研究成果

研究業績受賞歴

年度：2020 | 2019 | 2018 | 2017 | 2016 | 2015 | 2014 | 2013 | 2012 | 2011 | 2010 | 2009 | 2008 | 2007 | 2006 | 2005 | 2004

2014年度研究成果

学術論文 / Journal Papers

  1. T. Hosoi, Y. Suzuki, T. Shimura, and H. Watanabe,
    "Mobility characterization of Ge-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with striped Ge channels fabricated by lateral liquid-phase epitaxy,"
    Appl. Phys. Lett., 105, (17) 173502 (2014).
  2. K. Arima, Y. Kawai, Y. Minoura, Y. Saito, D. Mori, H. Oka, K. Kawai, T. Hosoi, Z. Liu, H. Watanabe, and M. Morita,
    "Ambient-Pressure XPS Study of GeO2/Ge(100) and SiO2/Si(100) at Controlled Relative Humidity,"
    ECS Transactions, 64, (8) 77-82 (2014).
  3. H. Oka, Y. Minoura, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe,
    "Understanding and engineering of NiGe/Ge junction formed by phosphorous ion implantation after germanidation,"
    Appl. Phys. Lett., 105, (6) 062107 (2014).
  4. N. Morimoto, S. Fujino, K. Ohshima, J. Harada, T. Hosoi, H. Watanabe, and T. Shimura,
    "X-ray phase contrast imaging by compact Talbot–Lau interferometer with a single transmission grating,"
    Optics Letters, 39, (15) 4297-4300 (2014).
  5. Y. Minoura, H. Oka, T. Hosoi, J. Matsugaki, S. Kuroki, T. Shimura, and H. Watanabe,
    "Phosphorous ion implantation into NiGe layer for Ohmic contact formation on n-type Ge,"
    Jpn. J. Appl. Phys., 53, 04LD01 (2014).
  6. M. Fukuta, B. Zheng, M. Uenumab, N. Okamoto, Y. Uraoka, I. Yamashita, and H. Watanabe,
    "Controlled charged amino acids of Ti-binding peptide forsurfactant-free selective adsorption,"
    Colloids and Surfaces B: Biointerfaces, 118, 25-30 (2014).
  7. A. Chanthaphan, T. Hosoi, Y. Nakano, T. Nakamura, T. Shimura, and H. Watanabe,
    "Improved bias-temperature instability characteristics in SiC metal-oxide-semiconductor devices with aluminum oxynitride dielectrics,"
    Appl. Phys. Lett., 104, (12) 122105 (2014).
  8. T. Hosoi, Y. Uenishi, Y. Nakano, T. Nakamura, T. Shimura, and H. Watanabe,
    "Retarded Oxide Growth on 4H-SiC(0001) Substrates due to Sacrificial Oxidation,"
    Mater. Sci. Forum, 778-780, 562-565 (2014).
  9. A. Chanthaphan, T. Hosoi, Y. Nakano, T. Nakamura, T. Shimura, and H. Watanabe,
    "Degradation of SiO2/SiC Interface Properties due to Mobile Ions Intrinsically Generated by High-Temperature Hydrogen Annealing,"
    Mater. Sci. Forum, 778-780, 541-544 (2014).
  10. M. Matsue, Y. Yasutake, S. Fukatsu, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe,
    "Strain-induced direct band gap shrinkage in local Ge-on-insulator structures fabricated by lateral liquid-phase epitaxy,"
    Appl. Phys. Lett., 104, (3) 031106 (2014).
  11. D. Ikeguchi, T. Hosoi, Y. Nakano, T. Nakamura, T. Shimura, and H. Watanabe,
    "Insights into ultraviolet-induced electrical degradation of thermally grown SiO2/4H-SiC(0001) interface,"
    Appl. Phys. Lett., 104, (1) 012107 (2014).

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国際会議 / International Conferences

  1. K. Shiraishi, K. Chokawa, H. Shirakawa, K. Endo, M. Araidai, K. Kamiya, and H. Watanabe,
    "First Principles Study of SiC/SiO2 Interfaces towards Future Power Devices,"
    2014 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 21.3,
    (San Francisco, CA, USA, December 15-17, 2014).
  2. T. Hosoi, K. Kajimura, K. Tominaga, T. Shimura, and H. Watanabe,
    "Fabrication of GeSn-on-insulator Structure by Utilizing Lateral Liquid-Phase Epitaxy,"
    The 45th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC), 2.1,
    (San Diego, CA, USA, December 10-13, 2014).
  3. H. Oka, Y. Minoura, R. Asahara, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe,
    "Engineering of NiGe/Ge Junction by P Ion Implantation after Germanidation for Metal S/D Ge CMOS Technology,"
    The 45th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC), 1.4,
    (San Diego, CA, USA, December 10-13, 2014).
  4. K. Arima, Y. Kawai, Y. Minoura, Y. Saito, D. Mori, H. Oka, K. Kawai, T. Hosoi, Z. Liu, H. Watanabe, and M. Morita,
    "Ambient-Pressure XPS Study of GeO2/Ge(100) and SiO2/Si(100) at Controlled Relative Humidity,"
    Meet. Abstr. - The 2014 ECS and SMEQ (Sociedad Mexicana de Electroquímica) Joint International Meeting, #2093,
    (Cancun, Mexico, October 5-9, 2014).
  5. T. Hosoi, Y. Nanen, T. Kimoto, A. Yoshigoe, Y. Teraoka, T. Shimura, H. Watanabe,
    "Synchrotron radiation photoemission spectroscopy study of SiO2/4H-SiC(0001) interfaces with NO annealing,"
    10th European Conference on Silicon Carbide & Related Materials (ECSCRM-2014), WE-P-LN-10,
    (Grenoble, France, September 21-25, 2014).
  6. H. Xu, Q. Yang, X. Liu, Y. Zhao, C. Li, H. Watanabe,
    "Survey approach for improving interface quality of 4H-SiC MOS devices with high temperature oxidation process in mass produce furnace,"
    10th European Conference on Silicon Carbide & Related Materials (ECSCRM-2014), WE-P-52,
    (Grenoble, France, September 21-25, 2014).
  7. K. Endo, K. Chokawa, H. Shirakawa, M. Araidai, K. Kamiya, T. Hosoi, H. Watanabe, K. Shiraishi,
    "Theoretical studies of carbon related defect generation in SiO2/4H-SiC(0001) interface induced by oxidation,"
    10th European Conference on Silicon Carbide & Related Materials (ECSCRM-2014), MO-P-33,
    (Grenoble, France, September 21-25, 2014).
  8. N. Morimoto, S. Fujino, K. Ohshima, J. Harada, T. Hosoi, H. Watanabe, and T. Shimura,
    "X-ray Phase Contrast Imaging with a Single Grating Talbot-Lau Interferometer,"
    International Union of Materials Research Societies- The 15th IUMRS International Conference in Asia 2014（IUMRS-ICA 2014), D10-O28-008,
    (Fukuoka University, Fukuoka, Japan, August 24-30, 2014).
  9. H. Oka, Y. Minoura, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe,
    "Schottky Barrier Height Reduction of NiGe/Ge Junction by P Ion Implantation for Metal Source/Drain Ge CMOS Devices,"
    The 2014 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai, PA-01,
    (Ryukoku University Avanti Kyoto Hall, Kyoto, Japan, June 19-20, 2014).
  10. T. Hosoi, Y. Minoura, R. Asahara, H. Oka, T. Shimura, and H. Watanabe,
    "Sub-1-nm EOT Schottky Source/Drain Germanium CMOS Technology with Low-temperature Self-aligned NiGe/Ge Junctions,"
    2014 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW), 2-2,
    (Honolulu, HI, USA, June 08-09, 2014).
  11. A. Chanthaphan, Y. Nakano, T. Nakamura, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe,
    "Bias-temperature instability of SiC-MOS devices induced by unusual generation of mobile ions in thermal oxides,"
    International Workshop on Atomically Controlled Fabrication Technology, p.15,
    (Nakanoshima Center, Osaka University, Osaka, Japan, February 5-6, 2014).
  12. N. Morimoto, S. Fujino, K. Ohshima, J. Harada, T. Hosoi, H. Watanabe, and T. Shimura,
    "Development of Multiline Embedded X-ray Targets for Compact Talbot-Lau X-ray Interferometer,"
    International Workshop on Atomically Controlled Fabrication Technology, p.16,
    (Nakanoshima Center, Osaka University, Osaka, Japan, February 5-6, 2014).
  13. S. Fujino, N. Morimoto, K. Ohshima, J. Harada, T. Hosoi, H. Watanabe, and T. Shimura,
    "Design of compact Talbot-Lau interferometer with embedded X-ray targets disregarding Talbot distance,"
    International Workshop on X-ray and Neutron Phase Imaging with Gratings (XNPIG2014), p.19,
    (Garmisch-Partenkirchen, Bavaria, Germany, January 21-24, 2014).
  14. N. Morimoto, S. Fujino, K. Ohshima, J. Harada, T. Hosoi, H. Watanabe, and T. Shimura,
    "X-ray phase contrast imaging by compact Talbot-Lau interferometer without absorption grating,"
    International Workshop on X-ray and Neutron Phase Imaging with Gratings (XNPIG2014), p.82,
    (Garmisch-Partenkirchen, Bavaria, Germany, January 21-24, 2014).

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国内学会 / Domestic Conferences

  1. 永井 大介、福島 悠太、勝 義仁、細井 卓治、志村 考功、渡部 平司,
    "4H-SiC(0001)面の熱酸化における酸化種と酸化速度の関係,"
    先進パワー半導体分科会 第１回講演会予稿集, 01, (01) 134, P-49,
    (愛知県産業労働センター ウインクあいち, November 19-20, 2014).
  2. 福島 悠太、アラン フルカン、樋口 直樹、チャンタパン アタウット、細井 卓治、志村 考功、渡部 平司,
    "カソードルミネッセンス法による熱酸化SiO2/SiC界面欠陥の検出,"
    先進パワー半導体分科会 第１回講演会予稿集, 01, (01) 146, P-55,
    (愛知県産業労働センター ウインクあいち, November 19-20, 2014).
  3. 鄭 彦宏、Chanthaphan Atthawut、許 恒宇、楊 謙、劉 新宇、趙 艷黎、李 誠譫、細井 卓治、志村 考功、渡部 平司,
    "高温熱酸化による4H-SiC MOSキャパシタの電気特性改善,"
    先進パワー半導体分科会 第１回講演会予稿集, 01, (01) 158, P-61,
    (愛知県産業労働センター ウインクあいち, November 19-20, 2014).
  4. 白川 裕規，神谷 克政，渡部 平司，白石 賢二,
    "SiC-MOSデバイスにおけるプロトン拡散の理論的検討"
    日本物理学会2014年秋季大会, 10aAS-1,
    (佐賀大学, September 18-21, 2014).
  5. 永井 大介，細井 卓治，志村 考功，渡部 平司,
    "4H-SiC(0001)面のウェット酸化における水分子の役割"
    2014年秋季 第75回応用物理学関係連合講演会予稿集, 18p-A17-5,
    (北海道大学, September 17-20, 2014).
  6. 福島 悠太，Furkan Alan，樋口 直樹，Atthawut Chanthaphan，細井 卓治，志村 考功，渡部 平司,
    "カソードルミネッセンス法による熱酸化 SiO2 /SiC 構造の評価,"
    2014年秋季 第75回応用物理学関係連合講演会予稿集, 18p-A17-6,
    (北海道大学, September 17-20, 2014).
  7. 森本 直樹，藤野 翔，大嶋 建一，原田 仁平，細井 卓治，渡部 平司，志村 考功,
    "「講演奨励賞受賞記念講演」マルチライン状埋め込みターゲットを用いた自己像直接検出型X線Talbot-Lau干渉計の開発,"
    2014年秋季 第75回応用物理学関係連合講演会予稿集, 19p-A13-1,
    (北海道大学, September 17-20, 2014).
  8. 森本 直樹，藤野 翔，伊藤 康浩，山崎 周，細井 卓治，渡部 平司，志村 考功,
    "埋め込みX線ターゲットを用いたマイクロ光源アレイの作製と2次元X線位相イメージングへの展開,"
    2014年秋季 第75回応用物理学関係連合講演会予稿集, 19p-A13-2,
    (北海道大学, September 17-20, 2014).
  9. 伊藤 康浩，森本 直樹，山崎 周，細井 卓治，渡部 平司，志村 考功,
    "高エネルギーX線位相イメージングに向けた、タングステン埋め込みターゲットによる小型Talbot-Lau干渉計の検討,"
    2014年秋季 第75回応用物理学関係連合講演会予稿集, 19p-A13-3,
    (北海道大学, September 17-20, 2014).
  10. 山崎 周，森本 直樹，伊藤 康浩，細井 卓治，渡部 平司，志村 考功,
    "電気めっきによるマルチラインAu埋め込みX線源の作製と評価,"
    2014年秋季 第75回応用物理学関係連合講演会予稿集, 19p-A13-4,
    (北海道大学, September 17-20, 2014).
  11. 冨永 幸平，梶村 恵子，天本 隆史，細井 卓治，志村 考功，渡部 平司,
    "横方向液相成長法で作製したSi基板上GeSn細線の初期結晶方位とその安定性,"
    2014年秋季 第75回応用物理学関係連合講演会予稿集, 19p-A16-14,
    (北海道大学, September 17-20, 2014).
  12. 梶村 恵子，細井 卓治，志村 考功，渡部 平司,
    "横方向液相エピタキシャル成長法により形成したGeSn-on-insulator層の電気特性評価,"
    2014年秋季 第75回応用物理学関係連合講演会予稿集, 19p-A16-15,
    (北海道大学, September 17-20, 2014).
  13. 高橋 由美子，平野 馨一，吉村 順一，長町 信治，古室 昌徳，志村 考巧,
    "X線侵入長を制御した斜入射トポグラフィーによるAlイオン注入SiC基板の歪状態の観察,"
    2014年秋季 第75回応用物理学関係連合講演会予稿集, 19p-PB7-5,
    (北海道大学, September 17-20, 2014).
  14. 淺原 亮平, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司,
    "極薄EOT high-k/Geゲートスタックの熱安定性及び界面特性改善に向けたプロセス設計,"
    電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス(SDM)研究会, 信学技報 114, (88) 1-5 (2014),
    (名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー, June 19, 2014).
  15. 梶村 恵子，松江 将博，細井 卓治，志村 考功，渡部 平司,
    "横方向液相エピタキシャル成長法によりY2O3層上に形成した局所GOI層の電気特性評価,"
    2014年春季 第61回応用物理学関係連合講演会予稿集, 18a-F6-9,
    (青山学院大学, March 17-20, 2014).
  16. 梶村 恵子，松江 将博，細井 卓治，志村 考功，渡部 平司,
    "横方向液相成長法により作製したn型Ge-on-insulator層の直接遷移発光の増強,"
    2014年春季 第61回応用物理学関係連合講演会予稿集, 18a-F6-10,
    (青山学院大学, March 17-20, 2014).
  17. 冨永 幸平，松江 将博，細井 卓治，志村 考功，渡部 平司,
    "横方向液相成長法で作製した局所GeSn-on-insulator層の優先結晶方位,"
    2014年春季 第61回応用物理学関係連合講演会予稿集, 18a-F6-11,
    (青山学院大学, March 17-20, 2014).
  18. 冨永 幸平，松江 将博，細井 卓治，志村 考功，渡部 平司,
    "横方向液相成長によって作製したGeSn-on-insulator構造のバンドギャップ変調評価,"
    2014年春季 第61回応用物理学関係連合講演会予稿集, 18a-F6-12,
    (青山学院大学, March 17-20, 2014).
  19. 田中 亮平，秀島 伊織，箕浦 佑也，吉越 章隆，寺岡 有殿，細井 卓治， 志村 考功，渡部 平司,
    "「講演奨励賞受賞記念講演」High-k/Geゲートスタック界面特性向上に向けたゲート電極形成後熱処理条件の検討,"
    2014年春季 第61回応用物理学関係連合講演会予稿集, 18p-D8-1,
    (青山学院大学, March 17-20, 2014).
  20. 森本 直樹，藤野 翔，大嶋 建一，原田 仁平，細井 卓治，渡部 平司，志村 考功,
    "マルチライン状Mo埋め込みターゲットによる位相格子の自己像直接検出とX線位相イメージング,"
    2014年春季 第61回応用物理学関係連合講演会予稿集, 18p-F1-7,
    (青山学院大学, March 17-20, 2014).
  21. 藤野 翔，森本 直樹，大嶋 建一，原田 仁平，細井 卓治，渡部 平司，志村 考功,
    "埋め込みX線源を用いた2波長2次元位相イメージング,"
    2014年春季 第61回応用物理学関係連合講演会予稿集, 18p-F1-8,
    (青山学院大学, March 17-20, 2014).
  22. 有馬 健太，河合 佳枝，箕浦 佑也，齋藤 雄介，森 大地，川合 健太郎，細井 卓治，渡部 平司，森田 瑞穂，Zhi Liu,
    "in situ XPSを用いた湿度制御時のGeO2/GeとSiO2/Siの濡れ性比較,"
    2014年春季 第61回応用物理学関係連合講演会予稿集, 19a-D9-5,
    (青山学院大学, March 17-20, 2014).
  23. 小川 慎吾，川崎 直彦，木村 耕輔，田中 亮平，箕浦 佑也，細井 卓治，志村 考功，渡部 平司,
    "極薄AlOx層挿入によるHigh-k/Ge界面反応制御機構の解析,"
    2014年春季 第61回応用物理学関係連合講演会予稿集, 19p-PG2-7,
    (青山学院大学, March 17-20, 2014).
  24. 岡 博史，箕浦 佑也，細井 卓治，志村 考功，渡部 平司,
    "NiGe/Ge接合特性における注入P原子の役割,"
    2014年春季 第61回応用物理学関係連合講演会予稿集, 20p-E14-2,
    (青山学院大学, March 17-20, 2014).
  25. 田中 亮平, 秀島 伊織, 箕浦 佑也, 吉越 章隆, 寺岡 有殿, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司,
    "極限EOT実現に向けた極薄AlOx層によるHigh-k/Ge ゲートスタック界面制御,"
    応用物理学会　薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会アブストラクト集「ゲートスタック研究会　―材料・プロセス・評価の物理―」(第１９回研究会), pp. 5-8,
    (ニューウェルシティ湯河原, 静岡県熱海市, January 23-25, 2014).
  26. 有馬 健太, 河合佳枝, 箕浦 佑也, 齋藤 雄介, 森 大地, 川合 健太郎, 細井 卓治, 森田 瑞穂, 渡部 平司, Zhi Liu,
    "湿度制御条件下でのin-situ XPSを用いたGeO2/GeとSiO2/Siの吸湿性比較,"
    応用物理学会　薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会アブストラクト集「ゲートスタック研究会　―材料・プロセス・評価の物理―」(第１９回研究会), pp. 25-28,
    (ニューウェルシティ湯河原, 静岡県熱海市, January 23-25, 2014).
  27. 岡 博史, 箕浦 佑也, 細井 卓治, 松垣 仁, 黒木 伸一郎, 志村 考功, 渡部 平司,
    "NiGe/Ge接合へのP添加によるn型Ge基板上オーミックコンタクトの形成,"
    応用物理学会　薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会アブストラクト集「ゲートスタック研究会　―材料・プロセス・評価の物理―」(第１９回研究会), pp. 41-44,
    (ニューウェルシティ湯河原, 静岡県熱海市, January 23-25, 2014).
  28. 梶村 恵子, 松江 将博, 安武 裕輔, 深津 晋, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司,
    "横方向液相エピタキシャル成長によって作製したGeワイヤのフォトルミネッセンス測定によるバンドギャップ変調評価,"
    応用物理学会　薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会アブストラクト集「ゲートスタック研究会　―材料・プロセス・評価の物理―」(第１９回研究会), pp. 49-52,
    (ニューウェルシティ湯河原, 静岡県熱海市, January 23-25, 2014).

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解説 / Reviews

　　　

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