年度別 News & Topics 一覧

年度：

2019年度

2019年12月17日 お知らせ12月12日～14日にサンディエゴで開催されたSISC 2019に渡部教授、細井助教、和田さん(M2)が参加し、当研究室からは下記の研究発表を行いました。参加されたみなさまお疲れさまでした。
・細井助教：High-temperature CO2 Process for Improvement of SiC MOS Characteristics
・寺尾さん(研究員)：The role of oxygen ambient anneal for Ba-incorporated SiO2/SiC interface
・和田さん(M2)：Room Temperature Electroluminescence from Tensile-strained GeSn Lateral PIN Structures Fabricated by Nucleation-controlled Liquid-phase Crystallization
2019年12月5日 お知らせ12月3日～4日に広島で開催された先進パワー半導体分科会第6回講演会にて、当研究室から下記の研究発表を行いました。参加されたみなさまお疲れさまでした。
・細井助教：CO2アニールによるSiO2/SiC界面窒素量制御とSiC MOSFET信頼性向上
・野崎さん(技術職員)：AlGaN/GaNヘテロ構造の低バイアス電力ICPエッチングによる低損傷加工
・和田さん(M1)：SiO2中へのGa拡散がSiO2/GaN MOS特性に与える影響の評価
・西村さん(SCREEN/連携研究)：レーザーテラヘルツエミッション顕微鏡を用いたSiC MOS界面の表面ポテンシャル評価
2019年11月22日 お知らせ11月18日～20日に東京工業大学で開催されたIWDTF 2019にて、当研究室から下記の招待講演および研究発表を行い、和田さん(M1)がIWDTF Young Awardを受賞しました。おめでとうございます。参加されたみなさまお疲れさまでした。
・志村准教授：Oxidation of SiGe Alloy: Residual Order in SiO2 and Self-limiting Oxidation (Invited)
・細井助教：Thermal Oxidation of SiC: Kinetics and SiO2/SiC Interface Property (Invited)
・野崎さん(技術職員)：Evaluation of Reactive Ion Etching-induced Damage on 2DEG at AlGaN/GaN Interface
・和田さん(M1)：Insight into Ga Diffusion in SiO2 Dielectric Layer and Process Design for Improved Reliability of GaN-based MOS Devices
2019年10月25日 お知らせ10月20日～24日に仙台にて開催されたXNPIG 2019に福田さん(M1)が参加し、下記の研究発表を行いました。お疲れさまでした。
"X-ray phase-contrast imaging using Talbot-Lau interferometer with lanthanum targets embedded in diamond substrates"
2019年10月9日 更新研究室メンバーページを更新しました。
2019年10月7日 お知らせ9月30日～10月4日に京都国際会館で開催されたICSCRM 2019に渡部教授、細井助教が参加し、当研究室から下記の研究発表を行いました。参加されたみなさん、お疲れ様でした。
・渡部教授：Insight into Channel Conduction Mechanisms of 4H-SiC(0001) MOSFET based on Temperature-dependent Hall Effect Measurement
・細井助教：Interface Engineering of SiC MOS Devices by High-temperature CO2 Treatment
・西村さん(SCREEN/連携研究)：Characterization of Surface Potential of Oxidized Silicon Carbide by a Laser Terahertz Emission Microscope
2019年9月26日 更新2019年度 研究成果を更新しました。
2019年9月24日 お知らせ9月18日～21日に北海道大学で開催された第80回応用物理学会秋季学術講演会にて、当研究室より下記6件の研究発表が行われました。参加されたみなさん、お疲れ様でした。
・細井助教：NO窒化後のCO2熱処理によるSiC MOSFETの閾値電圧安定性向上
・野崎さん(技術職員)：ICPエッチングがAlGaN/GaN界面の2DEGに与える影響の評価
・辻さん(研究員)：SiO2/SiC界面電気特性のBa増速酸化温度依存性
・福田さん(M1)：マルチラインLa埋め込みX線源を用いたX線位相イメージング
・和田さん(M1)：SiO2膜中へのGa拡散制御によるゲート絶縁膜信頼性の改善
・西村さん(SCREEN/連携研究)：MOS界面におけるレーザーパルス励起THz波放射機構の考察 - 表面電場とフォトデンバー効果の分離 -
2019年9月2日 お知らせ8月26日～29日に富山にて開催されたTWHM 2019に細井助教が参加し、下記の招待講演を行いました。お疲れさまでした。
"Gate stack engineering for GaN power MOSFETs"
2019年9月2日 更新研究室メンバーページを更新しました。
2019年7月22日 更新2019年度 研究成果を更新しました。
2019年7月5日 お知らせ6月30日～7月3日にイギリスのケンブリッジにて開催されたINFOS 2019に細井助教が参加し、下記の招待講演を行いました。お疲れさまでした。
"Recent progress in understanding carbon-related interface defects and electrical properties in SiC-MOS devices"
2019年6月21日 お知らせ6月21日に名古屋大学にて開催されたシリコン材料・デバイス研究会（SDM）に細井助教が参加し、下記の発表を行いました。お疲れさまでした。
"NO窒化処理を施したSiO2/SiC界面近傍の窒素分布評価"
2019年6月14日 更新2019年度 研究成果を更新しました。
2019年5月22日 更新2019年度 研究成果を更新しました。
2019年5月15日 更新2019年度 研究成果を更新しました。
2019年4月24日 お知らせ当研究室では、窒化ガリウム（GaN）パワーデバイス研究に取り組んでいただける特任研究員もしく特任技術職員を募集しています。詳細はこちらをご確認ください。
2019年4月12日 更新2019年度 研究成果を更新しました。
2019年4月10日 お知らせ渡部教授が平成31年度科学技術分野の文部科学大臣表彰、科学技術賞（研究部門）を受賞されました。表彰式は、4月17日に行われます。受賞おめでとうございます。
2019年4月10日 更新研究室メンバーページを更新しました。
2019年4月2日 更新研究室メンバーページを更新しました。
2019年4月1日 お知らせ3月27日～29日に京都大学吉田キャンパスにて開催された電気化学会第86回大会に岡さん(研究員)が参加し、下記の招待講演を行いました。お疲れさまでした。
"近赤外イメージセンサーに向けた石英基板上裏面照射型GeSnフォトダイオードアレイの開発"
2019年3月13日 お知らせ3月9日～12日に東京工業大学大岡山キャンパスで開催された第66回応用物理学会春季学術講演会にて、当研究室より下記7件の研究発表が行われました。参加されたみなさん、お疲れ様でした。
・細井助教：CO2雰囲気下での4H-SiC熱酸化の検討
・細井助教：CO2アニールによる4H-SiC(0001) MOSデバイスの特性改善
・山田先生：SiO2/GaN MOSデバイスに対するフォーミングガス熱処理の効果
・岡さん(研究員)：固相エピタキシー法によるSOI基板上GeSn MSMダイオードの作製
・井上さん(M2)：石英基板上GeSn液相成長におけるGeSn堆積温度と細線形状の効果
・西村さん(SCREEN/連携研究)：レーザーテラヘルツエミッション顕微鏡を用いたSiO2/SiC界面の表面ポテンシャル評価
・名倉君(名古屋大学/連携研究)：AlONゲート絶縁膜へのHf添加によるホールリーク抑制の物理的起源
2019年3月1日 お知らせ細井助教がIEEE EDS Kansai Chapter of the Year Awardを受賞されました。おめでとうございます。
2019年3月1日 お知らせ2月28日に大阪大学中之島センターにて開催されたシリコンテクノロジー分科会第216回研究集会に細井助教が参加し、下記の依頼講演を行いました。お疲れさまでした。
"熱酸化SiO2/SiC界面欠陥とMOS特性"
2019年2月21日 更新2019年度 研究成果を更新しました。
2019年2月20日 更新研究室メンバーページを更新しました。
2019年1月29日 お知らせ1月24日～26日に三島にて開催された第24回電子デバイス界面テクノロジー研究会にて下記の研究発表を行い、武田さん(M2)が服部賞（若手奨励賞：デバイス評価部門）を受賞されました。おめでとうございます。参加されたみなさま、お疲れさまでした。
・山田先生：導電型の異なるGaN上GaOx界面層の放射光XPS分析
・武田さん(M2)：温度可変ホール効果測定による4H-SiC(0001) MOSFETチャネル内電子伝導機構の考察
・名倉さん(名古屋大学/連携研究)：AlON絶縁膜へのHf原子添加効果に関する理論的研究
2019年1月4日 ご挨拶みなさま、明けましておめでとうございます。旧年中は大変お世話になり、ありがとうございました。本年も渡部研究室をどうぞよろしくお願い申し上げます。新しい年が、みなさまにとって実り多き年となりますように。

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