年度別 News & Topics 一覧

年度：

2018年度

2018年12月11日 お知らせ12月5日～8日にアメリカのサンディエゴにて開催されたSISC 2018に渡部教授と細井助教が参加し、下記の研究発表を行いました。お疲れさまでした。
・細井助教：High-mobility P- and N-channel GeSn Thin-film Transistors on Transparent Substrate Fabricated by Nucleation-controlled Liquid-phase Crystallization
・名倉君(名古屋大学/連携研究)：Effect of incorporating Hf atoms in AlON gate dielectrics on hole leakage current
2018年11月20日 お知らせ11月11日～16日に金沢にて開催されたIWN2018に、渡部教授、細井助教、山田先生、野崎さんが参加し、下記の研究発表を行いました。お疲れさまでした。
・細井助教：Mobility enhancement in AlGaN/GaN MOS-HFET with gate recess etching by using AION gate insulator
・山田先生：Improved reliability of SiO2/GaN MOS devices by controlling the oxide interlayer
・野崎さん(技術職員)：Comparative study of thermal decomposition of thin Ga oxide layer on GaN and AlGaN surfaces
2018年11月13日 お知らせ11月5日～7日に京都テルサで開催された先進パワー半導体分科会 第5回講演会にて、当研究室より下記6件の研究発表が行われました。参加されたみなさん、お疲れさまでした。
・山田先生：GaN導電型がSiO2/GaN構造のGaOx界面層形成に及ぼす影響
・Kidist先生：NO窒化処理を施したSiO2/SiC界面における窒素原子分布の高精度評価
・野崎さん(技術職員)：放射光光電子分光法によるGaN及びAlGaN上のGaOx層の熱脱離過程の比較
・染谷さん(研究員)：超低実効pエピ濃度基板を用いて評価した4H-SiC(0001) MOSFETの反転チャネル電子の散乱要因
・武田君(M2):4H-SiC(0001) MOSFETの可動電子密度の温度依存性に基づくチャネル内電子伝導機構の考察
・大迫さん(M2)：SiC MOS界面特性改善に向けた高温CO2熱処理の検討
2018年10月29日 更新2018年度 研究成果を更新しました。
2018年10月26日 お知らせ10月21日～25日に仙台国際センターで開催されたACSIN-14に渡部教授と細井助教が参加し、下記の招待講演を行いました。お疲れさまでした。
・渡部教授：Gate Stack Technology for Advanced GaN and SiC based MOS Devices (Invited)
・細井助教：Optoelectronic Integration Based on High-quality GeSn Grown by Liquid Phase Crystallization (Invited)
2018年10月9日 お知らせ渡部教授が、メキシコのカンクンにて行われたAiMES 2018に参加し、下記の研究発表を行いました。長旅、大変お疲れさまでした。
・Gate Stack Technology for Advanced GaN-Based Mos Devices (Invited)
・Highly n-Type Doped Ge and Gesn Wires Fabricated By Lateral Liquid-Phase Epitaxy
2018年10月1日 更新研究室メンバーページを更新しました。
2018年9月25日 お知らせ9月18日～21日に名古屋国際会議場で開催された第79回応用物理学会秋季学術講演会にて、当研究室より下記9件の研究発表が行われました。参加されたみなさん、お疲れ様でした。
・渡部教授：GaN系パワーデバイス用ゲート絶縁膜技術（招待講演）
・細井助教：Challenges in SiO2/SiC interface passivation for SiC power MOSFET（招待講演）
・細井助教：Ba添加によるSiC MOSFET特性向上の起源の検討
・山田先生：SiO2/p-GaN界面の熱酸化過程の放射光XPS分析
・山田先生：SiO2/p-GaN MOSキャパシタの電気特性評価
・染谷さん(研究員)：低不純物濃度4H-SiC(0001)基板上に作製したMOSFETのホール効果移動度に対するNO-POAの影響
・和田君(M1)：石英基板上GeSn横方向液相成長の徐冷による伸長と低キャリア濃度化
・西村さん(SCREEN/連携研究)：レーザーテラヘルツエミッション顕微鏡を用いたSiO2/SiC界面の特性評価
・名倉君(名古屋大学/連携研究)：AlONゲート絶縁膜へのHf原子混入効果に関する理論的研究
2018年9月18日 お知らせ9月9日～13日に東京大学で開催されたSSDM 2018に、渡部教授、細井助教、和田君(M1)が参加し、当研究室からは下記3件の研究発表を行いました。みなさん、お疲れ様でした。
・和田君(M1)：Demonstration of mm-long Nearly Intrinsic GeSn Single-crystalline Wires on Quartz Substrate by Nucleation-controlled Liquid-phase Crystallization
・西村さん(SCREEN/共同研究)：Characterization of SiO2/SiC interface using a Laser Terahertz Emission Microscope
・名倉君（名古屋大学/共同研究)：First-principles calculations of the effect of incorporating Hf atoms in AlON gate dielectrics of wide-bandgap-semiconductor power devices on the hole leakage current
2018年9月11日 お知らせ9月2日～6日にイギリスのバーミンガムで開催されたECSCRM 2018に、渡部教授、細井助教、武田君(M2)が参加し、当研究室からは下記4件の研究発表を行いました。帰国便は関空閉鎖の影響を受けましたが、無事帰国されて何よりです。みなさん、お疲れ様でした。
・Kidist先生（発表者細井助教）：Sub-nm-scale depth profiling of nitrogen in NO- and N2-annealed SiO2/4H-SiC(0001) structures
・染谷さん(研究員)：Superiority of pure O2-based gate oxidation on Hall effect mobility of 4H-SiC (0001) MOSFET revealed by low-doped epitaxial wafers
・武田君(M2)：Evaluation of the impact of Al atoms on SiO2/SiC interface property by using 4H-SiC n+-channel junctionless MOSFET
・梅田准教授(筑波大学/連携研究)：Electron-spin-resonance characterization on interface carbon defects at 4H-SiC/SiO2 interfaces formed by ultrahigh-temperature oxidation
2018年9月5日 更新2018年度 研究成果を更新しました。
2018年8月29日 更新研究室メンバーページを更新しました。
2018年8月9日 更新2018年度 研究成果を更新しました。
2018年8月3日 更新2018年度 研究成果を更新しました。
2018年8月2日 更新2018年度 研究成果を更新しました。
2018年7月3日 お知らせ細井助教が、6月25日に名古屋大学で行われたシリコン材料・デバイス研究会（SDM）にて、下記の題目で研究発表を行いました。お疲れさまでした。
"高性能GaN MOSFET実現に向けたSiO2/GaN界面制御"
2018年6月7日 更新2018年度 研究成果を更新しました。
2018年6月5日 更新2018年度 研究成果を更新しました。
2018年5月18日 更新2018年度 研究成果を更新しました。
2018年5月14日 更新研究室メンバーページおよび2018年度 研究成果を更新しました。
2018年4月11日 更新研究室メンバーページを更新しました。
2018年3月26日 お知らせ当研究室では一緒に研究に取り組んでくれる学生さんを募集しており、毎年のように他大学・高専専攻科からの進学者を受け入れています。専攻やコース名に生命とついてはいますが、研究内容は完全に物理系（電子材料・デバイスなど）です。入試は推薦（7月4日 小論文・口頭試問）と一般（8月21日 数学・物理，8月23日 口頭試問）があり、いずれの場合も英語能力証明書（TOEIC, TOEFL, IELTS公式スコア）が必要です。なお、推薦入試は外部受験者のみが対象です。研究室見学等は随時対応しておりますので、直接連絡いただく（contact[at]asf.mls.eng.osaka-u.ac.jp [at]を＠(半角)に置き換えてください）か、5月2日(水)開催の大学院進学説明会から申し込んでください。
2018年3月22日 お知らせ3月17日～20日に早稲田大学で開催された第65回応用物理学会春季学術講演会にて、当研究室より下記7件の口頭講演を行いました。みなさん、お疲れ様でした。
・山田先生：SiO2/GaN MOSデバイスの信頼性向上に向けた界面酸化層の制御
・Kidist先生：XPS study of nitrogen profiles at SiO2/4H-SiC(0001) interfaces with NO annealing
・野崎さん(技術職員)：放射光光電子分光法によるGaN上GaOx層の熱脱離過程の評価
・岡君(D3)：レーザー溶融結晶化による石英基板上引張歪み単結晶GeSnアレイの作製
・岡君(D3)：裏面照射型石英基板上GeSnフォトダイオードの近赤外受光特性評価
・渡邉君(M2)：リセスゲートAlGaN/GaN MOS-HFETへのAlONゲート絶縁膜の導入
・武田君(M1)：SiCジャンクションレスMOSFETによるAl原子がチャネル移動度に与える影響の検証
2018年3月12日 お知らせ岡くん(D3)が、3月9日にNHK放送技術研究所にて行われた映像情報メディア学会情報センシング研究会にて、下記の題目で研究発表を行いました。お疲れさまでした。
"裏面照射型近赤外イメージセンサーに向けた石英基板上単結晶GeSnフォトダイオードアレイの開発"
2018年3月12日 お知らせ渡部教授が、3月7日に名古屋にて行われた国際会議ISPlasma2018にて、下記の題目で招待講演を行いました。お疲れさまでした。
"Gate Stack Technology for Advanced GaN-based MOS Devices"
2018年3月7日 お知らせ岡くん(D3)が、1月下旬から1カ月間、ベルギーの国際研究機関であるimecへインターンシップに行ってきました。極寒の日本を脱出し、休日はグルメなどベルギー生活を満喫されたようです。詳細は後程研究室ブログにUPされますので、そちらをご覧ください。
2018年2月27日 お知らせ2月22日～23日に開催されました物質生命コース平成29年度修士論文発表会において、細野凌君(M2)が「優秀賞」を受賞しました。おめでとうございます。
2018年2月2日 お知らせ当研究室の岡くん(D3)が、昨年に引き続き、第16回IEEE EDS Japan Chapter Student Awardを受賞しました。現在海外インターンシップ中で、IEEE EDS Japan Chapter総会にて行われた授賞式に参加できなかったのは少々残念ですが、大変喜ばしいことです。おめでとうございます。
2018年1月29日 お知らせ1月29日に龍谷大学大阪梅田キャンパス にて開催された第17回「関西コロキアム電子デバイスワークショップ」に細井助教が参加し、下記の講演を行いました。お疲れ様でした。
"High-mobility TFT and enhanced luminescence utilizing nucleation-controlled GeSn growth on transparent substrate for monolithic optoelectronic integration"
H. Oka, M. Koyama, T. Tomita, T. Amamoto, K. Tominaga, S. Tanaka, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe
2018年1月25日 お知らせ当研究室では一緒に研究に取り組んでくれる学生さんを募集しており、毎年のように他大学・高専専攻科からの進学者を受け入れています。専攻やコース名に生命とついてはいますが、研究内容は完全に物理系（電子材料・デバイスなど）です。研究室見学等は随時対応しておりますので、直接連絡いただく（contact[at]asf.mls.eng.osaka-u.ac.jp [at]を＠(半角)に置き換えてください）か、3月2日(金)開催の大学院進学説明会から申し込んでください。
2018年1月22日 お知らせ1月18日～20日に静岡県三島市にて開催された電子デバイス界面テクノロジー研究会(第23回研究会)に、渡部教授、志村准教授、細井助教、冨田君(M2)が参加しました。当研究室からは以下の研究発表を行いました。みなさん、お疲れ様でした。
・細井助教：石英基板上単結晶GeSn層形成と光電子デバイス応用
・冨田君(M2)：横方向液相エピタキシャル成長により作製した引張歪み高濃度n型Ge細線の低温発光特性と共振器の形成
・施 泓安さん(パナソニック/共同研究)：Si基板上MIS型GaNパワーデバイスの開発（招待講演）
2018年1月4日 ご挨拶みなさま、新年明けましておめでとうございます。新しい年が、みなさまにとって実り多き年となりますように。 本年も渡部研究室をどうぞよろしくお願い申し上げます。

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