年度別 News & Topics 一覧

年度：

2016年度

2016年12月12日 お知らせ国際会議 2016 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM, 12月3日～7日 米国サンフランシスコ) において、岡君（D2）が[1 High-mobility TFT and Enhanced Luminescence Utilizing Nucleation-controlled GeSn Growth on Transparent substrate for Monolithic Optoelectronic Integration] の題目で研究発表を行いました。
発表後はサンディエゴに移動して47th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference（SISC, 12月8日～10日 米国サンディエゴ）で情報収集をされました。長旅お疲れさまです。
2016年12月12日 更新2016年度 研究成果を更新しました。
2016年11月30日 更新2016年度 研究成果を更新しました。
2016年11月14日 更新2016年度 研究成果を更新しました。
2016年11月04日 更新2016年度 研究成果を更新しました。
2016年11月1日 更新2016年度 メンバーページを更新しました。
2016年10月26日 更新2016年度 研究成果を更新しました。
2016年10月20日 イベント10月18日、外国人特別研究員のアタウット・チャンタパンさんの送別会が梅田にて行われました。7年間本当にお疲れ様でした。ますますのご活躍をお祈りしております！
送別会の様子は研究室ブログをご覧ください。
2016年10月20日 更新2016年度 メンバーページを更新しました。
2016年10月12日 更新2016年度 研究成果を更新しました。
2016年10月4日 更新2016年度 研究成果を更新しました。
2016年9月30日 更新2016年度 研究成果を更新しました。
2016年9月27日 更新2016年度 研究成果を更新しました。
2016年9月23日 更新2016年度 研究成果を更新しました。
2016年9月21日 お知らせ 2016年第77回応用物理学会秋季学術講演会 (9/13-16, 朱鷺メッセ/新潟)で冨田君(M1)がポスター賞を受賞しました。おめでとうございます！
2016年9月21日 更新2016年度 研究成果を更新しました。
2016年9月7日 更新2016年度 研究成果を更新しました。
2016年9月6日 お知らせ来週の9月13日～16日に朱鷺メッセ(新潟)にて開催される2016年第77回応用物理学会秋季学術講演会で、当研究室より6件の口頭講演と1件のポスター講演を行う予定です。発表内容(タイトル)は下記の通りです。
・山田先生：GaN 表面の熱酸化におけるキャップ層の効果、熱酸化処理によるSiO2/GaN 界面でのGaOx 形成とMOS 界面特性向上
・Chanthaphan研究員：Improvement of physical and electrical properties in SiC-MOSdevices using deposited insulators on barium-enhanced thermal oxides
・勝君(M2)：理想SiO2/SiC 界面の実現に向けた超高温・低酸素分圧酸化の検討
・冨田君(M1)：Sb ドープアモルファスGe の局所溶融横方向液相エピタキシャル成長によるn 型Ge 細線の作製と評価
・細野君(M1)：振幅格子とピクセル検出器を用いたエネルギー分解X 線位相イメージングの検討
・渡邉君(M1)：AlGaN/GaN MOS-HEMT 電気特性劣化のゲート絶縁膜成膜温度依存性の検証
2016年9月6日 更新2016年度 研究成果を更新しました。
2016年9月2日 お知らせThe 7th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon (11月21日～27日, 米国ハワイ・コナ）にて、志村准教授が成果発表を行います。
2016年9月2日 お知らせPRiME 2016 (10月3日～7日, 米国ハワイ・ホノルル）にて、渡部教授が招待講演を行います。
2016年9月2日 お知らせ11th The European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM) (9月24日～30日, ギリシャ・ハルキディキ）にて、細井助教が招待講演とChanthaphan研究員（学振特別研究員）が研究発表を行います。
2016年9月2日 お知らせ渡部教授が、8月26日付で副理事に就任されました。
2016年6月28日 更新2015年度 研究成果を更新しました。
2016年6月13日 お知らせ2016 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW, 6月12日～13日, 米国ホノルル）にて、D2の岡さんが研究発表を行います。
2016年6月13日 更新2015年度 研究成果を更新しました。
2016年5月30日 更新2016年度 メンバーページを更新しました。
2016年5月20日 更新2015年度 研究成果を更新しました。
2016年5月17日 更新2015年度 研究成果を更新しました。
2016年5月2日 更新2015年度 研究成果を更新しました。
2016年4月11日 更新2016年度 メンバーページを更新しました。
2016年4月8日 お知らせ平成29年度4月入学前期課程（推薦入学）の募集要項が公表されています。他大学を卒業予定、もしくは専修学校専門課程を修了予定の方が対象となります。
出願期間：平成28年6月1日（水）～同 6月7日（火）
試験日　：平成28年7月6日（水）
試験科目：小論文、面接及び口頭試問
出願書類等の詳細はこちらでご確認ください。[平成26年7月以降に実施されたTOEIC（公式認定証）またはTOEFL（受験者用控えスコア票 ※受験者用控えスコア票が発行されない国・地域でTOEFLを受験し、そのスコアを利用する場合は、公式スコア票）のいずれかの書類の原本及びそのコピー（A4版）が必要です。]
当研究室では、ほぼ毎年のように他大学・高専専攻科からの進学者を受け入れています。見学・話を聞くだけでも大歓迎ですので、興味のある方はお気軽にご連絡をお願いします。 　→ Contact Us!

平成29年度4月入学前期課程（一般選抜）の募集要項の概略は、下記の通りです。
出願期間：平成28年7月11日（月）～同 7月22日（金）
試験期日：平成28年8月23日（火）～同 8月25日（水）
試験科目：数学、物理学、口頭試問
出願書類等の詳細はこちらでご確認ください。[平成26年8月以降に実施されたTOEIC（公式認定証）またはTOEFL（受験者用控えスコア票　※受験者用控えスコア票が発行されない国・地域でTOEFLを受験し、そのスコアを利用する場合は、公式スコア票）のいずれかの書類の原本及びそのコピー（A4版）が必要です。]
一緒に研究に取り組んでくれる意欲のある学生さんを学内外から広く募集しています。 → Contact Us!

後期課程は平成28年度10月入学の募集もあります。研究テーマや計画など進学のご相談は随時受付けていますので、お気軽にご連絡をお願いします。
2016年4月8日 更新2016年度 メンバーページを更新しました。
2016年3月25日 お知らせ2016年第63回応用物理学会春季学術講演会（3月19日～22日、東工大 大岡山キャンパス ）にて、東レの小川さんが「第7回（2016年春季）応用物理学会 Poster Award」を受賞しました。誠におめでとうございます。
また、当研究室より計１２件のポスター発表と一般講演をおこないました。皆さんお疲れ様です。
2016年3月25日 更新2015年度 研究成果を更新しました。
2016年1月28日 更新2015年度 研究成果を更新しました。
2016年1月25日 お知らせ 電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―（第21回）(1/21-23, 静岡県三島市)で田中君(M1)が服部賞を受賞しました。おめでとうございます！
2016年1月25日 更新2015年度 研究成果を更新しました。

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