お知らせ一覧

2020年3月12日 更新2020年度 研究成果を更新しました。
2020年2月6日 更新2020年度 研究成果を更新しました。
2020年2月4日 お知らせ1月30日～2月1日に三島で開催された第25回電子デバイス界面テクノロジー研究会に渡部教授、細井助教、和田さん(M2)が参加しました。当研究室からは下記の研究発表を行い、研究室OBであり、共同研究員の岡さんが安田賞を受賞しました。参加されたみなさまお疲れさまでした。
・寺尾さん(研究員)：The Role of Oxygen Ambient Anneal for Ba-incorporated SiO2/SiC Interface
・岡さん(研究員)：フラッシュランプアニール法を用いたGOI基板上固相成長GeSn n-MOSFETsの作製
・和田さん(M2)：液相成長GeSnを用いた横型pinダイオードの高効率室温エレクトロルミネッセンス
2020年1月17日 更新2020年度 研究成果を更新しました。
2019年12月17日 お知らせ12月12日～14日にサンディエゴで開催されたSISC 2019に渡部教授、細井助教、和田さん(M2)が参加し、当研究室からは下記の研究発表を行いました。参加されたみなさまお疲れさまでした。
・細井助教：High-temperature CO2 Process for Improvement of SiC MOS Characteristics
・寺尾さん(研究員)：The role of oxygen ambient anneal for Ba-incorporated SiO2/SiC interface
・和田さん(M2)：Room Temperature Electroluminescence from Tensile-strained GeSn Lateral PIN Structures Fabricated by Nucleation-controlled Liquid-phase Crystallization
2019年12月5日 お知らせ12月3日～4日に広島で開催された先進パワー半導体分科会第6回講演会にて、当研究室から下記の研究発表を行いました。参加されたみなさまお疲れさまでした。
・細井助教：CO2アニールによるSiO2/SiC界面窒素量制御とSiC MOSFET信頼性向上
・野崎さん(技術職員)：AlGaN/GaNヘテロ構造の低バイアス電力ICPエッチングによる低損傷加工
・和田さん(M1)：SiO2中へのGa拡散がSiO2/GaN MOS特性に与える影響の評価
・西村さん(SCREEN/連携研究)：レーザーテラヘルツエミッション顕微鏡を用いたSiC MOS界面の表面ポテンシャル評価
2019年11月22日 お知らせ11月18日～20日に東京工業大学で開催されたIWDTF 2019にて、当研究室から下記の招待講演および研究発表を行い、和田さん(M1)がIWDTF Young Awardを受賞しました。おめでとうございます。参加されたみなさまお疲れさまでした。
・志村准教授：Oxidation of SiGe Alloy: Residual Order in SiO2 and Self-limiting Oxidation (Invited)
・細井助教：Thermal Oxidation of SiC: Kinetics and SiO2/SiC Interface Property (Invited)
・野崎さん(技術職員)：Evaluation of Reactive Ion Etching-induced Damage on 2DEG at AlGaN/GaN Interface
・和田さん(M1)：Insight into Ga Diffusion in SiO2 Dielectric Layer and Process Design for Improved Reliability of GaN-based MOS Devices
2019年10月25日 お知らせ10月20日～24日に仙台にて開催されたXNPIG 2019に福田さん(M1)が参加し、下記の研究発表を行いました。お疲れさまでした。
"X-ray phase-contrast imaging using Talbot-Lau interferometer with lanthanum targets embedded in diamond substrates"
2019年10月9日 更新研究室メンバーページを更新しました。
2019年10月7日 お知らせ9月30日～10月4日に京都国際会館で開催されたICSCRM 2019に渡部教授、細井助教が参加し、当研究室から下記の研究発表を行いました。参加されたみなさん、お疲れ様でした。
・渡部教授：Insight into Channel Conduction Mechanisms of 4H-SiC(0001) MOSFET based on Temperature-dependent Hall Effect Measurement
・細井助教：Interface Engineering of SiC MOS Devices by High-temperature CO2 Treatment
・西村さん(SCREEN/連携研究)：Characterization of Surface Potential of Oxidized Silicon Carbide by a Laser Terahertz Emission Microscope
2019年9月26日 更新2019年度 研究成果を更新しました。
2019年9月24日 お知らせ9月18日～21日に北海道大学で開催された第80回応用物理学会秋季学術講演会にて、当研究室より下記6件の研究発表が行われました。参加されたみなさん、お疲れ様でした。
・細井助教：NO窒化後のCO2熱処理によるSiC MOSFETの閾値電圧安定性向上
・野崎さん(技術職員)：ICPエッチングがAlGaN/GaN界面の2DEGに与える影響の評価
・辻さん(研究員)：SiO2/SiC界面電気特性のBa増速酸化温度依存性
・福田さん(M1)：マルチラインLa埋め込みX線源を用いたX線位相イメージング
・和田さん(M1)：SiO2膜中へのGa拡散制御によるゲート絶縁膜信頼性の改善
・西村さん(SCREEN/連携研究)：MOS界面におけるレーザーパルス励起THz波放射機構の考察 - 表面電場とフォトデンバー効果の分離 -
2019年9月2日 お知らせ8月26日～29日に富山にて開催されたTWHM 2019に細井助教が参加し、下記の招待講演を行いました。お疲れさまでした。
"Gate stack engineering for GaN power MOSFETs"
2019年9月2日 更新研究室メンバーページを更新しました。
2019年7月22日 更新2019年度 研究成果を更新しました。
2019年7月5日 お知らせ6月30日～7月3日にイギリスのケンブリッジにて開催されたINFOS 2019に細井助教が参加し、下記の招待講演を行いました。お疲れさまでした。
"Recent progress in understanding carbon-related interface defects and electrical properties in SiC-MOS devices"
2019年6月21日 お知らせ6月21日に名古屋大学にて開催されたシリコン材料・デバイス研究会（SDM）に細井助教が参加し、下記の発表を行いました。お疲れさまでした。
"NO窒化処理を施したSiO2/SiC界面近傍の窒素分布評価"
2019年6月14日 更新2019年度 研究成果を更新しました。
2019年5月22日 更新2019年度 研究成果を更新しました。
2019年5月15日 更新2019年度 研究成果を更新しました。
2019年4月24日 お知らせ当研究室では、窒化ガリウム（GaN）パワーデバイス研究に取り組んでいただける特任研究員もしく特任技術職員を募集しています。詳細はこちらをご確認ください。
2019年4月12日 更新2019年度 研究成果を更新しました。
2019年4月10日 お知らせ渡部教授が平成31年度科学技術分野の文部科学大臣表彰、科学技術賞（研究部門）を受賞されました。表彰式は、4月17日に行われます。受賞おめでとうございます。
2019年4月10日 更新研究室メンバーページを更新しました。
2019年4月2日 更新研究室メンバーページを更新しました。
2019年4月1日 お知らせ3月27日～29日に京都大学吉田キャンパスにて開催された電気化学会第86回大会に岡さん(研究員)が参加し、下記の招待講演を行いました。お疲れさまでした。
"近赤外イメージセンサーに向けた石英基板上裏面照射型GeSnフォトダイオードアレイの開発"
2019年3月13日 お知らせ3月9日～12日に東京工業大学大岡山キャンパスで開催された第66回応用物理学会春季学術講演会にて、当研究室より下記7件の研究発表が行われました。参加されたみなさん、お疲れ様でした。
・細井助教：CO2雰囲気下での4H-SiC熱酸化の検討
・細井助教：CO2アニールによる4H-SiC(0001) MOSデバイスの特性改善
・山田先生：SiO2/GaN MOSデバイスに対するフォーミングガス熱処理の効果
・岡さん(研究員)：固相エピタキシー法によるSOI基板上GeSn MSMダイオードの作製
・井上さん(M2)：石英基板上GeSn液相成長におけるGeSn堆積温度と細線形状の効果
・西村さん(SCREEN/連携研究)：レーザーテラヘルツエミッション顕微鏡を用いたSiO2/SiC界面の表面ポテンシャル評価
・名倉君(名古屋大学/連携研究)：AlONゲート絶縁膜へのHf添加によるホールリーク抑制の物理的起源
2019年3月1日 お知らせ細井助教がIEEE EDS Kansai Chapter of the Year Awardを受賞されました。おめでとうございます。
2019年3月1日 お知らせ2月28日に大阪大学中之島センターにて開催されたシリコンテクノロジー分科会第216回研究集会に細井助教が参加し、下記の依頼講演を行いました。お疲れさまでした。
"熱酸化SiO2/SiC界面欠陥とMOS特性"
2019年2月21日 更新2019年度 研究成果を更新しました。
2019年2月20日 更新研究室メンバーページを更新しました。
2019年1月29日 お知らせ1月24日～26日に三島にて開催された第24回電子デバイス界面テクノロジー研究会にて下記の研究発表を行い、武田さん(M2)が服部賞（若手奨励賞：デバイス評価部門）を受賞されました。おめでとうございます。参加されたみなさま、お疲れさまでした。
・山田先生：導電型の異なるGaN上GaOx界面層の放射光XPS分析
・武田さん(M2)：温度可変ホール効果測定による4H-SiC(0001) MOSFETチャネル内電子伝導機構の考察
・名倉さん(名古屋大学/連携研究)：AlON絶縁膜へのHf原子添加効果に関する理論的研究
2018年12月11日 お知らせ12月5日～8日にアメリカのサンディエゴにて開催されたSISC 2018に渡部教授と細井助教が参加し、下記の研究発表を行いました。お疲れさまでした。
・細井助教：High-mobility P- and N-channel GeSn Thin-film Transistors on Transparent Substrate Fabricated by Nucleation-controlled Liquid-phase Crystallization
・名倉君(名古屋大学/連携研究)：Effect of incorporating Hf atoms in AlON gate dielectrics on hole leakage current
2018年11月20日 お知らせ11月11日～16日に金沢にて開催されたIWN2018に、渡部教授、細井助教、山田先生、野崎さんが参加し、下記の研究発表を行いました。お疲れさまでした。
・細井助教：Mobility enhancement in AlGaN/GaN MOS-HFET with gate recess etching by using AION gate insulator
・山田先生：Improved reliability of SiO2/GaN MOS devices by controlling the oxide interlayer
・野崎さん(技術職員)：Comparative study of thermal decomposition of thin Ga oxide layer on GaN and AlGaN surfaces
2018年11月13日 お知らせ11月5日～7日に京都テルサで開催された先進パワー半導体分科会 第5回講演会にて、当研究室より下記6件の研究発表が行われました。参加されたみなさん、お疲れさまでした。
・山田先生：GaN導電型がSiO2/GaN構造のGaOx界面層形成に及ぼす影響
・Kidist先生：NO窒化処理を施したSiO2/SiC界面における窒素原子分布の高精度評価
・野崎さん(技術職員)：放射光光電子分光法によるGaN及びAlGaN上のGaOx層の熱脱離過程の比較
・染谷さん(研究員)：超低実効pエピ濃度基板を用いて評価した4H-SiC(0001) MOSFETの反転チャネル電子の散乱要因
・武田君(M2):4H-SiC(0001) MOSFETの可動電子密度の温度依存性に基づくチャネル内電子伝導機構の考察
・大迫さん(M2)：SiC MOS界面特性改善に向けた高温CO2熱処理の検討
2018年10月26日 お知らせ10月21日～25日に仙台国際センターで開催されたACSIN-14に渡部教授と細井助教が参加し、下記の招待講演を行いました。お疲れさまでした。
・渡部教授：Gate Stack Technology for Advanced GaN and SiC based MOS Devices (Invited)
・細井助教：Optoelectronic Integration Based on High-quality GeSn Grown by Liquid Phase Crystallization (Invited)
2018年10月9日 お知らせ渡部教授が、メキシコのカンクンにて行われたAiMES 2018に参加し、下記の研究発表を行いました。長旅、大変お疲れさまでした。
・Gate Stack Technology for Advanced GaN-Based Mos Devices (Invited)
・Highly n-Type Doped Ge and Gesn Wires Fabricated By Lateral Liquid-Phase Epitaxy
2018年9月25日 お知らせ9月18日～21日に名古屋国際会議場で開催された第79回応用物理学会秋季学術講演会にて、当研究室より下記9件の研究発表が行われました。参加されたみなさん、お疲れ様でした。
・渡部教授：GaN系パワーデバイス用ゲート絶縁膜技術（招待講演）
・細井助教：Challenges in SiO2/SiC interface passivation for SiC power MOSFET（招待講演）
・細井助教：Ba添加によるSiC MOSFET特性向上の起源の検討
・山田先生：SiO2/p-GaN界面の熱酸化過程の放射光XPS分析
・山田先生：SiO2/p-GaN MOSキャパシタの電気特性評価
・染谷さん(研究員)：低不純物濃度4H-SiC(0001)基板上に作製したMOSFETのホール効果移動度に対するNO-POAの影響
・和田君(M1)：石英基板上GeSn横方向液相成長の徐冷による伸長と低キャリア濃度化
・西村さん(SCREEN/連携研究)：レーザーテラヘルツエミッション顕微鏡を用いたSiO2/SiC界面の特性評価
・名倉君(名古屋大学/連携研究)：AlONゲート絶縁膜へのHf原子混入効果に関する理論的研究
2018年9月18日 お知らせ9月9日～13日に東京大学で開催されたSSDM 2018に、渡部教授、細井助教、和田君(M1)が参加し、当研究室からは下記3件の研究発表を行いました。みなさん、お疲れ様でした。
・和田君(M1)：Demonstration of mm-long Nearly Intrinsic GeSn Single-crystalline Wires on Quartz Substrate by Nucleation-controlled Liquid-phase Crystallization
・西村さん(SCREEN/共同研究)：Characterization of SiO2/SiC interface using a Laser Terahertz Emission Microscope
・名倉君（名古屋大学/共同研究)：First-principles calculations of the effect of incorporating Hf atoms in AlON gate dielectrics of wide-bandgap-semiconductor power devices on the hole leakage current
2018年9月11日 お知らせ9月2日～6日にイギリスのバーミンガムで開催されたECSCRM 2018に、渡部教授、細井助教、武田君(M2)が参加し、当研究室からは下記4件の研究発表を行いました。帰国便は関空閉鎖の影響を受けましたが、無事帰国されて何よりです。みなさん、お疲れ様でした。
・Kidist先生（発表者細井助教）：Sub-nm-scale depth profiling of nitrogen in NO- and N2-annealed SiO2/4H-SiC(0001) structures
・染谷さん(研究員)：Superiority of pure O2-based gate oxidation on Hall effect mobility of 4H-SiC (0001) MOSFET revealed by low-doped epitaxial wafers
・武田君(M2)：Evaluation of the impact of Al atoms on SiO2/SiC interface property by using 4H-SiC n+-channel junctionless MOSFET
・梅田准教授(筑波大学/連携研究)：Electron-spin-resonance characterization on interface carbon defects at 4H-SiC/SiO2 interfaces formed by ultrahigh-temperature oxidation
2018年7月3日 お知らせ細井助教が、6月25日に名古屋大学で行われたシリコン材料・デバイス研究会（SDM）にて、下記の題目で研究発表を行いました。お疲れさまでした。
"高性能GaN MOSFET実現に向けたSiO2/GaN界面制御"
2018年3月26日 お知らせ当研究室では一緒に研究に取り組んでくれる学生さんを募集しており、毎年のように他大学・高専専攻科からの進学者を受け入れています。専攻やコース名に生命とついてはいますが、研究内容は完全に物理系（電子材料・デバイスなど）です。入試は推薦（7月4日 小論文・口頭試問）と一般（8月21日 数学・物理，8月23日 口頭試問）があり、いずれの場合も英語能力証明書（TOEIC, TOEFL, IELTS公式スコア）が必要です。なお、推薦入試は外部受験者のみが対象です。研究室見学等は随時対応しておりますので、直接連絡いただく（contact[at]asf.mls.eng.osaka-u.ac.jp [at]を＠(半角)に置き換えてください）か、5月2日(水)開催の大学院進学説明会から申し込んでください。
2018年3月22日 お知らせ3月17日～20日に早稲田大学で開催された第65回応用物理学会春季学術講演会にて、当研究室より下記7件の口頭講演を行いました。みなさん、お疲れ様でした。
・山田先生：SiO2/GaN MOSデバイスの信頼性向上に向けた界面酸化層の制御
・Kidist先生：XPS study of nitrogen profiles at SiO2/4H-SiC(0001) interfaces with NO annealing
・野崎さん(技術職員)：放射光光電子分光法によるGaN上GaOx層の熱脱離過程の評価
・岡君(D3)：レーザー溶融結晶化による石英基板上引張歪み単結晶GeSnアレイの作製
・岡君(D3)：裏面照射型石英基板上GeSnフォトダイオードの近赤外受光特性評価
・渡邉君(M2)：リセスゲートAlGaN/GaN MOS-HFETへのAlONゲート絶縁膜の導入
・武田君(M1)：SiCジャンクションレスMOSFETによるAl原子がチャネル移動度に与える影響の検証
2018年3月12日 お知らせ岡くん(D3)が、3月9日にNHK放送技術研究所にて行われた映像情報メディア学会情報センシング研究会にて、下記の題目で研究発表を行いました。お疲れさまでした。
"裏面照射型近赤外イメージセンサーに向けた石英基板上単結晶GeSnフォトダイオードアレイの開発"
2018年3月12日 お知らせ渡部教授が、3月7日に名古屋にて行われた国際会議ISPlasma2018にて、下記の題目で招待講演を行いました。お疲れさまでした。
"Gate Stack Technology for Advanced GaN-based MOS Devices"
2018年3月7日 お知らせ岡くん(D3)が、1月下旬から1カ月間、ベルギーの国際研究機関であるimecへインターンシップに行ってきました。極寒の日本を脱出し、休日はグルメなどベルギー生活を満喫されたようです。詳細は後程研究室ブログにUPされますので、そちらをご覧ください。
2018年2月27日 お知らせ2月22日～23日に開催されました物質生命コース平成29年度修士論文発表会において、細野凌君(M2)が「優秀賞」を受賞しました。おめでとうございます。
2018年2月2日 お知らせ当研究室の岡くん(D3)が、昨年に引き続き、第16回IEEE EDS Japan Chapter Student Awardを受賞しました。現在海外インターンシップ中で、IEEE EDS Japan Chapter総会にて行われた授賞式に参加できなかったのは少々残念ですが、大変喜ばしいことです。おめでとうございます。
2018年1月29日 お知らせ1月29日に龍谷大学大阪梅田キャンパス にて開催された第17回「関西コロキアム電子デバイスワークショップ」に細井助教が参加し、下記の講演を行いました。お疲れ様でした。
"High-mobility TFT and enhanced luminescence utilizing nucleation-controlled GeSn growth on transparent substrate for monolithic optoelectronic integration"
H. Oka, M. Koyama, T. Tomita, T. Amamoto, K. Tominaga, S. Tanaka, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe
2018年1月25日 お知らせ当研究室では一緒に研究に取り組んでくれる学生さんを募集しており、毎年のように他大学・高専専攻科からの進学者を受け入れています。専攻やコース名に生命とついてはいますが、研究内容は完全に物理系（電子材料・デバイスなど）です。研究室見学等は随時対応しておりますので、直接連絡いただく（contact[at]asf.mls.eng.osaka-u.ac.jp [at]を＠(半角)に置き換えてください）か、3月2日(金)開催の大学院進学説明会から申し込んでください。
2018年1月22日 お知らせ1月18日～20日に静岡県三島市にて開催された電子デバイス界面テクノロジー研究会(第23回研究会)に、渡部教授、志村准教授、細井助教、冨田君(M2)が参加しました。当研究室からは以下の研究発表を行いました。みなさん、お疲れ様でした。
・細井助教：石英基板上単結晶GeSn層形成と光電子デバイス応用
・冨田君(M2)：横方向液相エピタキシャル成長により作製した引張歪み高濃度n型Ge細線の低温発光特性と共振器の形成
・施 泓安さん(パナソニック/共同研究)：Si基板上MIS型GaNパワーデバイスの開発（招待講演）
2018年1月4日 ご挨拶みなさま、新年明けましておめでとうございます。新しい年が、みなさまにとって実り多き年となりますように。 本年も渡部研究室をどうぞよろしくお願い申し上げます。
2017年12月28日 ご挨拶今年も残りわずかとなりました。本年中、当研究室の活動に関わってくださったすべてのみなさま、大変お世話になり、誠にありがとうございました。 来年も本年同様よろしくお願い申し上げます。どうぞ良いお年をお迎えください。
2017年12月18日 お知らせ12月10日～15日に沖縄科学技術大学院大学で開催されたHSTD11 & SOIPIX2017にて、細野君(M2)が以下の研究発表を行い、Poster Student Awardを受賞しました。おめでとうございます。
・細野君(M2)：Improvements of Grating-based X-ray Phase Contrast Imaging with a Microfocus X-ray Source by a SOI Pixel Detector, SOPHIAS
2017年12月14日 お知らせ12月6日～9日にサンディエゴにて開催された48th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (2017 SISC)に、渡部教授、細井助教、染谷さん（研究員）、渡邉君(M2)が参加しました。当研究室からは以下の研究発表を行いました。みなさん、お疲れ様でした。
・細井助教：4H-SiC(0001) N- and P-channel MOSFETs with Pure SiO2 Gate Dielectrics Formed under Extreme Oxidation Conditions
・染谷さん（研究員）：Improved Channel Mobility of 4H-SiC N-MOSFETs by Ultrahigh-Temperature Oxidation with Low-Oxygen Partial-Pressure Cooling Procedure
・渡邉君(M2)：AlGaN/GaN MOS-HFET with high-quality and robust N-incorporated aluminum oxide (AlON) gate insulator
2017年12月14日 お知らせ12月2日～6日にサンフランシスコにて開催された63rd IEEE International Electron Devices Meeting (2017 IEDM)に、渡部教授、志村准教授、細井助教、岡君(D3)が参加し、岡君が以下の研究発表を行いました。みなさん、お疲れ様でした。
・岡君(D3)：Back-side Illuminated GeSn Photodiode Array on Quartz Substrate Fabricated by Laser-induced Liquid-phase Crystallization for Monolithically-integrated NIR Imager Chip
2017年11月29日 お知らせ11月20日～22日、奈良の東大寺総合文化センターにて国際会議2017 IWDTFが開催されました。渡部教授が組織委員長を務め、志村准教授は実行委員、細井助教はプログラム委員として会議の運営に携わりました。そして当研究室からは、以下の口頭発表およびポスター発表を行い、渡邉君(M2)がIWDTF Young Awardを受賞しました。おめでとうございます！皆様、開催準備から当日の運営まで、大変お疲れ様でした。
・山田先生：Physical and Electrical Characterization of AlGaN/GaN MOS Gate Stacks with AlGaN Surface Oxidation Treatment
・野崎さん(技術職員)：AlON Gate Dielectrics Formed by Repeating ALD-based Thin AlN Deposition and In situ Oxidation for AlGaN/GaN MOS-HFETs
・渡邉君(M2)：SiO2/AlON Stacked Gate Dielectrics for AlGaN/GaN MOS-HFET
2017年11月7日 お知らせ11月1日～2日名古屋国際会議場にて開催された先進パワー半導体分科会第4回講演会にて、当研究室より7件のポスター発表を行いました。みなさん、お疲れ様でした！発表内容(タイトル)は下記の通りです。
・山田先生：ICPエッチング表面のプラズマ酸化処理によるSiO2/GaN界面欠陥の低減
・野崎さん(技術職員)：AlGaN/GaN MOSデバイス向けALD-AlONゲート絶縁膜に対する窒素添加効果
・Kidist先生：Impact of ultrahigh-temperature gate oxidation and hydrogen annealing on the performance of 4H-SiC(0001) p-channel MOSFETs
・武田君(M1)：ジャンクションレス4H-SiC(0001) MOSFETを用いた高濃度n+層の電子移動度評価
・寺島君(M1)：プラズマCVD成膜したSiO2/AlGaN界面特性の成膜電力依存性と堆積後熱処理の検討
・大迫さん(M1)：紫外光照射とアニール処理によるSiC MOSキャパシタの電気特性改善
・西村さん（SCREEN,共同研究)：レーザーテラヘルツエミッション顕微鏡を用いた4H-SiCウエハ/熱酸化膜の特性評価
2017年10月26日 お知らせ渡部教授、細井助教、岡君（D3)が参加するIEDM 2017(12/2～6 アメリカ、サンフランシスコ開催)において、GeSnフォトダイオードに関する岡君の論文が採択され、Editor Press CenterのページにTechnical Highlightsとして掲載されました。タイトル等は以下の通りです。
Paper #16.3, "Back-side Illuminated GeSn Photodiode Array on Quartz Substrate Fabricated by Laser-Induced Liquid-Phase Crystallization for Monolithically-Integrated NIR Imager Chip"
H. Oka et al, Osaka Univ./Hiroshima Univ.
2017年9月28日 お知らせ9月20日～22日に大阪大学豊中キャンパスにて開催された2017年度精密工学会秋季大会に、細野君（M2)、塚本君（M1)が参加し、細野君がベストポスタープレゼンテーション賞を受賞しました。おめでとうございます！それぞれの発表内容(タイトル)は下記の通りです。
・細野君(M2)：マイクロフォーカスX線源と振幅格子を用いた多波長X線位相イメージング-SOIピクセル検出器による高度化-
・塚本君(M1)：La 埋め込みターゲットを用いたTalbot-Lau干渉計によるX線位相イメージング
2017年9月28日 お知らせ9月17日～22日にワシントンD.C.にて開催されたInternational Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017)に、細井助教、Kidist先生、辻さんが参加し、下記のタイトルにて口頭講演およびポスター発表を行いました。みなさん、お疲れ様でした！発表内容(タイトル)は下記の通りです。
・細井助教：Interface Property of SiO2/4H-SiC(0001) Structures Formed by Ultrahigh-Temperature Oxidation under Low Oxygen Partial Pressure
・Kidist先生：Significant Performance Improvement in 4HSiC(0001) P-Channel MOSFETs with Gate Oxides Grown at Ultrahigh-Temperature
・辻さん(研究員)：Improvement of SiO2/4H-SiC(0001) Interface Properties by H2 and Ar Mixture Gas Treatment Prior to SiO2 Deposition
2017年9月19日 お知らせ国際会議 The 4th International conference on X-ray and Neutron Phase Imaging with Gratings (XNPIG2017) (9月12日～15日 スイス/ジュネーブ) に志村准教授と細野君(M2)が参加し、細野君が「X-ray Phase Contrast Imaging using a Microfocus X-ray source Conjunction with Amplitude Grating and SOI Pixel Detector」という題目で研究発表を行いました。お疲れ様でした！
2017年9月8日 お知らせ9月5日～8日に福岡国際会議場他にて開催された2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会で、当研究室より6件の口頭講演を行いました。みなさん、お疲れ様でした！発表内容(タイトル)は下記の通りです。
・山田先生：ドライエッチングしたGaN表面の酸化処理によるSiO2/GaN界面特性改善
・野崎さん(技術職員)：AlGaN/GaN上にALD法で形成したAlONゲート絶縁膜の電気特性評価
・岡君(D3)：透明基板上単結晶GeSn n+/p接合フォトダイオードの作製と評価
・細野君(M2)：多層膜X線ターゲットとピクセル検出器を用いた元素識別X線イメージング
・武田君(M1)：ジャンクションレス4H-SiC(0001) MOSFETの電子移動度評価
・寺島君(M1)：プラズマCVD成膜したSiO2/AlGaN界面特性の成膜電力および温度依存性
2017年8月30日 お知らせ渡部教授の副理事の任期が1年間継続となりました。
2017年8月29日 お知らせ 国際会議The 15th International Conference on Advanced Materials (IUMRS-ICAM 2017)（8月27日～9月1日、京都大学）にて、細井助教が「Single-Crystalline GeSn Formation on Transparent Substrate and its Optoelectronic Applications」の題目で招待講演を行いました。
お疲れ様でした！
2017年7月6日 お知らせ 国際会議2017 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2017)（7月3日～5日、韓国(慶州)）にて、細井助教が「MOS Interface Engineering for Advanced SiC and GaN Power Devices」の題目で招待講演を行いました。
お疲れ様でした！
2017年7月5日 お知らせ 新学術領域研究「３次元半導体検出器で切り拓く新たな量子イメージングの展開」第8回研究会 (6月28日～30日 宮崎大学 木花キャンパス ) に志村准教授と細野君(M2)が参加し、細野君が「マイクロフォーカスＸ線源と振幅格子を用いたＸ線位相イメージング -振幅格子の投影像の短周期化の検討-」 という題目で、ショートプレゼンおよびポスター発表を行いました。お疲れ様でした！
2017年6月9日 お知らせ国際会議 2017 Symposium on VLSI Technology (6月5日～8日 リーガロイヤルホテル京都) において、岡君（D3）が「Enhancement-Mode N-Channel TFT and Room-Temperature Near-Infrared Emission Based on n+/p Junction in Single-Crystalline GeSn on Transparent Substrate」 の題目で研究発表を行いました。お疲れ様でした！
2017年6月2日 お知らせ国際会議 The 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD 2017) (札幌, 5月28日～6月1日 Royton Sapporo) において、細井助教と渡邉君（M2）がそれぞれ「Reliability-Aware Design of Metal/High-K Gate Stack for High-Performance SiC Power MOSFET」、「Design and Control of Interface Reaction between Al-based Dielectrics and AlGaN Layer for Hysteresis-free AlGaN/GaN MOS-HFETs」の題目で研究発表を行いました。お疲れ様でした！
2017年5月19日 お知らせ 日本真空学会 スパッタリングおよびプラズマプロセス技術部会（SP部会）第153回定例研究会（5月19日、信州大学工学キャンパス内 国際科学イノベーションセンター）にて、細井助教が「GaNパワーMOSFET向けゲート絶縁膜技術」の題目で依頼講演を行いました。
2017年4月19日 お知らせ 当研究室では一緒に研究に取り組んでくれる学生さんを募集しており、ほぼ毎年のように他大学・高専専攻科からの進学者を受け入れています。
研究室見学等は随時対応しておりますので、直接連絡いただく（contact[at]asf.mls.eng.osaka-u.ac.jp [at]を＠(半角)に置き換えてください）か、5月2日(火)に開催の大学院進学説明会から申し込んでください（9.の研究室見学会の欄で「応用表面科学領域（渡部研究室）」を選択してください）。
推薦入試は他大学を卒業予定、もしくは高専専攻科を修了予定の方のみが対象で、6月5日～7日が出願期間、7月5日(水)が試験日（小論文、口頭試問）です。
一般入試は7月10日～21日が出願期間で、8月22日(水)に筆記試験（数学、物理学）、24日に口頭試問があります。
出願書類等の詳細はこちらでご確認ください。
2017年4月19日 お知らせD3岡君が受賞した第15回 2016年IEEE EDS Japan Chapter Student Awardの授賞式（2月15日）の写真をアップしました。1 2
岡君は今年6月に京都で開催される2017 Symposia on VLSI Technologyでの発表も採択されたので、第16回の受賞も期待です！
ちなみに第1回IEEE EDS Japan Chapter Student Awardを受賞したのは……
2017年4月11日 お知らせ 渡部教授が、4月1日付で大阪大学「栄誉教授」の称号を付与されました。おめでとうございます！
2017年3月22日 お知らせ3月14日～17日にパシフィコ横浜にて開催された2017年第64回応用物理学会春季学術講演会で、当研究室より7件の口頭講演行いました。みなさん、お疲れ様でした！発表内容(タイトル)は下記の通りです。
・山田先生：SiO2/GaN構造におけるSiO2膜中へのGa拡散とMOS電気特性への影響
・岡君(D2)：横方向液相成長により作製したSbドープ単結晶GeSn nチャネルTFT
・勝君(M2)：熱酸化極限条件で作製した4H-SiC(0001) MOSFETの電気特性評価
・冨田君(M1)：横方向液相成長によって作製した引張歪み高濃度n型Ge細線の光学特性評価
・藤田君(M1)：Ba 増膜酸化SiO2/SiCにおける表面粗さのBa膜厚及び酸化温度依存性
・細野君(M1)：マイクロフォーカスＸ線源と振幅格子を用いたＸ線位相イメージング-振幅格子の投影像の短周期化の検討-
・渡邉君(M1)：AlGaN表面の熱酸化過程の放射光光電子分光分析
2017年2月27日 お知らせ 2月23日-24日に開催されました物質生命コース平成28年度修士論文発表会において、田中章吾君(M2)が「優秀賞」を受賞しました。おめでとうございます！
2017年2月2日 お知らせ 当研究室では一緒に研究に取り組んでくれる学生さんを募集しており、ほぼ毎年のように他大学・高専専攻科からの進学者を受け入れています。
見学等をご希望の場合、直接連絡いただく（contact[at]asf.mls.eng.osaka-u.ac.jp [at]を＠(半角)に置き換えてください）か、3月10日(金)には大学院進学説明会が開催されますので、そちらから申し込んでいただくことも可能です（9.の研究室見学会の欄で「応用表面科学領域（渡部研究室）」を選択してください）。
推薦入試は例年ですと、6月上旬の出願、7月上旬に試験（小論文、面接）といったスケジュールです。
2017年1月6日 お知らせ 岡くん(D2)が第15回IEEE EDS Japan Chapter Student Awardを受賞しました。おめでとうございます！
2月15日(水)に開催されますIEEE EDS Japan Chapter総会において、表彰式が行われます。
2017年1月5日 お知らせ謹賀新年　
１月３日、渡部研究室の１０周年記念パーティーが梅田にて開催されました。多くの方にご参加いただきまして、ありがとうございます！
今年も渡部研究室をどうぞよろしくお願い申し上げます。
2016年12月12日 お知らせ国際会議 2016 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM, 12月3日～7日 米国サンフランシスコ) において、岡君（D2）が[1 High-mobility TFT and Enhanced Luminescence Utilizing Nucleation-controlled GeSn Growth on Transparent substrate for Monolithic Optoelectronic Integration] の題目で研究発表を行いました。
発表後はサンディエゴに移動して47th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference（SISC, 12月8日～10日 米国サンディエゴ）で情報収集をされました。長旅お疲れさまです。
2016年9月21日 お知らせ 2016年第77回応用物理学会秋季学術講演会 (9/13-16, 朱鷺メッセ/新潟)で冨田君(M1)がポスター賞を受賞しました。おめでとうございます！
2016年9月6日 お知らせ来週の9月13日～16日に朱鷺メッセ(新潟)にて開催される2016年第77回応用物理学会秋季学術講演会で、当研究室より6件の口頭講演と1件のポスター講演を行う予定です。発表内容(タイトル)は下記の通りです。
・山田先生：GaN 表面の熱酸化におけるキャップ層の効果、熱酸化処理によるSiO2/GaN 界面でのGaOx 形成とMOS 界面特性向上
・Chanthaphan研究員：Improvement of physical and electrical properties in SiC-MOSdevices using deposited insulators on barium-enhanced thermal oxides
・勝君(M2)：理想SiO2/SiC 界面の実現に向けた超高温・低酸素分圧酸化の検討
・冨田君(M1)：Sb ドープアモルファスGe の局所溶融横方向液相エピタキシャル成長によるn 型Ge 細線の作製と評価
・細野君(M1)：振幅格子とピクセル検出器を用いたエネルギー分解X 線位相イメージングの検討
・渡邉君(M1)：AlGaN/GaN MOS-HEMT 電気特性劣化のゲート絶縁膜成膜温度依存性の検証
2016年9月2日 お知らせThe 7th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon (11月21日～27日, 米国ハワイ・コナ）にて、志村准教授が成果発表を行います。
2016年9月2日 お知らせPRiME 2016 (10月3日～7日, 米国ハワイ・ホノルル）にて、渡部教授が招待講演を行います。
2016年9月2日 お知らせ11th The European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM) (9月24日～30日, ギリシャ・ハルキディキ）にて、細井助教が招待講演とChanthaphan研究員（学振特別研究員）が研究発表を行います。
2016年9月2日 お知らせ渡部教授が、8月26日付で副理事に就任されました。
2016年6月13日 お知らせ2016 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW, 6月12日～13日, 米国ホノルル）にて、D2の岡さんが研究発表を行います。
2016年4月8日 お知らせ平成29年度4月入学前期課程（推薦入学）の募集要項が公表されています。他大学を卒業予定、もしくは専修学校専門課程を修了予定の方が対象となります。
出願期間：平成28年6月1日（水）～同 6月7日（火）
試験日　：平成28年7月6日（水）
試験科目：小論文、面接及び口頭試問
出願書類等の詳細はこちらでご確認ください。[平成26年7月以降に実施されたTOEIC（公式認定証）またはTOEFL（受験者用控えスコア票 ※受験者用控えスコア票が発行されない国・地域でTOEFLを受験し、そのスコアを利用する場合は、公式スコア票）のいずれかの書類の原本及びそのコピー（A4版）が必要です。]
当研究室では、ほぼ毎年のように他大学・高専専攻科からの進学者を受け入れています。見学・話を聞くだけでも大歓迎ですので、興味のある方はお気軽にご連絡をお願いします。 　→ Contact Us!

平成29年度4月入学前期課程（一般選抜）の募集要項の概略は、下記の通りです。
出願期間：平成28年7月11日（月）～同 7月22日（金）
試験期日：平成28年8月23日（火）～同 8月25日（水）
試験科目：数学、物理学、口頭試問
出願書類等の詳細はこちらでご確認ください。[平成26年8月以降に実施されたTOEIC（公式認定証）またはTOEFL（受験者用控えスコア票　※受験者用控えスコア票が発行されない国・地域でTOEFLを受験し、そのスコアを利用する場合は、公式スコア票）のいずれかの書類の原本及びそのコピー（A4版）が必要です。]
一緒に研究に取り組んでくれる意欲のある学生さんを学内外から広く募集しています。 → Contact Us!

後期課程は平成28年度10月入学の募集もあります。研究テーマや計画など進学のご相談は随時受付けていますので、お気軽にご連絡をお願いします。
2016年3月25日 お知らせ2016年第63回応用物理学会春季学術講演会（3月19日～22日、東工大 大岡山キャンパス ）にて、東レの小川さんが「第7回（2016年春季）応用物理学会 Poster Award」を受賞しました。誠におめでとうございます。
また、当研究室より計１２件のポスター発表と一般講演をおこないました。皆さんお疲れ様です。
2016年2月26日 お知らせ2月23-24日に開催されました物質生命コース平成27年度修士論文発表会において、伊藤康浩君(M2)が「優秀賞」を受賞しました。おめでとうございます！
2016年1月25日 お知らせ 電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―（第21回）(1/21-23, 静岡県三島市)で田中君(M1)が服部賞を受賞しました。おめでとうございます！
2015年12月7日 お知らせ国際会議 the 46th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC, 12月2日～5日 米国アーリントン) において、細井助教と淺原君（M2）がそれぞれ研究発表を行いました。
その後、渡部教授と細井助教はワシントンに移動してInternational Electron Device Meeting（IEDM, 12月6日～9日 米国ワシントン）で情報収集を行います。
2015年10月6日 お知らせ10月11日～16日にアメリカのフェニックスで開催される国際会議 The 228th ECS Meetingにて、志村准教授が局所溶融成長GeSn層の光電子デバイス応用技術に関する招待講演を行います。
2015年10月5日 お知らせ10月4日～9日にイタリアのジャルディーニ・ナクソスで開催される国際会議 The 16th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2015)にて、当研究室から全5件の発表を行います。
細井助教は堆積絶縁膜応用SiC-MOSデバイスの界面固定電荷評価を1件、Chanthaphan研究員（学振特別研究員）はSiC-MOS界面窒化技術とMOS界面の発光分析の2件、勝君(M1)はSiC-MOSデバイス信頼性に関する招待発表を1件行います。SiC-MOSデバイス中の可動イオンに関する名古屋大学・白石研究室との共同研究成果発表が1件です。
2015年9月17日 お知らせ 国際会議The 3rd Meeting of X-Ray and Neutron Phase Imaging with Gratings(XNPIG2015)(9/8-11, ワシントンDCエリア)で山崎君(M2)がポスター賞を受賞しました。おめでとうございます！
2015年9月9日 お知らせ9月13日～16日に名古屋国際会議場にて開催される2015年第76回応用物理学会秋季学術講演会で、当研究室より一般講演と渡部教授はシンポジウム講演を行う予定です。発表内容は下記の通りです。
　渡部教授：半導体デバイスの最先端絶縁膜技術
　Chanthaphan研究員、永井君(M2)、勝君(M1)：SiCパワーデバイス
　山田先生、淺原君（M2）：GaNパワーデバイス
　天本君（M2）：GeSn細線作製技術とその発光特性評価
2015年9月3日 お知らせ9月8日～11日にアメリカのワシントンDCエリアで開催される国際会議 The 3rd Meeting of X-Ray and Neutron Phase Imaging with Gratings(XNPIG2015)に志村准教授、森本君(D3)、伊藤康浩君(M2)、山崎君(M2)が参加します。森本君は2次元X線位相イメージング、伊藤君は高エネルギーX線位相イメージング、山崎君はランタン埋め込みX線光源について研究成果を発表します。
2015年9月2日 お知らせ8月28日～31日につくばの産業技術総合研究所にて行われた第4回 TIAパワーエレクトロニクスサマースクールに、勝君(M1)が参加をしました。パワーエレクトロニクスの基礎・応用知識を学び、他大学の学生や企業の方と交流をして、研究開発の最前線に触れてきました。
2015年8月31日 お知らせ国際会議 11th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-11)（ICNS-11 2015, 8月30日～9月4日, 中国・北京）にて、野崎先生が研究成果を発表します。
2015年7月14日 お知らせ渡部教授が第4回（平成27年度）大阪大学総長顕彰を受賞しました。2年連続の受賞です。同時に、細井助教は総長奨励賞を受賞しました。
2015年6月4日 お知らせ森本君（D3）が （一社）生産技術振興協会より平成27年度上半期海外論文発表奨励賞を受賞しました。おめでとうございます！
この受賞に伴い生産技術振興協会より支援を受け、本年9月にアメリカで開催される国際会議The Third Meeting of X-Ray and Neutron Phase Imaging with Gratings (XNPIG2015)にて研究発表を行う予定です。
2015年4月10日 お知らせ平成28年度4月入学前期課程（推薦入学）の募集要項が公表されています。他大学を卒業予定、もしくは専修学校専門課程を修了予定の方が対象となります。
出願期間：平成27年6月8日（月）～同 6月10日（水）
試験日　：平成27年7月1日（水）
試験科目：小論文、面接及び口頭試問
出願書類等の詳細はこちらでご確認ください。[平成25年7月以降に実施されたTOEIC（公式認定証）またはTOEFL（受験者用控えスコア票 ※受験者用控えスコア票が発行されない国・地域でTOEFLを受験し、そのスコアを利用する場合は、公式スコア票）のいずれかの書類の原本及びそのコピー（A4版）が必要です。]
当研究室では、ほぼ毎年のように他大学・高専専攻科からの進学者を受け入れています。見学・話を聞くだけでも大歓迎ですので、興味のある方はお気軽にご連絡をお願いします。 　→ Contact Us!

平成28年度4月入学前期課程（一般選抜）の募集要項の概略は、下記の通りです。
出願期間：平成27年7月21日（火）～同 7月24日（金）
試験期日：平成27年8月24日（月）～同 8月26日（水）
試験科目：数学、物理学、口頭試問
出願書類等の詳細はこちらでご確認ください。[平成25年8月以降に実施されたTOEIC（公式認定証）またはTOEFL（受験者用控えスコア票　※受験者用控えスコア票が発行されない国・地域でTOEFLを受験し、そのスコアを利用する場合は、公式スコア票）のいずれかの書類の原本及びそのコピー（A4版）が必要です。]
一緒に研究に取り組んでくれる意欲のある学生さん学内外から広く募集しています。 → Contact Us!

後期課程は平成27年度10月入学の募集もあります。研究テーマや計画など進学のご相談は随時受付けていますので、お気軽にご連絡をお願いします。
2015年3月12日 お知らせ3月11日に工学部 応用自然科学科 精密科学コースの卒論審査最終試問が行われました。緊張しながらも４人ともよく頑張りました。
2015年3月6日 お知らせ2015年第62回応用物理学会春季学術講演会（3月11日～14日、東海大学平塚キャンパス）にて、当研究室からシンポジウム１件と一般セッション７件（うち連携研究１件）の講演を行う予定です。
渡部教授と細井助教は、先進パワーデバイスに関してシンポジウム講演を行います。森本君（D1）と佐野君（B4）は埋め込みターゲットについて、天本君（M1）はGeSn PL測定について、伊藤丈予君（M1）はGaNデバイスについて、福島君（M2）と勝君（B4）はSiC-MOSデバイスについてそれぞれ一般講演を行います。また、志村准教授と連携研究を行っている物質構造科学研究所の高橋さんはX 線トポグラフィについて発表されます。
2015年2月27日 お知らせ2月23-24日の物質生命工学コース修士論文発表会において、福島君が「優秀賞」を受賞しました。おめでとう！
2015年1月27日 お知らせ「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」（第20回） （1月29日～31日、東レ総合研修センター）にて、Chanthaphan研究員（学振特別研究員）がSiC-MOSデバイスについて、天本君（M1）がGeSnのフォトルミネッセンス測定について研究成果発表を行います。
また、当研究室にて博士号を取得されて、現在はアメリカでご活躍の安藤さんが、High-kゲートスタックについて招待講演を行われます。
2014年12月8日 お知らせ国際会議 The 45th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC, 12月10日～13日 米国サンディエゴ) において、細井助教と岡君（M2）がそれぞれGOI構造作製技術とGe-MOSについて研究発表を行います。
発表後はサンフランシスコに移動してInternational Electron Device Meeting（IEDM, 12月15日～17日 米国サンフランシスコ）で情報収集、そしてカリフォルニア大学バークレー校のクリーンルーム設備見学と長旅です。
2014年11月18日 お知らせ先進パワー半導体分科会 第１回講演会（11月19日～20日、ウインクあいち）において、福島君（M２）、永井君、鄭君（共にM１）がSiC熱酸化膜に関しての研究成果発表を行います。
2014年11月5日 お知らせ特任助教または博士研究員の募集を開始しました。詳細は、こちら[PDF]をご覧ください。
2014年10月23日 お知らせ国際会議 International Union of Materials Research Societies- The IUMRS International Conference in Asia 2014（IUMRS-ICA 2014, 8月24日～30日, 福岡大学）にて 森本君（D2）行った発表が The Award for Encouragement of Research in IUMRS-ICA2014 を受賞しました。おめでとうございます！
2014年9月30日 お知らせ9月度は、博士課程、修士課程、学部からそれぞれ１名の修了生・卒業生が新たな一歩を踏み出しました。ご卒業・修了おめでとう！それぞれの道でのご活躍を心よりお祈りします。
2014年9月24日 お知らせ今週は、細井助教と社会人Drの許さん（D1）が10th European Conference on Silicon Carbide & Related Materials（ECSCRM2014, 9月21日～25日、仏グルノーブル）に参加しています。細井助教はSiC-MOS界面に関して京都大学の木本恒暢先生との連携研究の成果を発表します。許さんもSiC-MOS界面について研究発表を行います。 また、名古屋大学大学院 工学研究科 計算理工学専攻の遠藤賢太郎さん（M1）が、当研究室と連携して行ったSiC-MOSの第一原理計算による研究成果について発表します。
2014年9月16日 お知らせ2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会（9月17日～20日、北海道大学札幌キャンパス）にて、森本君（D2）が講演奨励賞受賞記念講演を行います。
また、当研究室からは7件の一般講演を行う予定です。森本君（D2）、伊藤康浩君（M1）、山崎君（M1）は、X線位相イメージングについて、福島君（M2）と永井君（M1）は、SiC熱酸化膜について、梶村さん（M2）と冨永君（M1）は、液相成長GeSnについて、それぞれ発表します。
2014年9月10日 お知らせ耐震改修工事が完了したので、当研究室は下記の場所へ戻り移転いたしました。
〒565-0871 大阪府吹田市山田丘2-1 Ｍ１棟６階
なお、電話/FAX番号とメールアドレスは従来と同じです。
スタッフ一同、心機一転、頑張って参りますので今後ともよろしくお願い申し上げます。お近くにお越しの際は、是非お立ち寄りください。
2014年8月12日 お知らせ国際会議 International Union of Materials Research Societies- The IUMRS International Conference in Asia 2014（IUMRS-ICA 2014, 8月24日～30日, 福岡大学）にて、森本君（D2）がX線位相イメージングについて研究成果を発表します。
2014年7月8日 お知らせ渡部教授が第3回（平成26年度）大阪大学総長顕彰（研究部門)を受賞しました。
2014年6月23日 お知らせ岡君（M2）がIEEE EDS Kansai Chapter IMFEDK Student Paper Award「Schottky Barrier Height Reduction of NiGe/Ge Junction by P Ion Implantation for Metal Source/Drain Ge CMOS Devices」を受賞しました。おめでとうございます。
2014年6月18日 お知らせ電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス(SDM)研究会（6月19日, 名古屋大学）にて、淺原君（M1）がGe-MOSデバイスについて研究発表を行います。
また、The 2014 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai（6月19日～20日, 龍谷大学）にて、岡君（M２）が同じくGe-MOSデバイスについて成果発表を行います。
2014年6月16日 お知らせ本日、博士論文公聴会が執り行われ、Chanthaphan君（D3）がSiC-MOSデバイスに関する発表を行いました。
2014年5月28日 お知らせ2014 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW, 6月8日～9日, 米国ホノルル）にて、細井助教がGe-MOSデバイスに関する研究発表を行います。
2014年5月13日 お知らせ森本君（D1）が第36回（2014年春季）応用物理学会講演奨励賞「マルチライン状Mo埋め込みターゲットによる位相格子の自己像直接検出とX線位相イメージング」を受賞しました。おめでとうございます。 2014年秋季講演会において受賞記念講演を行う予定です。
2014年5月2日 お知らせ平成27年度4月入学前期課程（推薦入学）の募集要項が発表になりました。他大学を卒業予定、もしくは専修学校専門課程を修了予定の方が対象となります。
出願期間：平成26年6月3日（火）～同 6月5日（木）
試験日　：平成26年7月2日（水）
試験科目：小論文、面接及び口頭試問
出願書類等の詳細はこちらでご確認ください。（平成24年7月1日以降に受験したTOEIC公式認定証またはTOEFL公式スコア票が必要です。）
当研究室では、ここ数年は毎年他大学・高専専攻科からの進学者を受け入れています。見学・話を聞くだけでも大歓迎ですので、興味のある方はお気軽にご連絡をお願いします。 　→ Contact Us!

平成27年度4月入学前期課程（一般選抜）の募集要項も発表になりました。
出願期間：平成26年7月22日（火）～同 7月25日（金）
試験期日：平成26年8月25日（月）～同 8月27日（水）
試験科目：数学、物理学、口頭試問
出願書類等の詳細はこちらでご確認ください。（平成24年8月1日以降に受験したTOEIC公式認定証またはTOEFL公式スコア票が必要です。）
一緒に研究に取り組んでくれる学生さんを待っています。

後期課程は平成26年度10月入学の募集もあります。研究テーマや計画など進学のご相談は随時受付けていますので、お気軽にご連絡をお願いします。
2014年3月24日 お知らせ2014年第61回応用物理学会春季学術講演会（3月17日～20日、青山学院大学相模原キャンパス）にて、社会人Dr. の小川さん（D２）が「第3回（2014年春季）応用物理学会 Poster Award」を受賞しました。誠におめでとうございます。
また、田中君（B4）は、「第35回（2013年秋季）応用物理学会講演奨励賞」の記念講演を無事に行いました。立派な発表でした。改めておめでとう！
森本君（D1）、岡君（M1）、梶村さん（M1）、冨永さん（B4）も良く頑張りました。皆さん、お疲れさまでした。
2014年3月3日 お知らせ2月27-28日の物質生命工学コース修士論文発表会で、箕浦君が「最優秀賞」を、松江君と藤野君が各々「優秀賞」を受賞しました。おめでとう！
2014年2月26日 お知らせ2014年第61回応用物理学会春季学術講演会（3月17日～20日、青山学院大学相模原キャンパス）にて、当研究室から9件（共同研究１件含む）の一般講演を行う予定です。
田中君（B4）は、High-k/Geゲートスタックに関して講演奨励賞受賞記念講演を行います。森本君（D1）と藤野君（M2）はTalbot-Lau干渉計について、梶村さん（M1）と冨永君（B4）は液相成長GOI構造について、岡君（M1）はGe-MOSデバイスについてそれぞれ発表します。 また、社会人Dr. の小川さん（D２）がHigh-k/Geゲートスタックについて、当研究室と連携研究をしている有馬准教授がGe酸化膜について発表を行います。
2014年2月7日 お知らせ下記ワークショップにて、Chathaphan君(D3) がBest Presentation Awardを受賞しました。おめでとう！
2014年2月5日 お知らせ卓越した大学院形成支援補助金事業「高機能化原子制御製造プロセス教育研究拠点」のワークショップ（2月5日～6日 阪大中之島センター）にて、Chathaphan君(D3) がSiC-MOSについて、森本君(D1)がタルボ・ロー干渉計によるX 線位相イメージングについて成果発表を行います。
2014年1月22日 お知らせ「ゲートスタック研究会　―材料・プロセス・評価の物理―」第19回研究会（1月23日～25日、ニューウェルシティ湯河原）にて、田中君（B4）がHigh-k/Geゲートスタックについて、 岡君（M1）がGeコンタクト形成技術について、梶村さん（M1）が液相成長GOI構造の光学特性評価について研究成果を発表します。
また、有馬健太先生（阪大・精密科学コース）が当研究室と共同で実施したGe酸化膜の放射光実験について発表を行います。
2014年1月10日 お知らせドイツのガルミッシュ・パルテンキルヒェンにて開催（1月21日～24日）される国際会議 International Workshop on X-ray and Neutron Phase Imaging with Gratings（XNPIG2014）にて、森本君（D１）と藤野君（M２）がタルボ・ロー干渉計によるX 線位相イメージングに関する研究発表を行います。
2014年1月6日 お知らせ新春を寿ぎ、謹んでお慶び申し上げます。
2014年が素晴らしい一年になりますよう皆様のご健康とご多幸を心よりお祈り申し上げます。本年もなにとぞよろしくお願いいたします。
2013年12月27日 お知らせ12月24日と27日の二日間にわたって研究室の最終報告会が開催され、それぞれのチームから今年の活動と成果について発表がありました。皆さん、お疲れさまでした。
本年は、耐震改修工事に伴う引っ越しという大イベントがあり大変でしたが、仮移転先にも慣れて新しい建物で年の瀬を迎えるのは気持ちの良いものです。来年は再び引っ越しが待っていますが、変化を楽しむ心意気で、大いなる変化を目指す一年としたいですね。
今年も一年間、多方面の方々にたいへんお世話になり誠にありがとうございました。
2014年が皆様にとりまして最良の一年となることを心よりお祈り申し上げます。
2013年12月3日 お知らせSiC及び関連半導体研究 第22回講演会（12月9-10日 埼玉会館）にて、 Chanthaphan君(D3)と樋口君（M1）がSiC-MOSに関して成果発表を行います。
2013年11月26日 お知らせ国際会議 The 8th international conference on advanced materials upon the proven concept and continues the tradition of its seven predecessors (THERMEC2013, 12月2日～6日 米国ラスベガス）にて、細井助教がSiC-MOSについて招待講演を行います。
また、国際会議 The 44th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC, 12月5日～7日 米国アーリントン) においては、細井助教がhigh-k/Geゲートスタック、松江君（M2）が液相成長GOI層の光学特性について、口頭発表を行います。
2013年11月1日 お知らせ2013 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future ULSI Devices (IWDTF2013, 11月7日～9日 筑波大学 東京キャンパス) にて、細井助教が液相成長GOIデバイスについて、箕浦君（M2）が金属／Geコンタクト技術について研究成果発表を行います。
2013年9月27日 お知らせ宮崎のフェニックス・シーガイア・リゾートで開催される国際会議International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2013 (ICSCRM2013, 9月29日-10月4日) にて、Chathaphan君 (D2) が２件、細井助教が１件、SiC-MOSに関する研究成果発表を行います。
2013年9月12日 お知らせ渡部教授が中国科学院 微電子研究所の客員教授に就任しました。
2013年8月20日 お知らせ2013年秋季第74回応用物理学関係連合講演会（9月16日～20日、同志社大学 京田辺キャンパス）にて、当研究室から７件（共同研究１件含む）の一般講演を行います。SiC-MOSでChanthaphan君（D2）、Talbot-Lau干渉計で森本君（D1）、藤野君（M1）、Geフォトニクスで松江君（M2）、Ge-MOSデバイスで箕浦君（M2）、田中君（B4）という内訳です。また、当研究室と共同研究をしている有馬准教授が、Ge酸化膜のXPS評価について１件発表します。
さらに、併設されるJSAP-MRSジョイントシンポジウムにおいて、福田特任助教がバイオナノプロセスに関する研究について発表を行います。
2013年8月12日 お知らせ8月8～9日に、熱海 伊豆山温泉・ハートピア熱海で行われた浦岡CREST研修会に渡部教授と東京農工大学の福田先生（以前、当研究室勤務）が参加しました。
2013年8月9日 お知らせ新居浜工業高等専門学校専攻科 生産工学専攻環境材料工学コースの1年生が当研究室で3週間のシニアインターンシップを終了しました。猛暑の中、お疲れ様でした。またお会いできることを楽しみにしています。
2013年8月2日 お知らせ細井助教が第2回（平成25年度）大阪大学総長奨励賞（研究部門)「超低損失SiCパワーエレクトロニクス実現に向けたゲート絶縁膜技術の研究」を受賞しました。
2013年7月29日 お知らせ7月22～26日の1週間、物質生命工学コース特別課題演習で、化学系のM1学生が当研究室で実験を行いました。物理系との異分野交流が今後の研究の糧になることを願います。クリーンルーム内で記念撮影。
2013年6月24日 お知らせ今週は国際会議ウィークといった感じです。
韓国、ソウルで開催されるAWAD2013（ Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices）にて渡部教授がSiCデバイスについて招待講演を行います。
また、ポーランド、クラクフで開催されるINFOS2013（18th Conference of "Insulating Films on Semiconductors）では細井助教がGe-MOSに関する発表を行います。
2013年6月17日 お知らせ電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス(SDM)研究会（6月18日 機械振興会館）で、渡部教授と細井助教がSiC-MOSについて依頼講演をします。細井助教はGe-MOSについての研究発表も行います。
2013年6月13日 お知らせ耐震改修工事のため、当研究室は下記の場所へ仮移転いたしました。
〒565-0871 大阪府吹田市山田丘2-1 バイオテクノロジー国際交流棟２階
なお、電話/FAX番号とメールアドレスは従来と同じです。
仮移転中（約１年間）は何かとご不便をお掛けすることとなりますが、ご理解ご協力の程どうぞよろしくお願いいたします。
2013年4月1日 お知らせ渡部教授がミーティングチェアをつとめる 2013 MRS Spring Meeting & Exhibit がいよいよ今週開催されます。（April 1-5, 2013 at the Moscone West Convention Center, San Francisco,CA, USA)
2013年3月21日 お知らせ2013年第60回応用物理学会春季学術講演会（3月27日～30日、神奈川工科大学）にて、当研究室から６件（共同研究１件含む）の一般講演を行います。
細井助教とChanthaphan君（D2）がSiO2膜/SiC界面について、秀島君（M2）がHigh-k/Geスタック、森本君（M2）と藤野君（M1）がTalbot-Lau干渉計、西川君（B4）がGOI作製技術について発表します。また、当研究室と共同研究を行っている有馬准教授がGe酸化膜について発表します。
2013年3月19日 お知らせ西川君（B4）が大阪大学工学賞を受賞しました。授賞式は3月22日に執り行われます。
2013年3月14日 お知らせ平成26年度4月入学前期課程（推薦入学）の募集要項が発表になりました。他大学を卒業予定、もしくは専修学校専門課程を修了予定の方が対象となります。
出願期間：平成25年6月3日（月）～同 6月5日（水）
試験日　：平成25年7月3日（水）
試験科目：小論文、面接及び口頭試問
出願書類等の詳細はこちらでご確認ください。（平成23年7月1日以降に受験したTOEIC公式認定証、TOEFL公式スコア票、またはIELTS 成績証明書が必要です。）
当研究室では、ここ数年は毎年他大学・高専専攻科からの進学者を受け入れています。見学・話を聞くだけでも大歓迎ですので、興味のある方はお気軽にご連絡をお願いします。 　→ Contact Us!

一般選抜の平成26年度受験案内と募集要項は4月上旬に掲載予定です。
平成26年度4月入学前期課程（一般選抜）の募集要項も発表になりました。
出願期間：平成25年7月16日（火）～同 7月19日（金）
試験期日：平成25年8月26日（月）～同 8月28日（水）
試験科目：数学、物理学、面接
出願書類等の詳細はこちらでご確認ください。（平成23年8月1日以降に受験したTOEIC公式認定証、TOEFL公式スコア票、またはIELTS 成績証明書が必要です。）
一緒に研究に取り組んでくれる学生さんを待っています。

後期課程は平成25年度10月入学の募集もあります。研究テーマや計画など進学のご相談は随時受付けていますので、お気軽にご連絡をお願いします。
2013年3月12日 お知らせ3月8日に平成24年度応用自然科学科精密科学コース卒業論文発表会が執り行われました。宇山君、西川君、樋口君、お疲れ様でした。
2013年3月7日 お知らせ物質生命工学コース修士論文発表会（2月27日-28日）が行われ、森本君が「最優秀発表賞」を、秀島君と力石君が「優秀発表賞」受賞しました！おめでとうございます！
修士論文発表会については、研究室ブログにも書いています。
2013年2月1日 お知らせIMEC (Leuven, Belgium)にてインターンシップ中の橋元君（D3）から「ベルギー通信」第２号が届きました。研究室ブログにて読めます。
2013年1月28日 お知らせ下記「ゲートスタック研究会」にて発表した松江君（M1）が若手奨励賞（プロセス部門）である安田賞を受賞しました！おめでとう！
これで6年連続の受賞です。ありがとうございます。
松江 将博
「横方向液相エピタキシャル成長により作製したGOI MOSFETのキャリア移動度評価」
2013年1月17日 お知らせ「ゲートスタック研究会　―材料・プロセス・評価の物理―」第18回研究会（1月25日～26日、ニューウェルシティ湯河原）にて、 Chanthaphan君（D2）がSiC熱酸化膜について、小川さん（社会人Dr）がGe酸化膜について、箕浦君（M1）がGeトランジスタについて、松江君（M1）がGOI作製技術について研究成果を発表します。
また、有馬健太先生（阪大・精密科学コース）が当研究室と共同で実施したGe酸化膜の放射光実験について発表を行います。
2013年1月4日 お知らせ明けましておめでとうございます。
新春をお祝いし、皆様のご多幸とご健康を心よりお祈り申し上げます。
研究室一同、これまで以上に精進して参りますので、2013年もよろしくお願い申し上げます。
2012年12月28日 お知らせ昨日は研究室の最終報告会があり、各チームから今年の研究成果について発表がありました。皆さん、お疲れさまでした。
そして、今日は大掃除をして夕方から梅田で忘年会です。本年もあっという間の一年と感じます。
あと3日で2013年の幕開けですが、今年もたくさんのご縁をいただき実りある年となりました。来年も研究室一同「Work hard, Play hard」の精神で、明るく楽しくタフに頑張って参りますので、よろしくお願いいたします。
来る新年が皆さまにとりまして、輝かしい一年となりますようお祈り申し上げます。
2012年12月25日 お知らせ博士論文公聴会が執り行われ、橋元君（D3）が発表しました。トップバッターでしたがなかなか良かったです。お疲れさまでした。
2月には修士論文発表会、3月には卒業論文発表会が開催されます。後輩の皆さんも頑張って行きましょう！
2012年12月13日 お知らせ細井助教、渡部教授、京都大学大学院工学研究科の木本恒暢教授、ローム株式会社、東京エレクトロン株式会社によるSiC MOSFETに関する共同研究の成果が、メディアで紹介されました。
【関連報道】 お知らせ
  • 日刊工業新聞　12/12付　「SiC MOSFET 高誘電率ゲート絶縁膜採用　阪大など　漏れ電流9割低減」
  • 日経産業新聞　12/12付　「電力損失を大幅低減　パワー半導体　アルミ酸化物使う　阪大など」
  • 電波新聞　12/12付　「阪大/京大/ローム/東京エレ　ゲート絶縁膜にAｌON採用　SiCパワーMOSFET開発　13年度にも実用化めざす」
  • 化学工業日報　12/12付　「漏れ電流１ケタ低減　AlON採用のSiCトランジスタ　阪大など開発　長期信頼性も向上」
  • 半導体産業新聞　12/12付　「大阪大学ら　SiC絶縁耐圧1.5倍　AlON膜で信頼性向上」
  • 朝日新聞デジタル　12/12付　「阪大など、高誘電率ゲート絶縁膜を採用したＳｉＣ　ＭＯＳＦＥＴを開発」
  • 日経Tech-On!　12/13付　「【IEDM】リーク電流の90%低減と耐圧1.5倍を実現したSiC製MOSFETをロームらが試作」
  • マイナビニュース　12/11付　「IEDM 2012 -阪大など、漏れ電流低減と絶縁耐圧向上を実現したSiC素子を開発」
  • IT MONOist, EETimes　12/11付　「パワー半導体 SiCデバイス：SiC-MOSFETの課題克服へ、新材料を用いたゲート絶縁膜で信頼性を向上」
  • ELISNET　12/11付　「電力変換装置の損失低減と信頼性向上を実現するSiC トランジスタを開発」
新聞記事は、こちら[PDF]をご覧ください。
2012年12月7日 お知らせ国際シンポジウム 8th Handai Nanoscence and Nanotechnology International Symposium（12月10-11日 大阪大学銀杏会館）にて、 秀島君（M2）がGe MOSトランジスタについて、松江君（M1）が急速加熱液相エピタキシャル成長についてポスター発表を行います。
2012年12月4日 お知らせ明日から３名がアメリカへ出張します。国際会議 The 43rd IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC) に参加し、細井先生がSiCデバイスについて、力石君（M2）がMetal/High-kゲートスタックについて、箕浦君（M1）がGe MOSトランジスタについてそれぞれ発表を行います。(12月6-8日 サンディエゴ）
細井先生は、国際会議 2012 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) でもSiCデバイスについての研究成果を発表します。（12月10日 サンフランシスコ）
箕浦君はバークレー研究所の放射光実験施設ALSにて、お隣の研究室の有馬先生の実験補助を行う予定もあります。
2012年11月30日 お知らせ国際会議 (Visual-JW2012) にて、志村准教授が急速加熱液相エピタキシャル成長によるSGOIとGOI構造の作製法に関する招待講演を行いました。
2012年11月16日 お知らせハワイ島、コナで開催される国際会議 第６回JSPSシリコンシンポジウム(The 6th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials) にて、志村准教授が新GOI構造作製技術とその電気特性評価に関する発表を行います。
2012年11月16日 お知らせ第21回SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会講演会（11月19-20日 大阪市中央公会堂）にて、 細井助教とChanthaphan君(D2)と池口君（M2）が研究成果の発表を行います。
2012年11月13日 お知らせ当研究室のウェブサイトをリニューアルしました。
研究・教育成果や研究室の出来事など様々な情報発信に努めてまいりますので、今後ともよろしくお願い申し上げます。
2012年10月29日 お知らせ10月26日に中之島センターで開催された第12回IEEE関西コロキアム電子デバイスワークショップにて、鈴木君（M2)が招待講演を行いました。
2012年10月25日 お知らせ大阪大学グローバルCOEプログラム「高機能化原子制御製造プロセス教育研究拠点」の第5回国際シンポジウム （10月22日～10月24日 阪大中之島センター）が開催され、我々の研究成果を発表しました。
2012年10月5日 お知らせ10月7-12日にホノルルで開催される会議 PRiME 2012 (ECS 222nd Meeting) にて、渡部教授がGOI作製技術とそのデバイス応用について招待講演を行います。
2012年10月1日 お知らせ9月25日に学位記授与式、９月27日に英語コース修了式が行われ、Ahmed君がフロンティアバイオテクノロジー英語特別プログラムの 博士前期課程を修了しました。　おめでとうございます！ 日本での経験を活かして、帰国後ますますご活躍されますことをお祈りいたします。
そして、研究室ではAhmed君と入れ替わるように、新しい留学生を迎えました。Furkan Alan君です。トルコのイスタンブールからやってきました。　Quantum Engineering Design Course（QEDC）で学びます。
2012年9月26日 お知らせ9月23-28日に横浜で開催される先端電干材料及びその関連材料に関する国際会議International Union of Materials Research Societies - International Conference on Electronic Materials（IUMRS-ICEM 2012）にて、志村准教授がGOI構造作製技術について、力石君（M2）がMetal/High-k ゲートスタックについて研究成果を発表します。
2012年9月14日 お知らせ9月15-20日にロシアのサンクトペテルスブルクで開催されるX線のイメージングに関する国際会議11th Biennial Conference on High Resolution X-Ray Diffraction and Imaging (XTOP 2012）にて、志村准教授と森本君（M2）が埋め込みターゲットを用いたX線位相イメージングと放射光白色X線マイクロビームによる太陽電池用多結晶シリコンの評価について研究成果を発表します。
2012年9月10日 お知らせ2012年秋季第73回応用物理学関係連合講演会（9月11日～14日、愛媛大学・松山大学）にて、当研究室から６件（共同研究１件含む）の一般講演を行います。 光電子デバイスで橋元君（D3）、Talbot-Lau干渉計で藤野君（M1）、GOI作製技術で鈴木君（M2）、SiC-MOSで細井助教、池口君（M2）という内訳です。 また、Ge-MOSで共同研究している有馬准教授が、その成果を１件発表します。
2012年8月31日 お知らせ9th European Conference on Silicon Carbide & Related Materials (ECSCRM-2012)(9月2日～6日　Saint Petersburg, Russia）で、渡部教授と細井助教がSiCパワーデバイスに関する研究成果発表を行います。
2012年8月10日 お知らせ新居浜工業高等専門学校の専攻科生が当研究室で3週間のインターンシップを終了しました。
2012年7月27日 お知らせ7月23～27日の間、物質生命工学コース特別課題演習で、化学系・生物系のM1学生が当研究室で実験を行いました。
2012年7月26日 お知らせSalayev君（フロンティアバイオテクノロジー英語特別プログラムM2）の修士論文発表会がありました。お疲れ様でした。
2012年6月21日 お知らせ2012 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices(6月27日～29日　沖縄青年会館）で、細井助教がSiC MOSデバイスに関する招待講演を行います。
2012年6月20日 お知らせ電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス(SDM)研究会（6月21日 名古屋大学）で、細井助教が高誘電率ゲート絶縁膜について、M1の箕浦君がGe-MOSFETについて研究成果を発表します。
2012年6月18日 お知らせSNW (2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop)（6月10日～11日 米国ホノルル）で、細井助教が高誘電率ゲート絶縁膜に関する研究成果発表を行いました。
2012年4月19日 お知らせB4生の研究室配属が決定し、宇山君、田中君、能見君、樋口君が新メンバーとして加わりました。昨年度トップ8の西川君も引き続き配属となったので、あらためてよろしくお願いします。また、B3生トップ8としては森本（健太）君も配属となりました。
2012年4月17日 お知らせ2012 MRS Spring Meeting（4月9日～13日 米国サンフランシスコ）でChanthaphan君(D1)が、SiC-MOS関連の研究成果発表を行いました。

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