March 27-30, 2007).
-
桐畑 豊,田原 直剛,大参 宏昌,垣内 弘章,渡部 平司,安武 潔,
"大気圧プラズマCVD法による高品質Siエピタキシャル膜の低温成長,"
2007年春季 第54回応用物理学関係連合講演会予稿集, No.2, p.905, 29a-SM-14,
(青山学院大学, March 27-30, 2007).
-
知京 豊裕,桜井 淳平,秦 誠一,松本 祐司,大毛利 健治,柳生 進二郎,吉武 道子,渡部 平司,山田 啓作,下河邉 明,
"次世代メタルゲート材料としてのアモルファス合金の探査,"
2007年春季 第54回応用物理学関係連合講演会予稿集, No.2, p.902, 29a-SM-6,
(青山学院大学, March 27-30, 2007).
-
朽木 克博,岡本 学,志村 考功,安武 潔,渡部 平司,
"プラズマ窒化によるゲルマニウム窒化膜の形成とその安定性評価,"
2007年春季 第54回応用物理学関係連合講演会予稿集, No.2, p.864, 30a-ZH-7,
(青山学院大学, March 27-30, 2007).
-
生駒 亨,福田 誠一,三浦 英生,遠藤 和彦,渡部 平司,江利口 浩二,寒川 誠二,
"中性粒子ビーム酸化を用いた低温プロセスでの低リーク電流極薄SiO2膜の形成 (2),"
2007年春季 第54回応用物理学関係連合講演会予稿集, No.2, p.855, 29a-ZH-12,
(青山学院大学, March 27-30, 2007).
-
喜多 祐起,吉田 慎一,志村 考功,安武 潔,渡部 平司,白石 賢二,大田 晃生,宮崎 誠一,奈良 安雄,山田 啓作,
"Hf系ゲート絶縁膜/電極界面の実効仕事関数変調機構の統一的理解,"
2007年春季 第54回応用物理学関係連合講演会予稿集, No.2, p.848, 28p-ZH-12,
(青山学院大学, March 27-30, 2007).
-
有村 拓晃,堀江 伸哉,南 卓士,北野 尚武,小須田 求,志村 考功,渡部 平司,
"構造最適化によるHfTiSiO高誘電率ゲート絶縁膜の高性能化,"
2007年春季 第54回応用物理学関係連合講演会予稿集, No.2, p.843, 28a-ZH-10,
(青山学院大学, March 27-30, 2007).
-
細井 卓治, 佐野 孝輔, 法澤 公成, 芝原 健太郎,
Pd2Siフルシリサイドゲート形成プロセスと仕事関数変調,"
応用物理学会 薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会アブストラクト集「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」(第12回研究会), pp.289-292,
(東レ総合研修センター, 静岡県三島市, February 02-03, 2007).
-
喜多 祐起, 吉田 慎一, 安藤 崇志, 田井 香織, 岩元 勇人, 志村 考功, 渡部 平司, 安武 潔,
次世代nMOSFET用HfSix/HfO2/Siゲートスタックの界面反応メカニズム,"
応用物理学会 薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会アブストラクト集「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」(第12回研究会), pp.283-287,
(東レ総合研修センター, 静岡県三島市, February 02-03, 2007).
-
志村 考功, 清水 教弘, 堀内 慎一郎, 渡部 平司, 安武 潔, 梅野 正隆,
TiN/HfSiONゲートスタック構造の実効仕事関数評価と制御指針,"
応用物理学会 薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会アブストラクト集「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」(第12回研究会), pp.143-147,
(東レ総合研修センター, 静岡県三島市, February 02-03, 2007).
-
大田 晃生, 宮崎 誠一, 赤坂 泰志, 渡部 平司, 白石 賢二, 山田 啓作, 犬宮 誠治, 奈良 安雄,
TiN/HfSiONゲートスタック構造の実効仕事関数評価と制御指針,"
応用物理学会 薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会アブストラクト集「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」(第12回研究会), pp.103-108,
(東レ総合研修センター, 静岡県三島市, February 02-03, 2007).
-
堀江 伸哉, 南 卓士, 北野 尚武, 小須田 求, 志村 考功, 白石 賢二, 渡部 平司,
真空一貫PVD成膜により作製したTiN/HfSiONゲートスタックの構造および電気特性評価,"
応用物理学会 薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会アブストラクト集「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」(第12回研究会), pp.55-59,
(東レ総合研修センター, 静岡県三島市, February 02-03, 2007).
-
安藤 崇志, 平野 智之, 田井 香織, 、山口 晋平, 加藤 孝義, 萩本 賢哉, 渡辺 浩二, 山本 亮, 神田 さおり, 長野 香, 寺内 佐苗, 館下 八州志, 田川 幸雄, 斉藤 正樹, 岩元 勇人, 吉田 慎一, 渡部 平司, 長島 直樹, 門村 新,
"HfSix電極からのSi拡散を利用した極薄 (EOT 〉1nm) HfO2ゲート絶縁膜の形成とハイパフォーマンスデバイスへの適用,"
応用物理学会 薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会アブストラクト集「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」(第12回研究会), pp.25-30,
(東レ総合研修センター, 静岡県三島市, February 02-03, 2007).
解説 / Reviews
- 渡部 平司, 志村 考功, 南 卓士, 北野 尚武, 小須田 求,
"低損傷スパッタ成膜装置を用いた真空一貫メタル電極/高誘電率絶縁膜ゲートスタック作製技術の提案,"
キヤノンアネルバ技報, Vol. 13, pp.5-11,
(March, 2007).
H. Wtanabe, T. Shimura, T. Minami, N. Kitano and M. Kosuda
"Novel In-situ Fabrication Method for High-quality metal/High-k Gate Stacks by Utilizing Low-damage Sputtering System,"
CANON ANELVA CORPORATION Technical Reports, Vol. 13, pp.5-11,
(March, 2007).
- 志村 考功,
"放射光X線回折による埋め込み酸化膜の構造解析,"
応用物理学会 薄膜・表面物理分科会 News Letter -界面を非破壊で見る先端分析技術-, No.129, pp.41-50,
(March, 2007).
新聞記事 / Newspaper Articles
- 細井 卓治, 渡部 平司,
"消費電力を1/10に -駆動能力が向上- ,"
日経産業新聞,
(December, 2007).
- 細井 卓治, 渡部 平司,
"ゲート金属の結晶性制御 -早大などが新技術- ,"
化学工業日報,
(December, 2007).
- 細井 卓治, 渡部 平司,
"電極組成変え電圧制御,"
日刊工業新聞,
(December, 2007).
- 細井 卓治, 渡部 平司,
"新CMOSしきい値制御技術 -32/22ナノ世代、ばらつき低減に効果-,"
電波新聞,
(December, 2007).
- 渡部 平司,
"しきい値電圧制御に成功(セリートなど) -45ナノ世代以降の次世代トランジスタ-,"
日刊工業新聞,
(June, 2007).
ページの先頭へ戻る