研究成果
研究業績受賞歴
年度:2020 | 2019 | 2018 | 2017 | 2016 | 2015 | 2014 | 2013 | 2012 | 2011 | 2010 | 2009 | 2008 | 2007 | 2006 | 2005 | 2004
2005年度研究成果
学術論文 / Journal Papers
- Y. Naitou, A. Ando, H. Ogiso, S. Kamiyama, Y. Nara, K. Nakamura, H. Watanabe, and K. Yasutake,
"Spatial fluctuation of dielectric properties in Hf-based high-k gate films studied by scanning capacitance microscopy,"
Appl. Phys. Lett., 87, (25) 252908 (2005).
- H. Watanabe, S. Kamiyama, N. Umezawa, K. Shiraishi, S. Yoshida, Y. Watanabe, T. Arikado, T. Chikyow, K. Yamada, and K. Yasutake,
"Role of Nitrogen Incorporation into Hf-based High-k Gate Dielectrics for Termination of Local Current Leakage Paths,"
Jpn. J. Appl. Phys., 50, 010106 (2005).
- K. Tatsumura, T. Shimura, E. Mishima, K. Kawamura, D. Yamasaki, H. Yamamoto, T. Watanabe, M. Umeno, and I. Ohdomari,
"Reaction and diffusion of atomic and molecular oxygen in the SiO2 network,"
Phys. Rev. B, 72, (4) 045205 (2005).
- T. Shimura, K. Fukuda, K. Yasutake, T. Hosoi, and M. Umeno,
"Comparison of ordered structure in buried oxide layers in high-dose, low-dose, and internal-thermal-oxidation separation-by-implanted-oxygen wafers,"
Thin Solid Films, 476, (1) 125-129 (2005).
- T. Shimura, K. Yasutake, M. Umeno, and M. Nagase,
"X-ray diffraction measurements of internal strain in Si nanowires fabricated using a self-limiting oxidation process,"
Appl. Phys. Lett., 86, (7) 071903 (2005).
- M. Saitoh, M. Terai, N. Ikarashi, H. Watanabe, S. Fujieda, T. Iwamoto, T. Ogura, A. Morioka, K. Watanabe, T. Tatsumi, and H. Watanabe,
"1.2nm HfSiON/SiON Stacked Gate Insulators for 65-nm-Node MISFETs,"
Jpn. J. Appl. Phys., 44, (4B) 2330-2335 (2005).
- N. Umezawa, K. Shiraishi, T. Ohno, H. Watanabe, T. Chikyow, K. Torii, K. Yamabe, K. Yamada, H. Kitajima, and T. Arikado,
"First-principles studies of the intrinsic effect of nitrogen atoms on reduction in gate leakage current through Hf-based high-k dielectrics,"
Appl. Phys. Lett., 86, (14) 143507 (2005).
- K. Manabe, K. Takahashi, T. Ikarashi, A. Morioka, H. Watanabe, T. Yoshihara, and T. Tatsumi,
"Fully Silicided NiSi Gate Electrodes on HfSiON Gate Dielectrics for Low-Power Applications,"
Jpn. J. Appl. Phys., 44, (4B) 2205–2209 (2005).
- K. Takahashi, K. Manabe, A. Morioka, T. Ikarashi, T. Yoshihara, H. Watanabe, and T. Tatsumi,
"High-Mobility Dual Metal Gate MOS Transistors with High-k Gate Dielectrics,"
Jpn. J. Appl. Phys., 44, (4B) 2210-2213 (2005).
- H. Komoda, M. Yoshida, Y. Yamamoto, K. Iwasaki, H. Watanabe, and K. Yasutake,
"Charge Neutralization Using Focused 500 eV Electron Beam in Focused Ion Beam System,"
Jpn. J. Appl. Phys., 44, (17) L 515–L 517 (2005).
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国際会議/ International Conferences
- K. Shiraishi, Y. Akasaka, S. Miyazaki, T. Nakayama, T. Nakaoka, G. Nakamura, K. Torii, H. Furutou, A. Ohta, P. Ahmet, K. Ohmori, H. Watanabe, T. Chikyow, M. L. Green, Y. Nara, K. Yamada,
"Universal Theory of Workfunctions at Metal/Hf-Based High-k Dielectrics Interfaces — Guiding Principles for Gate Metal Selection,"
2005 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 2.5,
(Washington, DC, USA, December 5-7, 2005).
- K. Ohmori, P. Ahmet, D. Kukuruznyak, T. Nagata, K. Nakajima, K. Shiraishi, K. Yamabe, H. Watanabe, K. Yamada, G. Richter, T. Wagner, K. Chang, M. Green, and T. Chikyow,
"Influence of continuous work function variation on electric properties by combinatorial materials deposition method,,"
The 36rd IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC), P-2,
(Arlington, VA, USA, December 1-3, 2005).
- H. Watanabe, S. Yoshida, Y. Watanabe, E. Mishima, K. Kawamura, Y. Kita, T. Shimura, K. Yasutake, Y. Akasaka, Y. Nara, K. Shiraishi, and K. Yamada,
"Effects of intrinsic and extrinsic reactions at metal/high-k interfaces on electrical properties of gate stacks,"
The 36rd IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC), 3.2,
(Arlington, VA, USA, December 1-3, 2005).
- Y. Naitou, A. Ando, H. Ogiso, S. Kamiyama, Y. Nara, K. Nakamura, H. Watanabe, and K. Yasutake,
"Mapping of the local dielectric properties of Hf-based high-k fifi lms by scanning capacitance microscopy,"
International Symposium on. Surface Science and Nanotechnology (ISSS-4), P1-92,
(Omiya, Saitama Japan, November 14-17, 2005).
- ,T. Shimura, E. Mishima, H. Watanabe, K. Yasutake, M. Umeno, K. Tatsumura, T. Watanabe, I. Ohdomari, K. Yamada, S. Kamiyama, Y. Akasaka, Y. Nara, and K. Nakamura
"Ordered Structure in the Thermal Oxide Layer on Silicon Substrates,"
Invited
Meet. Abstr. - 208th ECS Meeting, #727,
(Los Angeles, CA, USA, October 16-21, 2005).
- N. Umezawa, K. Shiraishi, K. Torii, M. Boero, T. Chikyow, H. Watanabe, K. Yamabe, T. Ohno, K. Yamada, and Y. Nara,
"The Role of Nitrogen Incorporation in Hf-based High-k Dielectrics: Reduction in Electron Charge Traps,"
The 35th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC), pp.201-204,
(Grenoble, France, September 12-16, 2005).
- H. Watanabe, S. Yoshida, Y. Watanabe, T. Shimura, K. Yasutake, Y. Akasaka, Y. Nara, K. Nakamura, and K. Yamada,
"Thermal Degradationof HfSiON Dielectrics Caused by TiN Gate Electrodes and Its Impact on Electrical Properties,"
2005 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), pp.244-245,
(International Conference Center Kobe, Koe, Japan, September 12-15, 2005).
- T. Wakamiya, H. Ohmi, H. Kakiuchi, H. Watanabe, K. Yasutake, K. Yoshii, and Y. Mori,
"High-Rate Growth of Defect-Free Epitaxial Si at Low Temperatures by Atmospheric Pressure Plasma CVD,"
2005 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), pp.756-757,
(International Conference Center Kobe, Koe, Japan, September 12-15, 2005).
- K. Shiraishi, T. Nakayama, S. Miyazaki, K. Torii, Y. Akasaka, H. Watanabe, T. Chikow, K. Yamada, and Y. Nara,
"Negative-U Behavior in the Complex of an O Vacancy and a Metal Impurity in High-k Dielectrics HfO2,"
The 23rd International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-23), ThP.3,
(Awaji Island, Hyogo, Japan, July 24-29, 2005).
- N. Umezawa, K. Shiraishi, T. Ohno, M. Boero, H. Watanabe, T. Chikyow, K. Torii, K. Yamabe, K. Yamada, and Y. Nara,
"Unique Behavior of F-Centers in High-k Hf-based Oxides,"
The 23rd International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-23), ThP.12,
(Awaji Island, Hyogo, Japan, July 24-29, 2005).
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国内学会 / Domestic Conferences
- 渡部 平司,
"次世代MOSFETゲート絶縁膜のナノスケール評価と新プロセス提案,"
第9回関西半導体解析技術研究会,
(November, 2005).
- 安武 潔,垣内 弘章,大参 宏昌,渡部 平司,
"シリコン系薄膜の大気圧プラズマCVDおよびエピタキシャル成長,"
薄膜材料デバイス研究会第2回研究集会, p.36,
(龍谷大学, November 4-5, 2005).
- 三島 永嗣,川村 浩太,志村 考功,渡部 平司,安武 潔,神山 聡,赤坂 泰志,奈良 安雄,中村 邦雄,山田 啓作,
"熱処理に伴うHfSiOx/SiO2/Si構造の界面酸化反応のX線CTR散乱測定,"
2005年度精密工学会秋季大会 学術講演会講演論文集, pp.819-820,
(京都大学, September 15-17, 2005).
- 喜多 祐起,吉田 慎一,渡辺 康匡,志村 考功,渡部 平司,安武 潔,赤坂 泰志,奈良 安雄,中村 邦雄,山田 啓作,
"高誘電率ゲート絶縁膜とメタルゲートの電極との界面反応の評価,"
2005年度精密工学会秋季大会 学術講演会講演論文集, pp.817-818,
(京都大学, September 15-17, 2005).
- 田原 直剛,若宮 拓也,大参 宏昌,垣内 弘章,渡部 平司,安武 潔,芳井 熊安,森 勇藏,
"大気圧プラズマCVDによるエピタキシャルSi薄膜の形成に関する研究,"
2005年度精密工学会秋季大会 学術講演会講演論文集, pp.797-798,
(京都大学, September 15-17, 2005).
- 大塚 崇,上殿 明良,渡部 平司,赤坂 泰志,奈良 安雄,中村 邦雄,白石 憲二,山部 紀久夫,松村 誠,大平 俊行,鈴木 良一,知京 豊裕,山田 啓作,
"低速陽電子ビームによるTiN/HfSiONゲートスタックの評価,"
2005年秋季 第66回応用物理学関係連合講演会予稿集, 10a-S-4,
(徳島大学, September 7-11, 2005).
- 丹下 智之,辰村 光介,志村 考功,梅野 正隆,大泊 巌,
"原子状酸素とSiO2ネットワークとの相互作用,"
2005年秋季 第66回応用物理学関係連合講演会予稿集, 8a-ZK-8,
(徳島大学, September 7-11, 2005).
- 清水 教弘,堀内 慎一郎,志村 考功,渡部 平司,安武 潔,
"酸化濃縮法におけるSiGeの酸化機構,"
2005年秋季 第66回応用物理学関係連合講演会予稿集, 10p-A-9,
(徳島大学, September 7-11, 2005).
- 岡田 茂業,中村 亮太,大参 宏昌,垣内 弘章,渡部 平司,安武 潔 ,
"大気圧水素プラズマを用いたSiC表面処理,"
2005年秋季 第66回応用物理学関係連合講演会予稿集, 8p-ZB-6,
(徳島大学, September 7-11, 2005).
- 川村 浩太,三島 永嗣,志村 考功,渡部 平司,安武 潔,神山 聡,赤坂 泰志,奈良 安雄,中村 邦雄,山田 啓作,
"X線反射率測定によるTiN/HfSiON界面の熱安定性評価,"
2005年秋季 第66回応用物理学関係連合講演会予稿集, 10p-ZK-9,
(徳島大学, September 7-11, 2005).
- 内藤 裕一,安藤 敦,小木曽 久人,神山 聡,奈良 安雄,中村 邦雄,渡部 平司,安武 潔,
"走査型容量顕微鏡によるHigh-k膜誘電率の面内分布評価,"
2005年秋季 第66回応用物理学関係連合講演会予稿集, 10a-ZK-10,
(徳島大学, September 7-11, 2005).
- 渡辺 康匡,吉田 慎一,喜多 祐起,志村 考功,渡部 平司,安武 潔,赤坂 泰志,奈良 安雄,中村 邦雄, 山田 啓作,
"メタル電極形成条件がTiN/HfSiON界面反応と電気特性に及ぼす影響,"
2005年秋季 第66回応用物理学関係連合講演会予稿集, 10p-ZK-10,
(徳島大学, September 7-11, 2005).
- 辰村 光介,志村 考功,三島 永嗣,川村 浩太,山崎 大輔,山本 英明,渡邉 孝信,梅野 正隆,大泊 巌,
"SiO2ネットワーク中における原子状酸素と分子状酸素の反応と拡散,"
2005年春季 第52回応用物理学関係連合講演会予稿集, 29a-ZB-7,
(埼玉大学, March 29 - April 1, 2005).
- 若宮 拓也,山本 憲,田原 直剛,大参 宏昌,垣内 弘章,渡部 平司,安武 潔,芳井 熊安,森 勇藏,
"大気圧プラズマCVD法によるエピタキシャルSiの低温かつ高速成長,"
2005年春季 第52回応用物理学関係連合講演会予稿集, 1a-YE-2,
(埼玉大学, March 29 - April 1, 2005).
- 小山 晋,中嶋 大貴,南 綱介,大参 宏昌,渡部 平司,安武 潔,
"Ge微結晶核を用いた大粒径多結晶Si薄膜作製のための基板表面制御,"
2005年春季 第52回応用物理学関係連合講演会予稿集, 30a-R-1,
(埼玉大学, March 29 - April 1, 2005).
- 渡辺 康匡,吉田 慎一,志村 考功,渡部 平司,安武 潔,神山 聡,有門 経敏,白石 賢二,梅澤 直人,知京 豊裕,山田 啓作,
"Hf-Silicate膜の局所絶縁劣化現象のC-AFM観察 -窒化による信頼性向上機構の検討-,"
2005年春季 第52回応用物理学関係連合講演会予稿集, 31a-ZB-6,
(埼玉大学, March 29 - April 1, 2005).
- 吉田 慎一,渡辺 康匡,志村 考功,渡部 平司,安武 潔,赤坂 泰志,奈良 安雄,中村 邦雄,山田 啓作,
"TiN/HfSiON界面反応がHigh-k膜の結晶化温度と電気特性に及ぼす影響,"
2005年春季 第52回応用物理学関係連合講演会予稿集, 30p-ZB-17,
(埼玉大学, March 29 - April 1, 2005).
- 三島 永嗣,川村 浩太,志村 考功,渡部 平司,安武 潔,神山 聡,赤坂 泰志,奈良 安雄,中村 邦雄,山田 啓作,
"X線CTR散乱によるHfSiOx/SiO2/Si構造の界面残留秩序の測定,"
2005年春季 第52回応用物理学関係連合講演会予稿集, 30p-ZB-14,
(埼玉大学, March 29 - April 1, 2005).
- 梅澤 直人,白石 賢二,大野 隆央,渡部 平司,知京 豊裕,鳥居 和功,山部 紀久夫,山田 啓作,北島 洋,有門 経敏,
"Hf系High-kゲート絶縁膜におけるN原子の本質的な効果:第一原理計算による検討,"
2005年春季 第52回応用物理学関係連合講演会予稿集, 30p-ZB-11,
(埼玉大学, March 29 - April 1, 2005).
- 南 綱介, 小山 晋, 中嶋 大貴, 大参 宏昌, 渡部 平司, 安武 潔, 芳井 熊安, 森 勇藏,
"大粒径多結晶Si薄膜作製のためのGe微結晶核を利用した基板表面制御,"
2005年度精密工学会春季大会 学術講演会講演論文集, F74,
(慶應義塾大学, March 16-18, 2005).
- 中嶋 大貴, 小山 晋, 南 綱介, 大参 宏昌, 渡部 平司, 安武 潔, 芳井 熊安, 森 勇藏,
"Ge 微結晶核付SiO2基板を用いたSi薄膜成長に関する研究,"
2005年度精密工学会春季大会 学術講演会講演論文集, F75,
(慶應義塾大学, March 16-18, 2005).
- 辰村 光介, 志村 考功, 三島 永嗣, 川村 浩太, 山崎 大輔, 山本 英明, 渡邉 孝信, 梅野 正隆, 大泊 巌,
"SiO2ネットワーク中の原子状酸素と分子状酸素の反応と拡散,"
応用物理学会 薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会アブストラクト集「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」(第10回研究会), pp. 41-44,
(東レ総合研修センター, 静岡県三島市, January 27-28, 2005).
- 梅澤 直人, 白石 賢二, 大野 隆央, 渡部 平司, 知京 豊裕, 鳥居 和功, 山部 紀久夫, 山田 啓作, 北島 洋, 有門 経敏,
"Hfを基礎としたHigh-kゲート絶縁膜のリーク電流を減少させるN原子の本質的な効果:酸素原子空孔に起因するリークパスを遮断するN原子の役割,"
応用物理学会 薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会アブストラクト集「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」(第10回研究会), pp. 115-119,
(東レ総合研修センター, 静岡県三島市, January 27-28, 2005).
- 高橋 健介, 間部 謙三, 森岡 あゆ香, 五十嵐 多恵子, 吉原 拓也, 渡部 平司, 辰巳 徹,
"デュアルメタル電極/HfSiOゲート絶縁膜MOSトランジスタの作製と電気特性の評価,"
応用物理学会 薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会アブストラクト集「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」(第10回研究会), pp. 221-225,
(東レ総合研修センター, 静岡県三島市, January 27-28, 2005).
- 間部 謙三, 高橋 健介, 五十嵐 多恵子, 森岡 あゆ香, 渡部 平司, 吉原 拓也, 辰巳 徹,
"ニッケルフルシリサイド電極のHfSiONゲート絶縁膜への適用,"
応用物理学会 薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会アブストラクト集「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」(第10回研究会), pp. 231-236,
(東レ総合研修センター, 静岡県三島市, January 27-28, 2005).
- 吉田 慎一, 渡部 平司, 安武 潔, Ahmet Parhat, 知京 豊裕, 山田 啓作,
"コンビナトリアル成膜Pt-Wメタルゲート電極の仕事関数マッピング,"
応用物理学会 薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会アブストラクト集「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」(第10回研究会), pp. 271-274,
(東レ総合研修センター, 静岡県三島市, January 27-28, 2005).
- 渡辺 康匡, 志村 孝功, 渡部 平司, 安武 潔, 神山 聡, 有門 経敏, 白石 賢二, 梅澤 直人, 山田 啓作,
"HfSiON膜中の局所絶縁劣化箇所のC-AFM観測 -窒化による信頼性向上メカニズムの検討-,"
応用物理学会 薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会アブストラクト集「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」(第10回研究会), pp. 327-331,
(東レ総合研修センター, 静岡県三島市, January 27-28, 2005).
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