人類は、資源・エネルギー、食料と人口、気候変動・自然災害、都市化と貧困などの地球規模の課題に直面しています。それらを乗り越えて持続可能な社会を築くためには、人と人の絆、そして人と自然との共生を大切し、問題解決に希望をつなぐテクノロジーの発展が求められています。
サステナブル社会の実現と価値ある未来のために、私たちは材料そのものの設計から、異種材料の組み合わせや新構造の採用によって、革新的な機能を発現するデバイスの創製を目指し、幅広い見地から次世代のグリーンナノエレクトロニクスを支える研究開発を進めています。

News & Topics

2018年3月26日 お知らせ当研究室では一緒に研究に取り組んでくれる学生さんを募集しており、毎年のように他大学・高専専攻科からの進学者を受け入れています。専攻やコース名に生命とついてはいますが、研究内容は完全に物理系(電子材料・デバイスなど)です。入試は推薦(7月4日 小論文・口頭試問)と一般(8月21日 数学・物理,8月23日 口頭試問)があり、いずれの場合も英語能力証明書(TOEIC, TOEFL, IELTS公式スコア)が必要です。なお、推薦入試は外部受験者のみが対象です。研究室見学等は随時対応しておりますので、直接連絡いただく(contact[at]asf.mls.eng.osaka-u.ac.jp [at]を@(半角)に置き換えてください)か、5月2日(水)開催の大学院進学説明会から申し込んでください。
2018年5月18日 更新2018年度 研究成果を更新しました。
2018年5月14日 更新研究室メンバーページおよび2018年度 研究成果を更新しました。
2018年4月11日 更新研究室メンバーページを更新しました。
2018年3月22日 お知らせ3月17日~20日に早稲田大学で開催された第65回応用物理学会春季学術講演会にて、当研究室より下記7件の口頭講演を行いました。みなさん、お疲れ様でした。
・山田先生:SiO2/GaN MOSデバイスの信頼性向上に向けた界面酸化層の制御
・Kidist先生:XPS study of nitrogen profiles at SiO2/4H-SiC(0001) interfaces with NO annealing
・野崎さん(技術職員):放射光光電子分光法によるGaN上GaOx層の熱脱離過程の評価
・岡君(D3):レーザー溶融結晶化による石英基板上引張歪み単結晶GeSnアレイの作製
・岡君(D3):裏面照射型石英基板上GeSnフォトダイオードの近赤外受光特性評価
・渡邉君(M2):リセスゲートAlGaN/GaN MOS-HFETへのAlONゲート絶縁膜の導入
・武田君(M1):SiCジャンクションレスMOSFETによるAl原子がチャネル移動度に与える影響の検証
2018年3月12日 お知らせ岡くん(D3)が、3月9日にNHK放送技術研究所にて行われた映像情報メディア学会情報センシング研究会にて、下記の題目で研究発表を行いました。お疲れさまでした。
"裏面照射型近赤外イメージセンサーに向けた石英基板上単結晶GeSnフォトダイオードアレイの開発"
2018年3月12日 お知らせ渡部教授が、3月7日に名古屋にて行われた国際会議ISPlasma2018にて、下記の題目で招待講演を行いました。お疲れさまでした。
"Gate Stack Technology for Advanced GaN-based MOS Devices"
2018年3月7日 お知らせ岡くん(D3)が、1月下旬から1カ月間、ベルギーの国際研究機関であるimecへインターンシップに行ってきました。極寒の日本を脱出し、休日はグルメなどベルギー生活を満喫されたようです。詳細は後程研究室ブログにUPされますので、そちらをご覧ください。
2018年2月27日 お知らせ2月22日~23日に開催されました物質生命コース平成29年度修士論文発表会において、細野凌君(M2)が「優秀賞」を受賞しました。おめでとうございます。
2018年2月2日 お知らせ当研究室の岡くん(D3)が、昨年に引き続き、第16回IEEE EDS Japan Chapter Student Awardを受賞しました。現在海外インターンシップ中で、IEEE EDS Japan Chapter総会にて行われた授賞式に参加できなかったのは少々残念ですが、大変喜ばしいことです。おめでとうございます。
2018年1月29日 お知らせ1月29日に龍谷大学大阪梅田キャンパス にて開催された第17回「関西コロキアム電子デバイスワークショップ」に細井助教が参加し、下記の講演を行いました。お疲れ様でした。
"High-mobility TFT and enhanced luminescence utilizing nucleation-controlled GeSn growth on transparent substrate for monolithic optoelectronic integration"
H. Oka, M. Koyama, T. Tomita, T. Amamoto, K. Tominaga, S. Tanaka, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe
2018年1月25日 お知らせ当研究室では一緒に研究に取り組んでくれる学生さんを募集しており、毎年のように他大学・高専専攻科からの進学者を受け入れています。専攻やコース名に生命とついてはいますが、研究内容は完全に物理系(電子材料・デバイスなど)です。研究室見学等は随時対応しておりますので、直接連絡いただく(contact[at]asf.mls.eng.osaka-u.ac.jp [at]を@(半角)に置き換えてください)か、3月2日(金)開催の大学院進学説明会から申し込んでください。
2018年1月22日 お知らせ1月18日~20日に静岡県三島市にて開催された電子デバイス界面テクノロジー研究会(第23回研究会)に、渡部教授、志村准教授、細井助教、冨田君(M2)が参加しました。当研究室からは以下の研究発表を行いました。みなさん、お疲れ様でした。
・細井助教:石英基板上単結晶GeSn層形成と光電子デバイス応用
・冨田君(M2):横方向液相エピタキシャル成長により作製した引張歪み高濃度n型Ge細線の低温発光特性と共振器の形成
・施 泓安さん(パナソニック/共同研究):Si基板上MIS型GaNパワーデバイスの開発(招待講演)
2018年1月4日 ご挨拶みなさま、新年明けましておめでとうございます。新しい年が、みなさまにとって実り多き年となりますように。 本年も渡部研究室をどうぞよろしくお願い申し上げます。

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