人類は、資源・エネルギー、食料と人口、気候変動・自然災害、都市化と貧困などの地球規模の課題に直面しています。それらを乗り越えて持続可能な社会を築くためには、人と人の絆、そして人と自然との共生を大切し、問題解決に希望をつなぐテクノロジーの発展が求められています。
サステナブル社会の実現と価値ある未来のために、私たちは材料そのものの設計から、異種材料の組み合わせや新構造の採用によって、革新的な機能を発現するデバイスの創製を目指し、幅広い見地から次世代のグリーンナノエレクトロニクスを支える研究開発を進めています。

News & Topics

2017年11月7日 お知らせ11月1日~2日名古屋国際会議場にて開催された先進パワー半導体分科会第4回講演会にて、当研究室より7件のポスター発表を行いました。みなさん、お疲れ様でした!発表内容(タイトル)は下記の通りです。
・山田先生:ICPエッチング表面のプラズマ酸化処理によるSiO2/GaN界面欠陥の低減
・野崎さん(技術職員):AlGaN/GaN MOSデバイス向けALD-AlONゲート絶縁膜に対する窒素添加効果
・Kidist先生:Impact of ultrahigh-temperature gate oxidation and hydrogen annealing on the performance of 4H-SiC(0001) p-channel MOSFETs
・武田君(M1):ジャンクションレス4H-SiC(0001) MOSFETを用いた高濃度n+層の電子移動度評価
・寺島君(M1):プラズマCVD成膜したSiO2/AlGaN界面特性の成膜電力依存性と堆積後熱処理の検討
・大迫さん(M1):紫外光照射とアニール処理によるSiC MOSキャパシタの電気特性改善
・西村さん(SCREEN,共同研究):レーザーテラヘルツエミッション顕微鏡を用いた4H-SiCウエハ/熱酸化膜の特性評価
2017年10月26日 お知らせ渡部教授、細井助教、岡君(D3)が参加するIEDM 2017(12/2~6 アメリカ、サンフランシスコ開催)において、GeSnフォトダイオードに関する岡君の論文が採択され、Editor Press CenterのページにTechnical Highlightsとして掲載されました。タイトル等は以下の通りです。
Paper #16.3, "Back-side Illuminated GeSn Photodiode Array on Quartz Substrate Fabricated by Laser-Induced Liquid-Phase Crystallization for Monolithically-Integrated NIR Imager Chip"
H. Oka et al, Osaka Univ./Hiroshima Univ.
2017年10月6日 更新2017年度 研究成果を更新しました。
2017年9月28日 お知らせ9月20日~22日に大阪大学豊中キャンパスにて開催された2017年度精密工学会秋季大会に細野君(M2)、塚本君(M1)が参加し、細野君がベストポスタープレゼンテーション賞を受賞しました。おめでとうございます!それぞれの発表内容(タイトル)は下記の通りです。
・細野君(M2):マイクロフォーカスX線源と振幅格子を用いた多波長X線位相イメージング-SOIピクセル検出器による高度化-
・塚本君(M1):La 埋め込みターゲットを用いたTalbot-Lau干渉計によるX線位相イメージング
2017年9月28日 お知らせ9月17日~22日にワシントンD.C.にて開催されたInternational Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017)に、細井助教、Kidist先生、辻さんが参加し、下記のタイトルにて口頭講演およびポスター発表を行いました。みなさん、お疲れ様でした!発表内容(タイトル)は下記の通りです。
・細井助教:Interface Property of SiO2/4H-SiC(0001) Structures Formed by Ultrahigh-Temperature Oxidation under Low Oxygen Partial Pressure
・Kidist先生:Significant Performance Improvement in 4HSiC(0001) P-Channel MOSFETs with Gate Oxides Grown at Ultrahigh-Temperature
・辻さん(研究員):Improvement of SiO2/4H-SiC(0001) Interface Properties by H2 and Ar Mixture Gas Treatment Prior to SiO2 Deposition
2017年9月19日 お知らせ国際会議 The 4th International conference on X-ray and Neutron Phase Imaging with Gratings (XNPIG2017) (9月12日~15日 スイス/ジュネーブ) に志村准教授と細野君(M2)が参加し、細野君が「X-ray Phase Contrast Imaging using a Microfocus X-ray source Conjunction with Amplitude Grating and SOI Pixel Detector」という題目で研究発表を行いました。お疲れ様でした!
2017年9月8日 お知らせ9月5日~8日に福岡国際会議場他にて開催された2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会で、当研究室より6件の口頭講演を行いました。みなさん、お疲れ様でした!発表内容(タイトル)は下記の通りです。
・山田先生:ドライエッチングしたGaN表面の酸化処理によるSiO2/GaN界面特性改善
・野崎さん(技術職員):AlGaN/GaN上にALD法で形成したAlONゲート絶縁膜の電気特性評価
・岡君(D3):透明基板上単結晶GeSn n+/p接合フォトダイオードの作製と評価
・細野君(M2):多層膜X線ターゲットとピクセル検出器を用いた元素識別X線イメージング
・武田君(M1):ジャンクションレス4H-SiC(0001) MOSFETの電子移動度評価
・寺島君(M1):プラズマCVD成膜したSiO2/AlGaN界面特性の成膜電力および温度依存性
2017年9月4日 更新研究室メンバーページを更新しました。
2017年8月30日 お知らせ渡部教授の副理事の任期が1年間継続となりました。
2017年8月29日 お知らせ 国際会議The 15th International Conference on Advanced Materials (IUMRS-ICAM 2017)(8月27日~9月1日、京都大学)にて、細井助教が「Single-Crystalline GeSn Formation on Transparent Substrate and its Optoelectronic Applications」の題目で招待講演を行いました。
お疲れ様でした!
2017年8月29日 更新2017年度 研究成果を更新しました。
2017年8月23日 更新2017年度 研究成果を更新しました。
2017年7月27日 更新2017年度 研究成果を更新しました。
2017年7月6日 更新2017年度 研究成果を更新しました。
2017年7月6日 お知らせ 国際会議2017 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2017)(7月3日~5日、韓国(慶州))にて、細井助教が「MOS Interface Engineering for Advanced SiC and GaN Power Devices」の題目で招待講演を行いました。
お疲れ様でした!
2017年7月5日 お知らせ 新学術領域研究「3次元半導体検出器で切り拓く新たな量子イメージングの展開」第8回研究会 (6月28日~30日 宮崎大学 木花キャンパス ) に志村准教授と細野君(M2)が参加し、細野君が「マイクロフォーカスX線源と振幅格子を用いたX線位相イメージング -振幅格子の投影像の短周期化の検討-」 という題目で、ショートプレゼンおよびポスター発表を行いました。お疲れ様でした!
2017年6月30日 更新2017年度 研究成果を更新しました。
2017年6月9日 更新2017年度 研究成果を更新しました。
2017年6月9日 お知らせ国際会議 2017 Symposium on VLSI Technology (6月5日~8日 リーガロイヤルホテル京都) において、岡君(D3)が「Enhancement-Mode N-Channel TFT and Room-Temperature Near-Infrared Emission Based on n+/p Junction in Single-Crystalline GeSn on Transparent Substrate」 の題目で研究発表を行いました。お疲れ様でした!
2017年6月2日 更新2017年度 研究成果を更新しました。
2017年6月2日 お知らせ国際会議 The 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD 2017) (札幌, 5月28日~6月1日 Royton Sapporo) において、細井助教と渡邉君(M2)がそれぞれ「Reliability-Aware Design of Metal/High-K Gate Stack for High-Performance SiC Power MOSFET」、「Design and Control of Interface Reaction between Al-based Dielectrics and AlGaN Layer for Hysteresis-free AlGaN/GaN MOS-HFETs」の題目で研究発表を行いました。お疲れ様でした!
2017年5月23日 更新2017年度 研究成果を更新しました。
2017年5月19日 更新2017年度 研究成果を更新しました。
2017年5月19日 お知らせ 日本真空学会 スパッタリングおよびプラズマプロセス技術部会(SP部会)第153回定例研究会(5月19日、信州大学工学キャンパス内 国際科学イノベーションセンター)にて、細井助教が「GaNパワーMOSFET向けゲート絶縁膜技術」の題目で依頼講演を行いました。
2017年4月19日 お知らせ 当研究室では一緒に研究に取り組んでくれる学生さんを募集しており、ほぼ毎年のように他大学・高専専攻科からの進学者を受け入れています。
研究室見学等は随時対応しておりますので、直接連絡いただく(contact[at]asf.mls.eng.osaka-u.ac.jp [at]を@(半角)に置き換えてください)か、5月2日(火)に開催の大学院進学説明会から申し込んでください(9.の研究室見学会の欄で「応用表面科学領域(渡部研究室)」を選択してください)。
推薦入試は他大学を卒業予定、もしくは高専専攻科を修了予定の方のみが対象で、6月5日~7日が出願期間、7月5日(水)が試験日(小論文、口頭試問)です。
一般入試は7月10日~21日が出願期間で、8月22日(水)に筆記試験(数学、物理学)、24日に口頭試問があります。
出願書類等の詳細はこちらでご確認ください。
2017年4月19日 お知らせD3岡君が受賞した第15回 2016年IEEE EDS Japan Chapter Student Awardの授賞式(2月15日)の写真をアップしました。1 2
岡君は今年6月に京都で開催される2017 Symposia on VLSI Technologyでの発表も採択されたので、第16回の受賞も期待です!
ちなみに第1回IEEE EDS Japan Chapter Student Awardを受賞したのは……
2017年4月11日 お知らせ渡部教授が、4月1日付で大阪大学「栄誉教授」の称号を付与されました。おめでとうございます! 大阪大学栄誉教授 称号付与式
2017年4月11日 更新研究室メンバーページを更新しました。
2017年3月22日 更新2017年度 研究成果を更新しました。
2017年3月22日 お知らせ3月14日~17日にパシフィコ横浜にて開催された2017年第64回応用物理学会春季学術講演会で、当研究室より7件の口頭講演を行いました。みなさん、お疲れ様でした!発表内容(タイトル)は下記の通りです。
・山田先生:SiO2/GaN構造におけるSiO2膜中へのGa拡散とMOS電気特性への影響
・岡君(D2):横方向液相成長により作製したSbドープ単結晶GeSn nチャネルTFT
・勝君(M2):熱酸化極限条件で作製した4H-SiC(0001) MOSFETの電気特性評価
・冨田君(M1):横方向液相成長によって作製した引張歪み高濃度n型Ge細線の光学特性評価
・藤田君(M1):Ba 増膜酸化SiO2/SiCにおける表面粗さのBa膜厚及び酸化温度依存性
・細野君(M1):マイクロフォーカスX線源と振幅格子を用いたX線位相イメージング-振幅格子の投影像の短周期化の検討-
・渡邉君(M1):AlGaN表面の熱酸化過程の放射光光電子分光分析
2017年2月27日 お知らせ 2月23日-24日に開催されました物質生命コース平成28年度修士論文発表会において、田中章吾君(M2)が「優秀賞」を受賞しました。おめでとうございます!
2017年2月9日 更新2017年度 研究成果を更新しました。
2017年2月2日 お知らせ 当研究室では一緒に研究に取り組んでくれる学生さんを募集しており、ほぼ毎年のように他大学・高専専攻科からの進学者を受け入れています。
見学等をご希望の場合、直接連絡いただく(contact[at]asf.mls.eng.osaka-u.ac.jp [at]を@(半角)に置き換えてください)か、3月10日(金)には大学院進学説明会が開催されますので、そちらから申し込んでいただくことも可能です(9.の研究室見学会の欄で「応用表面科学領域(渡部研究室)」を選択してください)。
推薦入試は例年ですと、6月上旬の出願、7月上旬に試験(小論文、面接)といったスケジュールです。
2017年1月25日 更新2017年度 研究成果を更新しました。
2017年1月6日 お知らせ 岡くん(D2)が第15回IEEE EDS Japan Chapter Student Awardを受賞しました。おめでとうございます!
2月15日(水)に開催されますIEEE EDS Japan Chapter総会において、表彰式が行われます。
2017年1月6日 更新2017年度 研究成果を更新しました。
2017年1月5日 お知らせ謹賀新年 
1月3日、渡部研究室の10周年記念パーティーが梅田にて開催されました。多くの方にご参加いただきまして、ありがとうございます!
今年も渡部研究室をどうぞよろしくお願い申し上げます。
2016年12月12日 お知らせ国際会議 2016 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM, 12月3日~7日 米国サンフランシスコ) において、岡君(D2)が[1 High-mobility TFT and Enhanced Luminescence Utilizing Nucleation-controlled GeSn Growth on Transparent substrate for Monolithic Optoelectronic Integration] の題目で研究発表を行いました。 発表後はサンディエゴに移動して47th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference(SISC, 12月8日~10日 米国サンディエゴ)で情報収集をされました。長旅お疲れさまです。

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