人類は、資源・エネルギー、食料と人口、気候変動・自然災害、都市化と貧困などの地球規模の課題に直面しています。それらを乗り越えて持続可能な社会を築くためには、人と人の絆、そして人と自然との共生を大切し、問題解決に希望をつなぐテクノロジーの発展が求められています。
サステナブル社会の実現と価値ある未来のために、私たちは材料そのものの設計から、異種材料の組み合わせや新構造の採用によって、革新的な機能を発現するデバイスの創製を目指し、幅広い見地から次世代のグリーンナノエレクトロニクスを支える研究開発を進めています。

News & Topics

2017年3月22日 更新2017年度 研究成果を更新しました。
2017年3月22日 お知らせ3月14日~17日にパシフィコ横浜にて開催された2017年第64回応用物理学会春季学術講演会で、当研究室より7件の口頭講演行いました。みなさん、お疲れ様でした!発表内容(タイトル)は下記の通りです。
・山田先生:SiO2/GaN構造におけるSiO2膜中へのGa拡散とMOS電気特性への影響
・岡君(D2):横方向液相成長により作製したSb ドープ単結晶GeSn n チャネルTFT
・勝君(M2):熱酸化極限条件で作製した4H-SiC(0001) MOSFET の電気特性評価
・冨田君(M1):横方向液相成長によって作製した引張歪み高濃度n 型Ge 細線の光学特性評価
・藤田君(M1):Ba 増膜酸化 SiO2/SiC における表面粗さの Ba 膜厚及び酸化温度依存性
・細野君(M1):マイクロフォーカスX線源と振幅格子を用いたX線位相イメージング-振幅格子の投影像の短周期化の検討-
・渡邉君(M1):AlGaN表面の熱酸化過程の放射光光電子分光分析
2017年2月27日 お知らせ 2月23日-24日に開催されました物質生命コース平成28年度修士論文発表会において、田中章吾君(M2)が「優秀賞」を受賞しました。おめでとうございます!
2017年2月9日 更新2017年度 研究成果を更新しました。
2017年2月2日 お知らせ 当研究室では一緒に研究に取り組んでくれる学生さんを募集しており、ほぼ毎年のように他大学・高専専攻科からの進学者を受け入れています。
見学等をご希望の場合、直接連絡いただく(contact[at]asf.mls.eng.osaka-u.ac.jp [at]を@(半角)に置き換えてください)か、3月10日(金)には大学院進学説明会が開催されますので、そちらから申し込んでいただくことも可能です(9.の研究室見学会の欄で「応用表面科学領域(渡部研究室)」を選択してください)。
推薦入試は例年ですと、6月上旬の出願、7月上旬に試験(小論文、面接)といったスケジュールです。
2017年1月25日 更新2017年度 研究成果を更新しました。
2017年1月6日 お知らせ 岡くん(D2)が第15回IEEE EDS Japan Chapter Student Awardを受賞しました。おめでとうございます!
2月15日(水)に開催されますIEEE EDS Japan Chapter総会において、表彰式が行われます。
2017年1月6日 更新2017年度 研究成果を更新しました。
2017年1月5日 お知らせ謹賀新年 
1月3日、渡部研究室の10周年記念パーティーが梅田にて開催されました。多くの方にご参加いただきまして、ありがとうございます!
今年も渡部研究室をどうぞよろしくお願い申し上げます。
2016年12月12日 お知らせ国際会議 2016 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM, 12月3日~7日 米国サンフランシスコ) において、岡君(D2)が[1 High-mobility TFT and Enhanced Luminescence Utilizing Nucleation-controlled GeSn Growth on Transparent substrate for Monolithic Optoelectronic Integration] の題目で研究発表を行いました。 発表後はサンディエゴに移動して47th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference(SISC, 12月8日~10日 米国サンディエゴ)で情報収集をされました。長旅お疲れさまです。

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